一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料及其制备方法，包括以下步骤：先将二元胺单体和二元酐单体分别溶解于有机溶剂中其中，二元酐单体分批加入；经预设时间反应后制得聚酰胺酸溶液；利用柠檬酸水热法制得石墨烯量子点，然后用二氨基吡啶与石墨烯量子点进行酰胺化反应得到氨基吡啶功能化的石墨烯量子点；将聚酰胺酸溶液与功能化石墨烯量子点在室温进行搅拌得到混合溶液；将混合溶液旋转涂布，得到聚酰胺酸复合薄膜，然后再一定温度范围内经梯度亚胺化处理制得低介电聚酰亚胺复合薄膜材料。本发明专利技术的制备方法简单，所用的石墨烯量子点达到纳米级，比表面积大，经改性后可以均匀分散在聚酰亚胺基体中，形成厚度均匀可控的薄膜材料。

【技术实现步骤摘要】
一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料及其制备方法
本专利技术涉及光敏聚酰亚胺材料领域，尤其涉及一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
聚酰亚胺作为一种具有耐高低温性、高强度、高模量、低吸水率、耐辐照和优异绝缘性的工程材料，在微电子、信息、原子能工业和航空航天等领域得到广泛的应用。随着社会和科学技术的发展，尤其近年来航空航天、信息能源、电子电气工业和微电子工业的快速发展，对材料提出了更高更新的要求，单纯的聚酰亚胺材料在要求有特殊功能的材料领域，如光、电、磁学材料领域，越来越显示出它的不足。随着5G建设的逐步铺开，传统聚酰亚胺材料的介电性能已无法满足5G高频高速的运行要求。通过掺杂无机填料可以有效增加自由体积，降低摩尔极化率，进而降低介电常数，但一般无机填料的尺寸较大，对聚酰亚胺材料介电常数的降低效果并不理想。
技术实现思路
本专利技术为解决现有聚酰亚胺不利于使用的技术问题，提供了一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料及其制备方法。本专利技术提供了一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：先将二元胺单体和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：先将二元胺单体和二元酐单体分别溶解于有机溶剂中其中，二元酐单体分批加入；经预设时间反应后制得聚酰胺酸溶液；利用柠檬酸水热法制得石墨烯量子点，然后用二氨基吡啶与石墨烯量子点进行酰胺化反应得到氨基吡啶功能化的石墨烯量子点；将聚酰胺酸溶液与功能化石墨烯量子点在室温进行搅拌得到混合溶液；将混合溶液旋转涂布，得到聚酰胺酸复合薄膜，然后再一定温度范围内经梯度亚胺化处理制得低介电聚酰亚胺复合薄膜材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：先将二元胺单体和二元酐单体分别溶解于有机溶剂中其中，二元酐单体分批加入；经预设时间反应后制得聚酰胺酸溶液；利用柠檬酸水热法制得石墨烯量子点，然后用二氨基吡啶与石墨烯量子点进行酰胺化反应得到氨基吡啶功能化的石墨烯量子点；将聚酰胺酸溶液与功能化石墨烯量子点在室温进行搅拌得到混合溶液；将混合溶液旋转涂布，得到聚酰胺酸复合薄膜，然后再一定温度范围内经梯度亚胺化处理制得低介电聚酰亚胺复合薄膜材料。


2.如权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的二元胺单体和二元酐单体的摩尔质量之比为1：（1~1.2）；所述二元胺单体和二元酐单体的质量之和与有机溶剂的质量之比为（0.5~2.5）：10。


3.如权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的有机溶剂为N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺和N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。


4.如权利要求1所述的一种低介电聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述的所述二元酐单体为6FDA、6FXDA...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵永刚，朋小康，廖松义，黄兴文，张诗洋，刘荣涛，赵晨，刘屹东，
申请(专利权)人：广东工业大学，东莞华南设计创新院，
类型：发明
国别省市：广东;44