非接触式薄膜水氧透过性能测试方法技术

本发明专利技术提供一种非接触式薄膜水氧透过性能测试方法，在发光器件的Al电极和Al

【技术实现步骤摘要】
非接触式薄膜水氧透过性能测试方法
本专利技术涉及水氧检测方法
，具体为非接触式薄膜水氧透过性能测试方法。
技术介绍
红外传感器水汽透过率法测试原理，将制备好的样品夹于测试腔中，有一定相对湿度的氮气在薄膜的一侧流动，干燥氮气在薄膜的另一侧流动；在湿度梯度的推动下，水蒸气会从高湿侧穿过薄膜扩散到低湿侧；在低湿侧，透过的水蒸气被流动的干燥氮气送至红外传感器，进入传感器时会产生同比例的电信号，通过对传感器电信号的分析计算，从而得出试样的水蒸气透过率等参数，但是这一方法测试WVTR的范围最低只有10-2-10-3g/m2/24h，对于OLED器件来说，水汽透过率很大程度上决定其寿命，精确度更高的测量方法格外重要，一般需要达到10-6g/m2/24h，上述的红外传感器的无法满足OLED器件测试的需求，因此需要采用更精确的WVTR测试方法检测薄膜封装的效果。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种精度高的非接触式薄膜水氧透过性能测试方法，解决了上述
技术介绍
中提出的问题。(二)技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.非接触式薄膜水氧透过性能测试方法，其特征在于：包括如下步骤，/n(1)先在500～550℃的温度下于Al

【技术特征摘要】
1.非接触式薄膜水氧透过性能测试方法，其特征在于：包括如下步骤，
(1)先在500～550℃的温度下于Al2O3基板上低温生长一层厚度约5μm的无掺杂的u-GaN；
(2)升温至约1200℃，生长厚度约3μm的Si掺杂的n-GaN外延层；
(3)再将温度降至700～750℃，生长8～9个周期的In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱层，其中InGaN量子阱层厚度约3nm，GaN量子垒层厚度约11.5nm，最后再经高温退火炉在～1000℃下进行退火处理，得到蓝光LED基板；
(4)将需要蒸镀在蓝光LED基板上的各种药品放在蒸镀舱的舟源或坩埚源上，将处理好的蓝光LED基板放入蒸镀舱中的掩膜版上，关紧蒸镀室舱门并抽真空，当蒸镀舱内真空度达到10-5mbar以下时开始蒸镀，蒸镀前对蒸镀材料对应的舟源或坩埚源进行预热，达到一定温度和合适速率后开始蒸镀，控制电流使得有机物的的蒸镀速率在根据这个步骤依次在蓝光LED基板上蒸镀一层有机红光材料和一层MoO...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙阿辉，魏斌，陈果，庞玉东，
申请(专利权)人：绍兴秀朗光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33