一种气相填充床放电等离子体产生装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种气相填充床放电等离子体产生装置，包括等离子体反应器壳体、下密封端盖、上密封端盖、低压电极结构、高压电极结构和填充床。等离子体反应器壳体上下连接有上下密封端盖，上下密封端盖分别连接有高压电极结构和低压电极结构，高压电极结构包括高压螺杆、高压电极板、调整手轮、高压电源线和上绝缘介质板，低压电极结构包括接地电源线、低压螺杆、低压电极板和下绝缘介质板，填充床固定在下绝缘介质板上表面。本发明专利技术的装置可实现不同气体组分的介质阻挡放电，便于观察放电现象，能够实时测光谱，实现对吸附剂等材料的表面改性实验，实现不同气体环境中对液相污染物降解实验。

【技术实现步骤摘要】
一种气相填充床放电等离子体产生装置
本专利技术属于实验设备领域，具体涉及一种气相填充床放电等离子体产生装置。
技术介绍
介质阻挡放电结构简单，操作方便且能够产生大面积的等离子体区域和丰富的活性物种，被广泛的应用于污染物降解和材料表面改性，即在放电间隙内放入待处理样品。在对材料进行表面改性时，现在有的技术中通常是将需要改性的材料直接放置在下绝缘介质板上，在大气环境中进行改性，忽略了材料在放电区域的固定，造成改性处理不均匀的现象，且目前的介质阻挡放电对于多种气体环境的放电欠缺，现有的技术则是直接在绝缘介质板之间直接连接通气管道，气流在绝缘介质板内流速不均匀，进而影响放电情况，影响材料的改性效果。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种气相填充床放电等离子体产生装置，主要用于材料的改性和污染物的降解处理。本专利技术的技术方案：一种气相填充床放电等离子体产生装置，包括等离子体反应器壳体1、下密封端盖2、上密封端盖6、低压电极结构3、高压电极结构7和填充床8。所述的等离子体反应器壳体1为上下开口的筒体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气相填充床放电等离子体产生装置，其特征在于，所述的气相填充床放电等离子体产生装置包括等离子体反应器壳体(1)、下密封端盖(2)、上密封端盖(6)、低压电极结构(3)、高压电极结构(7)和填充床(8)；/n所述的等离子体反应器壳体(1)为上下开口的筒体结构，其上部设有进气口(11)，其下部设有出气口(12)；所述的下密封端盖(2)和上密封端盖(6)分别与等离子体反应器壳体(1)的上下两端螺纹连接，实现密封；所述的下密封端盖(2)和上密封端盖(6)的中心均设有通孔，所述的高压电极结构(7)和低压电极结构(3)分别通过下密封端盖(2)和上密封端盖(6)的中心通孔插入等离子体反应器壳体(1)中...

【技术特征摘要】
1.一种气相填充床放电等离子体产生装置，其特征在于，所述的气相填充床放电等离子体产生装置包括等离子体反应器壳体(1)、下密封端盖(2)、上密封端盖(6)、低压电极结构(3)、高压电极结构(7)和填充床(8)；
所述的等离子体反应器壳体(1)为上下开口的筒体结构，其上部设有进气口(11)，其下部设有出气口(12)；所述的下密封端盖(2)和上密封端盖(6)分别与等离子体反应器壳体(1)的上下两端螺纹连接，实现密封；所述的下密封端盖(2)和上密封端盖(6)的中心均设有通孔，所述的高压电极结构(7)和低压电极结构(3)分别通过下密封端盖(2)和上密封端盖(6)的中心通孔插入等离子体反应器壳体(1)中；
所述的高压电极结构(7)包括上绝缘介质板(5)、高压螺杆(73)、调整手轮(71)、高压电源线(72)和高压电极板(74)；所述的高压螺杆(73)与上密封端盖(6)的中心通孔螺纹连接，调整手轮(71)与高压螺杆(73)的顶端固定连接，高压电极板(74)与高压螺杆(73)的底端螺纹连接，调整手轮(71)位于等离子体反应器壳体(1)外部，高压电极板(74)位于等离子体反应器壳体(1)内部，旋转调整手轮(71)可以升降高压电极结构(7)，从而调节高压电极板(74)与低压电极板(33)之间的间隙大小；所述的高压电源线(72)与高压螺杆(73)和外部高压电源连接，位于等离子体反应器壳体(1)外部；所述的上绝缘介质板(5)固定在高压电极板(74)的下表面；
所述的低压电极结构(3)包括下绝缘介质板(4)、接地电源线(31)、低压电极板(33)和低压螺杆(32)；所述的低压螺杆(32)与下密封端盖(2)的中心通孔螺纹连接；所述的低压电极板(33)与低压螺杆(32)的顶端螺纹连接，位于等离子体反应器壳体(1)内部；所述的接地电源线(31)与低压螺杆(32)连接，位于等离子体反应器壳体(1)外部...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐庆南，杨德正，王红丽，周雄峰，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21