发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种发光元件，其包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一焊垫位于半导体叠层上；一第二焊垫位于半导体叠层上，与第一焊垫相隔一距离，并于半导体叠层上定义出一区域位于第一焊垫与第二焊垫之间；以及多个孔部穿过活性层以裸露第一半导体层，其中于发光元件的上视图上，第一焊垫及第二焊垫形成于多个孔部以外的区域。

【技术实现步骤摘要】
发光元件本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201510794248.4，申请日：2015年11月18日，专利技术名称：发光元件)的分案申请。
本专利技术涉及一种发光元件，且特别是涉及一种发光元件，其包含一半导体叠层及一焊垫位于半导体叠层上。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode,LED)为固态半导体发光元件，其优点为功耗低，产生的热能低，工作寿命长，防震，体积小，反应速度快和具有良好的光电特性，例如稳定的发光波长。因此发光二极管被广泛应用于家用电器，设备指示灯，及光电产品等。
技术实现思路
一发光元件包含一半导体叠层具有一第一半导体层，一第二半导体层，以及一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；一第一焊垫位于半导体叠层上；一第二焊垫位于半导体叠层上，其中第一焊垫与第二焊垫相隔一距离，并于半导体叠层上定义出一区域位于第一焊垫与第二焊垫之间；以及多个孔部穿过活性层以裸露第一半导体层，其中于发光元件的上视图上，第一焊垫及第二焊垫形成于多个孔部位置以外的区域。一发光元件包含一半导体叠层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：/n基板，具有中心线；/n半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；/n多个孔部，穿过该第二半导体层及该活性层以裸露该第一半导体层；/n反射结构，覆盖该第二半导体层；/n接触层，覆盖该多个孔部并延伸覆盖于该第二半导体层上；/n第三绝缘层，形成于该半导体叠层上，包含第一群组的第三绝缘层开口以及第二群组的第三绝缘层开口，其中该第一群组的第三绝缘层开口靠近该基板的该中心线的一侧，该第二群组的第三绝缘层开口靠近该基板的该中心线的另一侧；/n第一焊垫，位于该半导体叠层上，通过该第一群组的第三绝缘层开口与该第一半导体层...

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：
基板，具有中心线；
半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；
多个孔部，穿过该第二半导体层及该活性层以裸露该第一半导体层；
反射结构，覆盖该第二半导体层；
接触层，覆盖该多个孔部并延伸覆盖于该第二半导体层上；
第三绝缘层，形成于该半导体叠层上，包含第一群组的第三绝缘层开口以及第二群组的第三绝缘层开口，其中该第一群组的第三绝缘层开口靠近该基板的该中心线的一侧，该第二群组的第三绝缘层开口靠近该基板的该中心线的另一侧；
第一焊垫，位于该半导体叠层上，通过该第一群组的第三绝缘层开口与该第一半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的该侧；以及
第二焊垫，位于该半导体叠层上，通过该第二群组的第三绝缘层开口与该第二半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的该另一侧，该第二焊垫与该第一焊垫相隔一距离。


2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第二群组的第三绝缘层开口暴露出该反射结构。


3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昭兴，王佳琨，曾咨耀，胡柏均，蒋宗勋，庄文宏，李冠亿，林昱伶，沈建赋，柯淙凯，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71