高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法，所述反铁电陶瓷材料包括：铅钡镧锆锡反铁电陶瓷相和钡硼铝硅玻璃相；所述反铁电陶瓷材料的化学通式为：(Pb

【技术实现步骤摘要】
高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法
本专利技术涉及功能陶瓷领域，尤其是涉及一种高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的进步，人们对电子产品方便、简单、快捷的需求日益增长，促使相应的电子电路向着集成化、微型化、简洁化发展。储能电容器广泛应用于现代电子能源系统，如脉冲功率系统、混合动力汽车、新能源电力系统、微型电子设备等领域，开发具有小型化、轻量化的电容器已成为业界长期发展的方向。陶瓷电介质材料具有机械强度高、老化速率慢、介电可调且温度适应性好以及可在复杂环境下使用等优点，是制备高储能密度电容器的理想材料。用作陶瓷电容器的介质材料主要有线性陶瓷、铁电陶瓷和反铁电陶瓷三类。在高储能应用方面，反铁电材料要明显优于铁电材料，因为反铁电体没有任何剩余极化，其可以释放更多的储存电荷；同样反铁电材料由于其高的介电常数和大的极化强度，其储能特性优于线性电介质材料。目前围绕提高反铁电陶瓷储能行为的研究有很多，如专利号为CN201810214293.1的中国专利技术专利《一种高储能密度反铁电陶瓷材料及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料，其特征在于，所述反铁电陶瓷材料的包括：铅钡镧锆锡反铁电陶瓷相和钡硼铝硅玻璃相；/n所述反铁电陶瓷材料的化学通式为：(Pb

【技术特征摘要】
1.一种高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料，其特征在于，所述反铁电陶瓷材料的包括：铅钡镧锆锡反铁电陶瓷相和钡硼铝硅玻璃相；
所述反铁电陶瓷材料的化学通式为：(Pb0.91Ba0.015La0.05)(Zr0.6Sn0.4)O3+xwt％yBaO-zB2O3-wAl2O3-(1-y-z-w)SiO2，其中0＜x≤1.0，0＜y＜1，0＜z＜1，0＜w＜1。


2.根据权利要求1所述的一种高储能密度电容器用低烧反铁电陶瓷材料，其特征在于，其中x的数值范围为0.2≤x≤0.8，y的数值为0.12，z的数值为0.16，w的数值为0.09。


3.一种权利要求1或2中反铁电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：基于各个元素的摩尔比称取Pb3O4、BaCO3、La2O3、ZrO2、SnO2作为反铁电陶瓷相的原料；
S2：向反铁电陶瓷相的原料中加入球磨介质，球磨，出料，烘干，得到粉料；
S3：将粉料在800～950℃下煅烧2～3h；
S4：向煅烧后的粉料中加入烧结助剂，并进行二次球磨，出料，烘干，造粒，过筛，并在4～8MPa的压力下压制成陶瓷圆片，即为陶瓷胚体；
S5：对所述陶瓷胚体排胶；
S6：将排胶后的陶瓷坯体在1050～1200℃下进行烧结，冷却，打磨，得到反铁电陶瓷材料成品。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟继卫，黄凯威，葛广龙，沈波，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：上海;31