一种测量MgO外逸电子发射电流的装置制造方法及图纸

一种测量ＭｇＯ外逸电子发射电流的装置，涉及一种利用金属网板构成的ＧＥＭ装置测量ＭｇＯ外逸电子发射电流的技术领域。本实用新型专利技术在真空腔体下底板的上方设置放大电流读出板，放大电流读出板上分别设置信号读出机构和读出板引出电极，下金属带孔板上连接下金属板引出电极，上金属带孔板上连接上金属带孔板引出电极，上下金属带孔板之间设置双锥形通孔的绝缘带孔板与金属孔匹配贴合，成为电子放大区，控制电子漂移间距支撑的上方设置前基板，前基板的下表面涂覆ＭｇＯ膜层。本实用新型专利技术提供一种以将微小的ＭｇＯ外逸电子发射电流在电场作用下放大，同时抑制ＭｇＯ的二次电子发射，使检测到的电流能够比较准确地反映ＭｇＯ的外逸电子发射电流。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种利用气体电子》文大(Gas Electron Multiplication 简称GEM)测量微小电流的方法的
，尤其涉及一种利用金属网板构 成的GEM装置测量Mg0外逸电子发射电流的方法的

技术介绍
MgO薄膜在等离子体显示器件(PDP)是一层关键的膜层，称为保护膜， 传统的作用M到保护介质层的作用，防止工作气体放电后产生的离子轰击 介质层，同时MgO还具有高二次发射系数的特点，在PDP基板表面蒸镀MgO 可降低着火电压，提高器件的性能。随着MgO研究的深入，经过一定的掺杂 处理，或在特定工艺条件下，或采用纳米级MgO源制备的Mg0薄膜在PDP器 件除具有传统的作用之外，还具有外逸电子发射的作用，这对于PDP中降低 统计延迟时间，实现高分辨率显示具有重要作用。目前采用的测量方法主要 是在PDP器件中直接测量MgO的外逸电子发射电流，但由于PDP中MgO的外 逸电子的发射电流很小，且易淹没在噪音中，直接测量的方法对测量^f义器的 精度及电路的降噪4支术要求4艮高。
技术实现思路
本技术目的是提供一种针对PDP中MgO的外逸电子的微小发射电流 测量，以将微小的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量ＭｇＯ的外逸电子的发射电流的装置，其特征在于包括一个真空腔体（１），真空腔体（１）下底板的上方设置放大电流读出板（８），放大电流读出板（８）上分别设置信号读出机构（２６）和读出板引出电极（２７），放大电流读出板（８）两侧的上方分别设置控制电子转移间距支撑（７），控制电子转移间距支撑（７）的上方设置下金属带孔板（５），下金属带孔板（５）上连接下金属板引出电极（１９），下金属带孔板（５）的上方设置具有双锥形通孔的绝缘带孔板（６），绝缘带孔板（６）的上方设置上金属带孔板（４），上金属带孔板（４）上连接上金属带孔板引出电极（１８），上金属带孔板（４）的上方设置控制电子漂移间距支撑（３），控制电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李青，石吟馨，汤勇明，屠彦，王保平，杨兰兰，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]