一种可控硅检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术适用于可控硅检测领域，提供了一种可控硅检测装置，包括电源电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供导通电压；触发电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供触发电压；以及检测结果指示装置，串接在所述电源电路与待检测的可控硅之间，指示待检测的可控硅的检测结果。本实用新型专利技术结构简单，易于制作，造价低，使用方便，具有多种检测功能，可以方便、迅速、可靠地检测可控硅的好坏，给可控硅设备的维修带来很大方便。采用该检测装置可以直接对设备中的可控硅进行检测，不需要将可控硅取出，检测结果可以直观指示，不会导致检测失误。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于可控硅检测领域，尤其涉及一种可控珪检测装置。技术背景可控硅(SCR)又叫晶闸管，是一种大功率开关型半导体器件，有单向、 双向、可关断和光控等几种类型，具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控 制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动 控制和大功率的电能转换的场合。可控硅在运行时经常发生损坏或脉沖控制信 号丟失等故障，从而影响设备的正常运行，给生产带来很大的影响。目前，对可控硅进行检测时，主要通过万用表测量可控硅各管脚间的阻值 来判断可控硅的好坏。但检测时需将可控硅从设备上取下来，检测不方便。同 时，只能检测可控硅是否被击穿短路，不能检测可控硅断路或者触发脉冲信号 的有无，检测不全面。另外，由于受到人为因素的影响，容易造成检测失误。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可控硅检测装置，旨在解决现有可控硅4企 测方案检测不方便、检测不全面以及容易造成才企测失误的问题。本技术是这样实现的， 一种可控石圭;险测装置，所述装置包括 电源电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供导通电压； 触发电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供触发电压；以及检测结果指示装置，串接在所述电源电路与待检测的可控硅之间，指示待检测的可控硅的检测结果。本技术提供的检测装置结构简单，易于制作，造价低，使用方便，具 有多种检测功能，可以方便、迅速、可靠地检测可控硅的好坏，例如是否击穿 或断路，并可以检测触发脉冲信号的有无，给可控硅设备的维修带来很大方便。 采用该检测装置可以直接对设备中的可控硅进行冲企测，不需要将可控硅取出， 检测结果可以直观指示，不会导致检测失误。附图说明图1是本技术提供的可控硅检测装置的结构图； 图2是本技术第 一 实施例提供的可控硅片企测装置的电路结构图； 图3是本技术第二实施例提供的可控硅检测装置的电路结构图； 图4是本技术第三实施例提供的可控硅检测装置的电路结构图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图 及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体 实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。在本技术中，通过控制可控硅的通断检测可控硅的状态，检测结果全 面，可以直观指示，对设备中的可控硅直接检测时不需要将可控硅从设备中取 出。图l示出了本技术提供的可控硅检测装置的结构，为了便于说明，仅示 出了与本技术相关的部分。电源电路101、触发电路103分别与待检测的可控硅102连接，电源电路 101为可控硅102提供导通电压，触发电路103为可控硅102提供触发电压， 检测结果指示装置104串接在电源电路101和可控硅102之间。检测结果指示 装置104可以是指示灯，或者声音发生器等，通过灯光信号或者声音信号指示检测结果。对可控珪102进行检测时，如果对可控娃102施加导通电压，不施加触发 电压时，可控硅102导通，检测结果指示装置104得电发出指示信号，表明可 控硅102短路；如果对可控硅102同时施加导通电压和触发电压时,检测结果 指示装置104未发出指示信号，表明可控硅102断路，否则说明表明可控硅102 工作正常。在本技术中，利用该;险测装置可以实现对双向可控^ 圭或者单向可控硅 的检测，也可以同时对双向可控硅和单向可控硅进行检测。图2示出了本技术提供的实现双向可控硅检测的可控硅检测装置的电 路结构，为了便于说明，仅示出了与本技术相关的部分。交流220V电源作为电源电路101，为双向可控硅VS1提供交流导通电压， 其相线直接接双向可控硅VS1的第二阳极T2，双向可控硅VS1的第一阳极T1 接指示灯HL1的一端，指示灯HL1的另一端接交流220V电源的零线。可调电阻RP1和电容C1构成一条阻容移相电路，作为触发电路103为双 向可控硅VS1提供触发电压。该阻容移相电路的一端接控制开关Sl的一端， 控制开关S1的另一端接双向可控硅VS1的第二阳极T2，该阻容移相电路的另 一端接双向可控珪VS1的第一阳极T1，阻容移相电路产生的脉沖信号接双向 触发二极管ST的一端，双向触发二极管ST的另一端接双向可控硅VS1的控 制极G，为双向可控硅VS1提供触发电压。具体工作过程为，合上控制开关Sl， 交流电源通过可调电阻RP1向电容C1充电，当电容C1两端的电压上升到略高 于双向触发二极管ST的转折电压时，双向触发二极管ST导通，并且触发双向 可控硅VS1也导通，指示灯HL1得电发光。当交流电源电压过零瞬间，双向 可控硅VS1自行关断，接着电容C1又被电源反向充电，重复上述过程。该阻 容移相电路工作在交流电路中，阻容移相电路在交流电压的正、负半周分别会 发出正、负触发电压到双向可控硅VS1的控制极G，使双向可控硅VS1在正、 负半周内对称地导通一次，改变可调电阻RP1的阻值，就改变了电容C1的充电速度，也就改变了双向可控硅VS1的导通角，相应地改变了指示灯HL1上 的交流电压，实现了交流调压。当可调电阻RP1调到最大值时，电容C1充电速度变得很隄，以致在交流 电压的半个周期时间内，电容C1上的电压还来不及上升到双向触发二极管ST 的转折电压，双向可控硅VS1就不能导通。为了克服这一缺陷，本技术增 加了由电阻R1、电容C2和电阻R2组成的另一条阻容移相电^各，当可调电阻 RP1调到极限值以上时，电容C2上的电压可经电阻R2向电容C1充电，使电 容C1上的电压达到双向触发二极管ST的转折电压，以保证在低输出电压下双 向可控硅VS1仍能导通。检测双向可控硅VS1时，如果控制开关S1未闭合，指示灯HL1发光，表明 双向可控硅VS1被击穿而短路，如果指示灯HL1未发光，控制开关S1闭合后， 指示灯HL1发光，表明双向可控硅VS1正常，否则表明双向可控硅VS1断路损坏。图3示出了本技术提供的实现单向可控硅检测的可控硅检测装置的电 路结构，为了便于说明，仅示出了与本技术相关的部分。交流220V电源、变压器T、整流桥D和控制开关S2构成电源电^各101, 为单向可控硅VS2提供直流导通电压，控制开关S3和电池组构成触发电路103 ， 为单向可控硅VS2提供触发电压，检测结果指示装置104采用指示灯HL2,待 检测的可控硅102为单向可控硅VS2。变压器T的原边接交流220V电源，变压器T的副边的一端接整流桥D的 一输入端，变压器T的副边的另一端接控制开关S2的一端，控制开关S2的另 一端接整流桥D的另 一输入端。整流桥D的 一输出端接单向可控硅VS2的阳 极A，单向可控硅VS2的阴极K接指示灯HL2的一端，指示灯HL2的另一端 接整流桥D的另 一输出端。电池组的正极接控制开关S3的一端，控制开关S3的另一端接单向可控硅 VS2的控制极G，电池组的负极接单向可控硅VS2的阴极K。检测单向可控硅VS2时，将控制开关S2闭合，若指示灯HL2发光，则表明单向可控硅VS2被击穿而短路，若指示灯HL2不发光，将控制开关S3闭合， 如果指示灯HL2发光，表明单向可控硅VS2正常，否则就表明单向可控硅VS2 断路损坏。本技术除了检测可控硅是否短路或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控硅检测装置，其特征在于，所述装置包括：　电源电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供导通电压；　触发电路，与待检测的可控硅连接，为待检测的可控硅提供触发电压；以及　检测结果指示装置，串接在所述电源电路与待检测的可控硅之间，指示待检测的可控硅的检测结果。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗秋华，张永清，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：94[中国|深圳]