单晶小硅块的拼接切割方法技术

本发明专利技术公开了单晶小硅块的拼接切割方法，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将单晶小硅块拼接后再切片出单晶硅片。本发明专利技术将单晶小硅块拼接处理后再进行切片，可提高加工效率，提高产能。本发明专利技术将单晶小硅块拼接后再进行切片，使得无需投入大量设备的前提下，就可以满足硅片加工，同时提高产能，大大降低了固定资产的投入。本发明专利技术将加工单晶小硅块的方式由单排改进为拼接，单刀产能提升50%，设备投入数量相应降低50%，同时加工硅片过程中所使用的辅材、耗能、人工成本也降低。

【技术实现步骤摘要】
单晶小硅块的拼接切割方法
本专利技术涉及单晶小硅块的拼接切割方法。
技术介绍
“降本增效”一直是光伏制造的最大主题，单晶硅棒开方后产生单晶边皮，如果将单晶边皮料进一步加工切片，可达到废物利用的目的。可先将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，再对单晶小硅块进行切片，但目前对单晶小硅块的加工效率不高，产能低。
技术实现思路
为解决现有技术的缺陷，本专利技术提供一种单晶小硅块的拼接切割方法，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将单晶小硅块拼接后再切片出单晶硅片。优选的，将至少两个单晶小硅块层叠粘接后再切片。具体的，将至少两个单晶小硅块层叠拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，便于切割，提升产能，对单晶大硅块进行切片，切片方向与各单晶小硅块的长度方向垂直，切片得到单晶硅片。优选的，将至少两个单晶小硅块并排粘接后再切片。具体的，将至少两个单晶小硅块水平拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将单晶小硅块拼接后再切片出单晶硅片。/n

【技术特征摘要】
1.单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶边皮切割出长方体状单晶小硅块，将单晶小硅块拼接后再切片出单晶硅片。


2.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶小硅块层叠粘接后再切片。


3.根据权利要求2所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将至少两个单晶小硅块层叠拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，对单晶大硅块进行切片，切片方向与各单晶小硅块的长度方向垂直，切片得到单晶硅片。


4.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶小硅块并排粘接后再切片。


5.根据权利要求4所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将至少两个单晶小硅块水平拼接，且各单晶小硅块的长度方向相互平行，相邻两单晶小硅块的接触处采用胶水粘接固定，使单晶小硅块拼接为长方体状单晶大硅块，对单晶大硅块进行切片，切片方向与各单晶小硅块的长度方向垂直，切片得到单晶硅片。


6.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶小硅块拼接之前，先对单晶小硅块进行磨面处理。


7.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，将单晶小硅块拼接之前，先对单晶小硅块进行倒角处理。


8.根据权利要求2至5中任一项所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，对切片出的单晶硅片进行脱胶清洗。


9.根据权利要求1所述的单晶小硅块的拼接切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）将单晶边皮截断成边皮小段；
2）切除边皮小段两侧的尖角...

【专利技术属性】
技术研发人员：季建，岳维维，曹育红，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32