发光器件制造技术

本公开提供了一种发光器件，包括：第一电极；第一发光层，其位于所述第一电极的一侧；N‑CGL层，其位于所述第一发光层远离所述第一电极的一侧；P‑CGL层，其位于所述N‑CGL层远离所述第一发光层的一侧；第二发光层，其位于所述P‑CGL层远离所述N‑CGL层的一侧；以及第二电极，其位于所述第二发光层远离所述P‑CGL层的一侧，其中，所述N‑CGL层的主体材料的最低未占分子轨道能级低于或等于‑2.9，玻璃化温度大于130℃。

【技术实现步骤摘要】
发光器件
本公开涉及显示
，具体地说，涉及一种发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件(OLED)同时具备全固态、白发光、响应速度块、视角广泛、工作温度范围广等一系列优点，受到越来越多的学界和产业界的关注。经过多年不断的积极探索，器件的结构和工艺的以及相关材料的进一步优化，有机电致发光已经取得了长足进步，目前已经实现了产业化。
技术实现思路
本公开提供了一种发光器件，包括：第一电极；第一发光层，其位于所述第一电极的一侧；N-CGL层，其位于所述第一发光层远离所述第一电极的一侧；P-CGL层，其位于所述N-CGL层远离所述第一发光层的一侧；第二发光层，其位于所述P-CGL层远离所述N-CGL层的一侧；以及第二电极，其位于所述第二发光层远离所述P-CGL层的一侧，其中，所述N-CGL层的主体材料的最低未占分子轨道能级低于或等于-2.9，玻璃化温度大于130℃。可选地，所述N-CGL层的客体材料的掺杂浓度在0.8％-1.2％范围内。可选地，所述N-CGL层的客体材料的掺杂浓度为1％。可选地，所述客体材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，包括：/n第一电极；/n第一发光层，其位于所述第一电极的一侧；/nN-CGL层，其位于所述第一发光层远离所述第一电极的一侧；/nP-CGL层，其位于所述N-CGL层远离所述第一发光层的一侧；/n第二发光层，其位于所述P-CGL层远离所述N-CGL层的一侧；以及/n第二电极，其位于所述第二发光层远离所述P-CGL层的一侧，/n其中，所述N-CGL层的主体材料的最低未占分子轨道能级低于或等于-2.9，玻璃化温度大于130℃。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：
第一电极；
第一发光层，其位于所述第一电极的一侧；
N-CGL层，其位于所述第一发光层远离所述第一电极的一侧；
P-CGL层，其位于所述N-CGL层远离所述第一发光层的一侧；
第二发光层，其位于所述P-CGL层远离所述N-CGL层的一侧；以及
第二电极，其位于所述第二发光层远离所述P-CGL层的一侧，
其中，所述N-CGL层的主体材料的最低未占分子轨道能级低于或等于-2.9，玻璃化温度大于130℃。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述N-CGL层的客体材料的掺杂浓度在0.8％-1.2％范围内。


3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述N-CGL层的客体材料的掺杂浓度为1％。


4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述客体材料包括Yb、Cs、Li中的任意一种。


5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述N-CGL层的厚度在100埃-250埃之间。...

【专利技术属性】
技术研发人员：景姝，杜小波，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11