一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，该传感器包括硅栅极(1)、二氧化硅层(2)、插指电极区域和抗生素检测探针；二氧化硅层(2)位于硅栅极(1)上方，插指电极区域位于二氧化硅层(2)上方，抗生素检测探针位于插指电极区域上方，抗生素检测探针与插指电极区域之间设有二硫化钼层(5)，作为半导体导电沟道，硅栅极(1)和插指电极区域与检测响应信号的半导体分析仪电连接。与现有技术相比，本发明专利技术具有高灵敏度、高检测速度、高选择性、低成本、便携等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器
本专利技术涉及化学生物传感器领域，具体涉及一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器。
技术介绍
现代农业、畜牧业以及医疗行业等对抗生素的过度使用使抗生素成为一类新型的环境污染物，对包括水体在内的生态环境和人体健康产生了威胁。掌握水体抗生素水平是环境监测的重要内容，然而传统检测手段多基于仪器分析法，包括液相色谱和气相色谱等，检测成本高、耗时长且不适用于原位检测，因而研究和开发能实现原位和实时的抗生素检测手段是水体环境监测的重要方向，对及时的污染预警和长期的环境分析具有重要意义。场效应晶体管(FET)传感器是基于场效应晶体管器件工作机理，其半导体导电沟道材料在被测物影响下发生电导性能的改变，以电学信号的变化作为响应输出。以石墨烯为代表的二维纳米材料的发展使这类传感器的导电沟道材料发生革命性变化，传感器性能得到不断的发展和突破。然而石墨烯零带隙特性很大程度上制约了晶体管传感器的制备手段和电学性能。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，该传感器包括硅栅极(1)、二氧化硅层(2)、多个插指电极区域和多个抗生素检测探针；/n所述的二氧化硅层(2)位于硅栅极(1)上方，所述的插指电极区域位于二氧化硅层(2)上方，所述的抗生素检测探针位于插指电极区域上方，所述的抗生素检测探针与插指电极区域之间设有二硫化钼层(5)，作为半导体导电沟道，所述的硅栅极(1)和插指电极区域与检测响应信号的半导体分析仪电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，该传感器包括硅栅极(1)、二氧化硅层(2)、多个插指电极区域和多个抗生素检测探针；
所述的二氧化硅层(2)位于硅栅极(1)上方，所述的插指电极区域位于二氧化硅层(2)上方，所述的抗生素检测探针位于插指电极区域上方，所述的抗生素检测探针与插指电极区域之间设有二硫化钼层(5)，作为半导体导电沟道，所述的硅栅极(1)和插指电极区域与检测响应信号的半导体分析仪电连接。


2.根据权利要求1所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的插指电极区域包括插指形态分布的源极(3)和/或漏极(4)，相邻的源极(3)和漏极(4)组成一组电极对，插指电极宽l为2μm，相邻插指电极距离d为1.5μm。


3.根据权利要求1所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的二硫化钼层(5)通过层状二硫化钼水相分散液滴涂在插指电极区域干燥后得到。


4.根据权利要求3所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的层状二硫化钼水相分散液的浓度为0.05mg/mL，干燥过程采用暖灯照射。


5.根据权利要求1所述的一种DNA修饰的二硫化钼场效应晶体管抗生素传感器，其特征在于，所述的抗生素检测探针包括探针连接体纳米金层(6)、适配体DNA链(7)和互补DNA链(8)，所述的探针连接体纳米金层(6)位于二硫化钼层(5)上方，所述的探针连接体纳米金层(6)修饰有以碱基互...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛舜，陈晓燕，郝斯贝，徐齐昆，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：上海;31