氧化锡系烧结体及其制造方法技术

本发明专利技术提供与以往的氧化锡系烧结体相比具有更低的体积电阻率的氧化锡系烧结体以及这样的氧化锡系烧结体的制造方法。本发明专利技术的氧化锡系烧结体实质上由锡和氧构成，体积电阻率小于1.0×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氧化锡系烧结体及其制造方法
本专利技术涉及氧化锡系烧结体及其制造方法。
技术介绍
透明导电膜因为具有高导电性和在可见光区域的高透过率，所以用于液晶显示器、有机EL显示器、等离子显示器、触摸面板等显示器的电极、太阳能电池的电极、窗玻璃的热射线反射膜、抗静电膜、电磁波屏蔽膜等。不仅用于太阳能电池、液晶显示元件以及其他各种受光元件的电极等，还作为汽车窗、建筑用的热射线反射膜、抗静电膜或者冷冻陈列柜等的防雾用透明发热体利用。氧化锡系的透明导电膜因为具有高的导电性和优异的透光性以及优异的化学耐久性(耐热性、耐药品性、耐氧化性、耐还原性等)，所以与ITO一起被用作透明导电膜。作为这样的透明导电膜的制造方法，经常使用溅射法(例如，DC溅射法)。特别是在蒸气压低的材料的成膜时或需要进行精密的膜厚控制时，溅射法是有效的手法，操作非常简便，因此在工业上被广泛利用。溅射法中使用的溅射靶在为氧化锡系的透明导电膜的情况下，加工氧化锡系烧结体而得到。例如，专利文献1中记载了由氧化锡系烧结体构成的溅射靶。为了即便在高功率下也不引起溅射异常并实现稳定的成膜，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化锡系烧结体，其特征在于，实质上由锡和氧构成，体积电阻率小于1.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180219 JP 2018-0270861.一种氧化锡系烧结体，其特征在于，实质上由锡和氧构成，体积电阻率小于1.0×10－1Ω·cm。


2.根据权利要求1所述的氧化锡系烧结体，其中，在烧结体中金属锡不偏析而均匀地分散。


3.根据权利要求1或2所述的氧化锡系烧结体，其中，具有95％以上的相对密度。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的氧化锡系烧结体，其中，进一步包含阳离子掺杂剂和阴离子掺杂剂中的至少一方。


5.根据权利要求4所述的氧化锡系烧结体，其中，以5mol％以下的比例含有所述阳离子掺杂剂。


6.根据权利要求4或5所述的氧化锡系烧结体，其中，以20mol％以下的比例含有所述阴离子掺杂剂。


7.根据权利要求4～6中任一项所述的氧化锡系烧结体，其中，所述阳离子掺杂剂为选自钽、锑和铌中的至少1种。


8.根据权利要求4～7中任一项所述的氧化锡系烧结体，其中，所述阴离子掺杂剂为氟和氯中的至少1种。


9.根据权利要求4～8中任一项所述的氧化锡系烧结体，其中，含有钽作为所述阳离子掺杂剂，含有氟作为所述阴离子掺杂剂。


10.一种靶，含有权利要求1～9中任一项所述的氧化锡系烧结体。


11.一种氧化锡系烧结体的制造方法，包含如下工序：
得到至少含有氧化锡粉末(II)的原料粉末的工序；
将所述原料粉末以填充率为40％以上的方式填充于金属密闭舱的工序；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田邦彦，青木健志，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP