非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺，包括Al

【技术实现步骤摘要】
非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺
本专利技术涉及水氧检测设备
，具体为非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺。
技术介绍
红外传感器水汽透过率法测试原理，将制备好的样品夹于测试腔中，有一定相对湿度的氮气在薄膜的一侧流动，干燥氮气在薄膜的另一侧流动；在湿度梯度的推动下，水蒸气会从高湿侧穿过薄膜扩散到低湿侧；在低湿侧，透过的水蒸气被流动的干燥氮气送至红外传感器，进入传感器时会产生同比例的电信号，通过对传感器电信号的分析计算，从而得出试样的水蒸气透过率等参数，但是这一方法测试WVTR的范围最低只有10-2-10-3g/m2/24h，对于OLED器件来说，水汽透过率很大程度上决定其寿命，精确度更高的测量方法格外重要，一般需要达到10-6g/m2/24h，上述的红外传感器的无法满足OLED器件测试的需求，因此需要采用更精确的WVTR测试方法检测薄膜封装的效果。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种精度高的非接触式薄膜水氧透过性能测试装置及其生产工艺，解决了上述背景技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，其特征在于：包括Al

【技术特征摘要】
1.非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，其特征在于：包括Al2O3基板，在Al2O3基板上生长无掺杂的u-GaN缓冲层，所述u-GaN缓冲层上生长Si掺杂的n-GaN外延层，所述n-GaN外延层上生长In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱层，所述In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱层上依次蒸镀有机红光材料层和空穴传输层，所述空穴传输层设置有电极。


2.根据权利要求1所述的非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，其特征在于：所述u-GaN缓冲层的生长温度为500-550℃，所述u-GaN缓冲层的厚度为5μm。


3.根据权利要求1所述的非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，其特征在于：所述n-GaN外延层的生长温度为1200℃，所述n-GaN层的厚度为3μm。


4.根据权利要求1所述的非接触式薄膜水氧透过性能测试装置，其特征在于：所述In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱层的生长温度为700-750℃，生长周期为8-9个周期，所述In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱层的InGaN量子阱层厚度为3nm，所述In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱层的GaN量子垒层厚度为11.5nm。


5.非接触式...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏斌，陈果，孙阿辉，庞玉东，
申请(专利权)人：绍兴秀朗光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33