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一些实施例包括具有电阻式存储器设备的装置以及在改变电阻式存储器设备的存储器单元的电阻的操作期间施加电压阶跃、电流阶跃和脉冲宽度阶跃的组合的方法。该装置还包括写入终止电路，该写入终止电路用于在对存储器单元执行的操作的特定时间期间限制提供给电阻...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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