电阻式存储器单元控制和操作制造技术

一些实施例包括具有电阻式存储器设备的装置以及在改变电阻式存储器设备的存储器单元的电阻的操作期间施加电压阶跃、电流阶跃和脉冲宽度阶跃的组合的方法。该装置还包括写入终止电路，该写入终止电路用于在对存储器单元执行的操作的特定时间期间限制提供给电阻式存储器设备的存储器单元的驱动电流。该装置还包括在存储器设备的感测操作期间进行操作的可编程可变电阻器和电阻器控制电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电阻式存储器单元控制和操作优先权声明本专利申请要求于2018年6月29日提交的、序列号为16/023,728的美国申请的优先权权益，其全部内容通过引用合并于此。
本文描述的实施例涉及电子设备和系统中的存储器电路。一些实施例涉及电阻式存储器设备。
技术介绍
诸如电阻式存储器设备之类的非易失性存储器设备通常具有用于存储器单元的不同电阻值范围的精确放置，所述不同电阻值范围可以用于表示存储在存储器单元中的信息的不同值。在这样的范围内的太低或太高的值可能会影响存储器单元中所存储的信息(例如，位)的切换产量和耐久性。此外，在这样的范围之间的余量太小可能会导致信息的非易失性损失或从存储器单元读取信息的失败。已经提出了常规技术来解决上述现象。然而，如下面更详细地描述的，一些常规技术可能具有缺点。附图说明图1示出了根据本文描述的一些实施例的采用存储器设备的形式的装置。图2A示出了根据本文描述的一些实施例的包括存储器元件和晶体管的存储器单元。图2B示出了根据本文描述的一些实施例的可被存储在图2A的存储器单元中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，包括：/n第一导线；/n第二导线；/n电阻式存储器单元，所述电阻式存储器单元耦合在所述第一导线和所述第二导线之间；以及/n控制单元，所述控制单元用于：/n在改变所述电阻式存储器单元的电阻的操作的第一时间间隔和第二时间间隔期间使得所述第一导线处的电压在所述第一时间间隔期间具有第一电压值并且在所述第二时间间隔期间具有第二电压值，所述第二电压值大于所述第一电压值，并且在所述第一时间间隔和所述第二时间间隔期间使得流经所述电阻式存储器单元的电流处于第一电流值保持不变；以及/n在所述操作的第三时间间隔和第四时间间隔期间使得所述第一导线处的电压在所述第三时间间隔期间具有第三电压值并且在所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180629 US 16/023,7281.一种电子装置，包括：
第一导线；
第二导线；
电阻式存储器单元，所述电阻式存储器单元耦合在所述第一导线和所述第二导线之间；以及
控制单元，所述控制单元用于：
在改变所述电阻式存储器单元的电阻的操作的第一时间间隔和第二时间间隔期间使得所述第一导线处的电压在所述第一时间间隔期间具有第一电压值并且在所述第二时间间隔期间具有第二电压值，所述第二电压值大于所述第一电压值，并且在所述第一时间间隔和所述第二时间间隔期间使得流经所述电阻式存储器单元的电流处于第一电流值保持不变；以及
在所述操作的第三时间间隔和第四时间间隔期间使得所述第一导线处的电压在所述第三时间间隔期间具有第三电压值并且在所述第四时间间隔期间具有第四电压值，所述第四电压值大于所述第三电压值，并且在所述第三时间间隔和所述第四时间间隔期间使得流经所述电阻式存储器单元的电流处于第二电流值保持不变，所述第二电流值大于所述第一电流值。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电阻式存储器单元在所述第一时间间隔之前具有第一电阻并且在所述第四时间间隔之后具有第二电阻，并且所述第二电阻的电阻值小于所述第一电阻的电阻值。


3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制单元用于：在所述电阻式存储器单元的电阻达到目标电阻值之后，执行改变施加到所述电阻式存储器单元的驱动电流的值的操作。


4.根据权利要求3所述的装置，还包括可变电阻器，所述可变电阻器耦合到所述第一导线。


5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制单元用于：
在所述第一时间间隔和所述第二时间间隔之间执行第一验证阶段，以确定所述电阻式存储器单元是否在目标电阻值范围内；
在所述第二时间间隔和所述第三时间间隔之间执行第二验证阶段，以确定所述电阻式存储器单元是否在所述目标电阻值范围内；以及
在所述第三时间间隔和所述第四时间间隔之间执行第三验证阶段，以确定所述电阻式存储器单元是否在所述目标电阻值范围内。


6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电压值基于第一电压脉冲的幅度，所述第二电压值基于第二电压脉冲的幅度，并且所述第一电压脉冲和所述第二电压脉冲具有不同的脉冲宽度。


7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电流值基于第一电流脉冲的幅度，所述第二电流值基于第二电流脉冲的幅度，并且所述第一电流脉冲和所述第二电流脉冲具有不同的脉冲宽度。


8.一种电子装置，包括：
第一导线；
第二导线；
电阻式存储器单元，所述电阻式存储器单元耦合在所述第一导线和所述第二导线之间；以及
控制单元，所述控制单元用于：
在将信息存储在所述电阻式存储器单元中的操作的第一时间间隔和第二时间间隔期间使得流经所述电阻式存储器单元的电流在所述第一时间间隔期间具有第一电流值并且在所述第二时间间隔期间具有第二电流值，所述第二电流值大于所述第一电流值，并且在所述第一时间间隔和所述第二时间间隔期间使得所述第一导线处的电压处于第一电压值保持不变；以及
在所述操作的第三时间间隔和第四时间间隔期间使得流经所述电阻式存储器单元的电流在所述第三时间间隔期间具有第三电流值并且在所述第四时间间隔期间具有第四电流值，所述第四电流值大于所述第三电流值，并且在所述第三时间间隔和所述第四时间间隔期间使得所述第一导线处的电压处于第二电压值保持不变，所述第二电压值大于所述第一电压值。


9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述电阻式存储器单元在所述第一时间间隔之前具有第一电阻并且在所述第四时间间隔之后具有第二电阻，并且所述第二电阻的电阻值大于所述第一电阻的电阻值。


10.根据权利要求8所述的装置，其中，所述控制单元用于：
在所述第一时间间隔和所述第二时间间隔之间执行第一验证阶段，以确定所述电阻式存储器单元是否在目标电阻值范围内；
在所述第二时间间隔和所述第三时间间隔之间执行第二阶段，以确定所述电阻式存储器单元是否在所述目标电阻值范围内；以及
在所述第三时间间隔和所述第四时间间隔之间执行第三验证阶段，以确定所述电阻式存储器单元是否在所述目标电阻值范...

【专利技术属性】
技术研发人员：普尔奇特·加印，乌姆特·阿斯兰，法提赫·哈姆佐格鲁，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US