可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可配置的半导体器件I‑V特性测试装置及其测试方法，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出，所述电源端口连接图示仪的电源端；接地端口连接图示仪的接地端；第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本发明专利技术采用通用的双列直插夹具，可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I‑V特性测试，同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I‑V特性进行测试；通过单刀三掷开关切换选择需要进行I‑V特性测试的管脚，通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I‑V特性曲线快速对比。

【技术实现步骤摘要】
可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法
本专利技术涉及半导体测试分析
，特别涉及一种可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法。
技术介绍
失效定位是指针对半导体器件进行一系列的定位试验及机理分析，从而确定器件所存在的失效缺陷。通常失效定位方法是通过管脚间的I-V特性测试确定电特性异常的管脚间，再通过在电特性异常的管脚间加电使失效特征激发：首先，利用图示仪或半导体参数测试仪，对失效器件和正常器件的各个管脚之间的I-V特性进行测试，并对比失效器件和正常器件管脚间I-V特性的差异从而确定异常管脚；而后，通过微光显微镜(EMMI)和光束诱导电阻变化(OBIRCH)等方法，在失效器件和正常器件的异常管脚间加电并获取存在亮点的芯片图像；将失效器件和正常器件的芯片图像进行对比，失效器件芯片图像存在亮点而正常器件芯片图像不存在亮点的位置，往往就是存在失效缺陷的位置。由此可知，半导体器件失效定位方法中，管脚间IV特性测试是前提条件。然而，在采用传统的管脚间IV特性测试时中存在两个问题：1)由于图示仪及其它半导体参数测试仪均只有两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.可配置的半导体器件I-V特性测试装置，其特征在于，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；/n所述电源端口、悬空端口和接地端口通过所述PCB基板引出，所述电源端口连接图示仪的电源端，所述接地端口连接图示仪的接地端；所述第一夹具和第二夹具固定于所述PCB基板上，分别用于安装失效器件和正常器件；/n每2个单刀三掷开关为一个单刀三掷开关单元，所述单刀三掷开关组共n个单刀三掷开关单元；每2个单刀双掷开关为一个单刀双掷开关单元，所述单刀双掷开关组共n个单刀双掷开关单元；所述电源端口、悬空端口和接地端口各引出1条三端线形成三端线单元，共计2n...

【技术特征摘要】
1.可配置的半导体器件I-V特性测试装置，其特征在于，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；
所述电源端口、悬空端口和接地端口通过所述PCB基板引出，所述电源端口连接图示仪的电源端，所述接地端口连接图示仪的接地端；所述第一夹具和第二夹具固定于所述PCB基板上，分别用于安装失效器件和正常器件；
每2个单刀三掷开关为一个单刀三掷开关单元，所述单刀三掷开关组共n个单刀三掷开关单元；每2个单刀双掷开关为一个单刀双掷开关单元，所述单刀双掷开关组共n个单刀双掷开关单元；所述电源端口、悬空端口和接地端口各引出1条三端线形成三端线单元，共计2n组三端线单元；
一个单刀三掷开关单元、一个单刀双掷开关单元和其对应的2组三端线单元组成一个管脚测量单元，用于测量失效器件和正常器件相对应的一组管脚间的I-V特性；所述失效器件或正常器件的一组管脚引出线分别与单刀双掷开关单元中的第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关连接；所述第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关通过PCB基板上的微带线与所述单刀三掷开关单元中的第一单刀三掷开关和第二单刀三掷开关连接；所述第一单刀三掷开关和第二单刀三掷开关分别对应2组三端线；
切换管脚测量单元中的单刀双掷开关的位置可实现失效器件和正常器件的切换；切换单刀三掷开关的位置可实现电源端口和接地端口的切换。


2.如权利要求1所述的可配置的半导体器件I-V特性测试装置，其特征在于，所述第一夹具和第二夹具结构、尺寸相同，通过切换杆安装失效器件和正常器件。


3.如权利要求2所述的可配置的半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：廉鹏飞，祝伟明，李娟，刘相全，姬青，张辉，孔泽斌，楼建设，王昆黍，
申请(专利权)人：上海精密计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31