电阻式存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可提升装置耐久度并降低位线错误率的电阻式存储器装置及其操作方法。此方法包括：对电阻式存储器装置的电阻式存储单元阵列中的至少一个存储单元执行具有第一增强偏压的设定操作，此第一增强偏压大于正常执行设定操作时使用的偏压；对存储单元执行热处理；以及对存储单元执行具有第二增强偏压的设定操作，此第二增强偏压大于等于前述第一增强偏压。

【技术实现步骤摘要】
电阻式存储器装置及其操作方法
本专利技术涉及一种存储器装置及其操作方法，尤其涉及一种电阻式存储器装置及其操作方法。
技术介绍
非易失性存储器具有存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此是许多电子产品维持正常操作所必备的存储元件。目前，电阻式随机存取存储器(resistiverandomaccessmemory，RRAM)是业界积极发展的一种非易失性存储器，其具有写入操作电压低、写入抹除时间短、存储时间长、非破坏性读取、多状态存储、结构简单以及所需面积小等优点，在未来个人电脑和电子设备上极具应用潜力。一般来说，电阻式存储器可根据所施加的脉冲电压大小及极性来改变丝状导电路径(filamentpath)。藉此将电阻值可逆且非挥发地设定为低电阻状态(lowresistancestate，LRS)或高电阻状态(highresistancestate，HRS)，以分别表示不同逻辑电平的存储数据。藉此，可依据不同电阻状态下产生的不同大小范围的读取电流，来读取数据。电阻式随机存取存储器单元在多次操作后有愈来愈高的机率会发生故障(fail)。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻式存储器装置的操作方法，所述方法包括下列步骤：/n对所述电阻式存储器装置的至少一存储单元执行具有第一增强偏压的设定操作，其中所述第一增强偏压大于正常执行所述设定操作时使用的偏压；/n对所述存储单元执行热处理；以及/n对所述存储单元执行具有第二增强偏压的设定操作，所述第二增强偏压大于等于所述第一增强偏压。/n

【技术特征摘要】
20190503 TW 1081154591.一种电阻式存储器装置的操作方法，所述方法包括下列步骤：
对所述电阻式存储器装置的至少一存储单元执行具有第一增强偏压的设定操作，其中所述第一增强偏压大于正常执行所述设定操作时使用的偏压；
对所述存储单元执行热处理；以及
对所述存储单元执行具有第二增强偏压的设定操作，所述第二增强偏压大于等于所述第一增强偏压。


2.根据权利要求1所述的方法，其中在对所述存储单元执行具有所述第一增强偏压的设定操作的步骤之前，所述方法还包括：
计算对所述存储单元执行重置操作时所产生的读取电流的初始变异；
在所述电阻式存储器装置的每一操作期间，判断对所述存储单元执行所述重置操作时所产生的读取电流是否大于第一预设电流；
若所述读取电流不大于所述第一预设电流，进行下一个操作，并重新判断对所述存储单元执行所述重置操作时所产生的所述读取电流是否大于所述第一预设电流；
若所述读取电流大于所述第一预设电流，提高所述重置操作所使用的偏压，并判断所述读取电流是否大于第二预设电流，其中所述第二预设电流大于所述第一预设电流；
若所述读取电流不大于所述第二预设电流，进行下一个操作，并重新判断对所述存储单元执行所述重置操作时所产生的所述读取电流是否大于所述第一预设电流；以及
若所述读取电流大于所述第二预设电流，计算当前对所述存储单元执行所述重置操作时所产生的读取电流的当前变异与所述初始变异的比值，并根据所述比值的大小，调整对所述存储单元执行所述设定操作所使用的偏压。


3.根据权利要求2所述的方法，其中根据所述比值的大小，调整对所述存储单元执行所述设定操作所使用的偏压的步骤包括：
若所述比值大于第一预设比值，将所述设定操作所使用的所述偏压的大小减少第一电压值；以及
若所述比值不大于所述第一预设比值且大于第二预设比值，将所述设定操作所使用的所述偏压的大小增加第二电压值，其中所述第二预设比值小于所述第一预设比值，且所述第二电压值小于所述第一电压值。


4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
若所述比值不大于所述第二预设比值，判断当前对所述存储单元执行所述设定操作时的所述设定电流的变异系数是否大于预设系数；以及
若所述变异系数大于所述预设系数，以调整后的所述偏压大小作为所述第一增强偏压的大小，对所述存储单元执行所述设定操作。


5.根据权利要求1所述的方法，其中对所述存储单元执行热处理的步骤包括：
使用比正常操作所使用偏压低的偏压以及比所述正常操作所使用的脉冲长度长的脉冲，对所述存储单元执行所述设定操作。


6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖绍憬，王炳琨，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71