一种测量MgO外逸电子发射电流的装置制造方法及图纸

一种测量ＭｇＯ外逸电子发射电流的装置，涉及一种利用金属网板构成的ＧＥＭ装置测量ＭｇＯ外逸电子发射电流的技术领域。本实用新型专利技术在真空腔体下底板的上方设置放大电流读出板，放大电流读出板上分别设置信号读出机构和读出板引出电极，下金属带孔板上连接下金属板引出电极，上金属带孔板上连接上金属带孔板引出电极，上下金属带孔板之间设置双锥形通孔的绝缘带孔板与金属孔匹配贴合，成为电子放大区，控制电子漂移间距支撑的上方设置前基板，前基板的下表面涂覆ＭｇＯ膜层。本实用新型专利技术提供一种以将微小的ＭｇＯ外逸电子发射电流在电场作用下放大，同时抑制ＭｇＯ的二次电子发射，使检测到的电流能够比较准确地反映ＭｇＯ的外逸电子发射电流。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种利用气体电子》文大(Gas Electron Multiplication 简称GEM)测量微小电流的方法的
，尤其涉及一种利用金属网板构 成的GEM装置测量Mg0外逸电子发射电流的方法的

技术介绍
MgO薄膜在等离子体显示器件(PDP)是一层关键的膜层，称为保护膜， 传统的作用M到保护介质层的作用，防止工作气体放电后产生的离子轰击 介质层，同时MgO还具有高二次发射系数的特点，在PDP基板表面蒸镀MgO 可降低着火电压，提高器件的性能。随着MgO研究的深入，经过一定的掺杂 处理，或在特定工艺条件下，或采用纳米级MgO源制备的Mg0薄膜在PDP器 件除具有传统的作用之外，还具有外逸电子发射的作用，这对于PDP中降低 统计延迟时间，实现高分辨率显示具有重要作用。目前采用的测量方法主要 是在PDP器件中直接测量MgO的外逸电子发射电流，但由于PDP中MgO的外 逸电子的发射电流很小，且易淹没在噪音中，直接测量的方法对测量^f义器的 精度及电路的降噪4支术要求4艮高。
技术实现思路
本技术目的是提供一种针对PDP中MgO的外逸电子的微小发射电流 测量，以将微小的外逸电子发射电流在电场作用下放大，同时抑制MgO的二 次电子发射，使4企测到的电流能够比较准确地反映MgO的外逸电子发射电流， 对评价该电流对PDP器件性能的影响起到重要作用。本技术为实现上述目的采用如下技术方案本技术包括一个真空腔体，真空腔体下底板的上方设置放大电流读出板，放大电流读出板上分别设置信号读出机构和读出板引出电极，放大电 流读出板两侧的上方分别设置控制电子转移间距支撑，控制电子转移间距支 撑的上方设置下金属带孔板，下金属带孔板上连接下金属板引出电极，下金 属带孔板的上方设置具有双锥形通孔绝缘带孔板，绝缘带孔板的上方设置上 金属带孔板，上金属带孔板上连接上金属带孔板引出电极，上金属带孔板的 上方设置控制电子漂移间距支撑，控制电子漂移间距支撑的上方设置前基板，前基板的下表面涂覆MgO膜层，前基板上连接前141引出电极。比较好的是本技术的上金属带孔板和下金属带孔板上分别分布着 品字型的锥形通孔，锥形孔大孔直径为200 1000^im，锥形孔小孔直径为 100 - 600fim,上金属带孔板和下金属带孔板的厚度为100 - 200^,品字形 锥形孔的中心排列的节距为lmm ~ 5mm。比较好的是本技术的绝缘带孔板上分布双锥形通孔，双锥形通孔 的大孔位于绝缘板的上下表面，双锥形通孔的大孔直径为100~ 600nm，与 锥形通孔小孔直径一致，双锥形通孔的小孔位于绝》彖^反内部的中间位置，双 锥形通孔的小孔直径为80~ 500nm,双一维形通孔的品字形排列的中心节距为 lmm-5mm，双锥形通孔的中心距与品字形锥形通孔的中心距一致，绝缘带孔 玲反的厚度为0. 4腿~ 2mm。比较好的是本技术的控制电子漂移间距支撑的高度在1 ~ 3mm, 上述控制电子转移间距支撑的高度为1 ~ 3mm。比较好的是本技术的衬底J4l由玻璃、陶瓷构成。 比较好的是本技术的衬底基板由金属板构成。 比较好的是本技术的前板电极由银、铜或铝材料通过蒸镀光刻 工艺构成。利用测量Mg0的外逸电子的发射电流装置的测量方法，在真空腔体内充 入一定气压的工作气体，在前基板引出电极与上金属带孔板引出电极之间施 加直流电场，其电压低于工作气体的着火电压，使得MgO膜层产生外逸电子 发射，产生的外逸电子在电子漂移区的电场作用下越过漂移区，进入由上金 属带孔板、下金属带孔板以及夹心绝缘带孔板的双面锥形通孔中，此时在上 金属带孔板引出电极与下金属带孔板引出电极之间施加直流电场，由于强电场的作用，电子发生雪崩效应，急剧放大，在下金属带孔板引出电极与读出 板引出电极之间施加直流电场，使雪崩后形成的放大电流通过双面锥形孔通 道，ii^放大电流转移区，并被放大电流读出板的信号读出机构所接受，由 外围电路处理。本技术釆用上述^t术方案，与现有技术相比具有如下优点1、 本技术的测量MgO的外逸电子的发射电流的方法利用了汤生放 电的现象，利用特定形状的电极产生强大电场导致电子雪崩现象，使MgO的 外逸电子微小的发射电流放大，以便精确的测量，同时可抑制MgO二次电子 发射电流的影响。2、 本技术的测量MgO的外逸电子的发射电流的装置结构紧凑可靠， 部件加工简单可;f亍。附图说明图1为本技术测试装置的结构示意图。图2为本技术前基;f反的结构示意图。图3为本技术金属带孔板的结构示意图。图4为本技术绝缘带孔板的结构示意图。图5为本技术MgO外逸电子发射电流放大示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术的技术方案进行详细说明 如图1、图2所示，本技术包括一个真空腔体1,真空腔体1下底 板的上方设置放大电流读出板8,放大电流读出板8上分别设置信号读出机 构26和读出板引出电极27,放大电流读出板8两侧的上方分别设置控制电 子转移间距支撑7，控制电子转移间距支撑7的上方设置下金属带孔板5， 下金属带孔板5上连接下金属板引出电极19,下金属带孔板5的上方设置具 有双锥形通孔绝缘带孔板6,绝缘带孔板6的上方设置上金属带孔板4,上 金属带孔板4上连接上金属带孔板引出电极18，上金属带孔板4的上方设置 控制电子漂移间距支撑3,控制电子漂移间距支撑3的上方^:置前基板2，前基板2的下表面涂覆Mg0膜层12,前基板2上连接前基板引出电极11。如图3所示，本技术的上金属带孔板4和下金属带孔板5上分别分 布着品字型的锥形通孔13，锥形孔大孔14直径为200 ~ lOOO^im,锥形孔小 孔15直径为100 ~ 60(^m，上金属带孔板4和下金属带孔板5的厚度16为 100~ 200|iim，品字形锥形孔的中心排列的节距17为lmm 5mm。如图4所示，本技术的绝缘带孔板6上分布双锥形通孔，双锥形通 孔的大孔20位于绝缘板的上下表面，双锥形通孔的大孔直径21为100 ~ 600nm,与锥形通孔小孔直径一致，双锥形通孔的小孔22位于绝缘板内部的 中间位置，双锥形通孔的小孔直径23为80~ 500|iim,双锥形通孔的品字形 排列的中心节距24为lmm ~ 5腿，双锥形通孔的中心距与品字形锥形通孔的 中心距一致，绝缘带孔板6的厚度25为0. 4mm ~ 2mm,本技术的控制电子漂移间距支撑3的高度在1 ~ 3mm,上述控制电子 转移间距支撑7的高度为1 ~ 3腿。本技术的衬底基板9由玻璃、陶瓷构成。本技术的村底基板9由金属板构成。本技术的前板电极10由银、铜或铝材料通过蒸镀光刻工艺构成。 利用测量MgO的外逸电子的发射电流装置的测量方法，在真空腔体l内 充入一定气压的工作气体，在前14反引出电极11与上金属带孔板引出电极 18之间施加直流电场，其电压低于工作气体的着火电压，使得MgO膜层12 产生外逸电子发射，产生的外逸电子在电子漂移区的电场作用下越过漂移 区，进入由上金属带孔板4、下金属带孔板5以及夹心绝缘带孔板6的双面 锥形通孔中，此时在上金属带孔板引出电极18与下金属带孔板引出电极19 之间施加直流电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量ＭｇＯ的外逸电子的发射电流的装置，其特征在于包括一个真空腔体（１），真空腔体（１）下底板的上方设置放大电流读出板（８），放大电流读出板（８）上分别设置信号读出机构（２６）和读出板引出电极（２７），放大电流读出板（８）两侧的上方分别设置控制电子转移间距支撑（７），控制电子转移间距支撑（７）的上方设置下金属带孔板（５），下金属带孔板（５）上连接下金属板引出电极（１９），下金属带孔板（５）的上方设置具有双锥形通孔的绝缘带孔板（６），绝缘带孔板（６）的上方设置上金属带孔板（４），上金属带孔板（４）上连接上金属带孔板引出电极（１８），上金属带孔板（４）的上方设置控制电子漂移间距支撑（３），控制电子漂移间距支撑（３）的上方设置前基板（２），前基板（２）的下表面涂覆ＭｇＯ膜层（１２），前基板（２）上连接前基板引出电极（１１）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李青，石吟馨，汤勇明，屠彦，王保平，杨兰兰，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]