【技术实现步骤摘要】
在多个切片操作期间借助于线锯从工件切下多个晶圆的方法以及单晶硅半导体晶圆
本专利技术的主题是一种在多个切片操作期间借助于线锯从工件切下多个晶圆的方法，该线锯包括在两个线引导辊之间拉伸的锯切线的移动线区段的线网，线引导辊中的每个都被安装在固定轴承和可移动轴承之间。本专利技术的另一主题是通过该方法可获得的单晶硅的半导体晶圆。
技术介绍
在许多应用中，需要薄、均匀晶圆的材料。在其各自的前面和后面的均匀性和平面平行性方面受到特别严格的要求的晶圆的一个示例是用作制造微电子部件的基板的半导体材料的晶圆。同时从工件上切下多个晶圆的线锯切对于这种晶圆的生产特别重要，因为这特别经济。利用线锯切，锯切线围绕至少两个线引导辊以螺旋方式被引导，从而在两个相邻的线引导辊的面向要被切割的工件的侧部上，并且该工件结合至保持杆，拉伸一线网，该线网由彼此平行延伸的锯切线区段组成。线引导辊具有圆柱体的形式，这些圆柱体的轴线被彼此平行地设置，并且线引导辊的圆柱表面具有耐磨材料的覆盖件，该耐磨材料的覆盖件具有环形封闭的凹槽，该凹槽在垂直于线...
【技术保护点】
1.一种在多个切片操作期间借助于线锯从工件切下多个晶圆的方法，该线锯包括在两个线引导辊之间拉伸的锯切线的移动线区段的线网，该线引导辊中的每个被安装在固定轴承和可移动轴承之间，所述方法包括，/n在该切片操作中的每个期间，在存在工作流体的情况下，在存在硬质物质的情况下，抵靠该线网沿着供给方向供给该工件中的一个，该硬质物质磨蚀地作用在该工件上；/n在该切片操作期间，根据温度轮廓对各个线引导辊的该固定轴承进行温度控制，该温度轮廓要求温度作为切割深度的函数；/n在该切片操作过程中，该温度轮廓从具有恒定温度过程的第一温度轮廓到第二温度轮廓的第一切换，该第二温度轮廓与第一平均形状轮廓和参...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190527 DE 102019207719.61.一种在多个切片操作期间借助于线锯从工件切下多个晶圆的方法，该线锯包括在两个线引导辊之间拉伸的锯切线的移动线区段的线网，该线引导辊中的每个被安装在固定轴承和可移动轴承之间，所述方法包括，
在该切片操作中的每个期间，在存在工作流体的情况下，在存在硬质物质的情况下，抵靠该线网沿着供给方向供给该工件中的一个，该硬质物质磨蚀地作用在该工件上；
在该切片操作期间，根据温度轮廓对各个线引导辊的该固定轴承进行温度控制，该温度轮廓要求温度作为切割深度的函数；
在该切片操作过程中，该温度轮廓从具有恒定温度过程的第一温度轮廓到第二温度轮廓的第一切换，该第二温度轮廓与第一平均形状轮廓和参考晶圆的形状轮廓的差成比例，从根据该第一温度轮廓已经切下的晶圆确定该第一平均形状轮廓。
2.根据权利要求1所述的方法，包括，
将该温度轮廓进一步切换到进一步温度轮廓，该进一步温度轮廓与先前切片的晶圆的进一步平均形状轮廓和该参考晶圆的形状轮廓的差成比例，该先前切片的晶圆源自至少1至5个切片操作，该至少1至5个切片操作紧接在当前切片操作之前。
3.根据权利要求1或2所述的方法，包括在该切片操作中的第一个期间使用该第一温度轮廓，该切片操作中的第一个发生在该线锯的、该锯切线的或该工作流体的至少一个特征改变之后。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括在晶圆的基于晶圆选择的基础上确定该第一平均形状轮廓和该进一步平均形状轮廓。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括在晶圆的切割相关选择的基础上确定该进一步平均形状轮廓。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括在晶圆的基于晶圆选择的和基于切割选择的基础上确定该进一步平均形状轮廓。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，包括在晶圆的形状轮廓的加权平均的基础上确定该第一平均形状轮廓和该进一步平均形状轮廓。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中该锯切线是过共析珠光体钢丝线。
技术研发人员：G·皮奇，P·威斯纳，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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