一种有机发光二极管显示面板封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种有机发光二极管显示面板封装结构及其形成方法，该方法包括以下步骤：将承载基底定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，在所述承载基底上沉积无机缓冲层、栅极单元、栅极介质层、有源单元以及层间绝缘层，在所述层间绝缘层中形成源极接触孔和漏极接触孔，在所述边缘非显示区域的四个角落处的所述层间绝缘层中形成第一、第二、第三沟槽并在其四条边的中间区域的所述层间绝缘层中形成第四、第五沟槽，接着形成源电极、漏电极、第一T型凸块、第二T型凸块，接着在所述层间绝缘层上形成平坦化介质层，接着在所述平坦化介质层上形成有机发光二极管。

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光二极管显示面板封装结构及其形成方法
本专利技术涉及显示面板封装
，特别是涉及一种有机发光二极管显示面板封装结构及其形成方法。
技术介绍
有机发光二极管具有既薄又轻、主动发光、宽视角、快速响应、能耗低、低温和抗震性能优异以及潜在的柔性设计等优点。有机发光二极管为全固态器件，无真空腔，无液态成分，所以不怕震动，使用方便，加上高分辨力、视角宽和工作温度范围宽等特点，在武器装备和恶劣环境领域将会得到广泛应用。其中，有机发光二极管作为显示领域的平面背光源和照明光源应用，即有机发光二极管显示面板。然而现有的有机发光二极管显示面板在使用过程中，容易出现平坦化介质层剥离现象，目前，为了防止平坦化介质层剥离，通常是在层间绝缘层中设置通孔，进而将平坦化介质层嵌入到层间绝缘层中，然而上述技术手段无法有效防止有机发光二极管显示面板的边缘以及角落处的剥离。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种有机发光二极管显示面板封装结构及其形成方法。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种有机发光二极管显示面板封装结构的形成方法，包括以下步骤：(1)提供一承载基底，将所述承载基底定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域。(2)接着在所述承载基底上沉积无机缓冲层。(3)接着在所述无机缓冲层上沉积栅极材料层，并通过图案化工艺形成多个栅极单元。(4)接着在多个所述栅极单元上沉积栅极介质层。(5)接着在所述栅极介质层上沉积有源材料层，并通过图案化工艺形成多个有源单元，每个所述有源单元位于相应的所述栅极单元的正上方，每个所述有源单元包括源极区、沟道区和漏极区。(6)接着在多个所述有源单元上沉积层间绝缘层，接着在所述层间绝缘层中形成源极接触孔和漏极接触孔。(7)接着对位于所述边缘非显示区域的四个角落处的所述层间绝缘层进行刻蚀处理，以形成第一沟槽，接着在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着在所述第二沟槽的底部形成第三沟槽，同时对位于所述边缘非显示区域的四条边的中间区域的所述层间绝缘层进行刻蚀处理以形成第四沟槽，接着在所述第四沟槽的底部形成第五沟槽。(8)接着在所述源极接触孔和所述漏极接触孔中沉积导电材料以分别形成源电极和漏电极。(9)接着在所述层间绝缘层上形成第一掩膜，所述第一掩膜暴露部分的所述第一沟槽、部分的所述第二沟槽以及全部的所述第三沟槽，接着沉积金属材料以形成第一T型凸块，接着去除所述第一掩膜。(10)接着在所述层间绝缘层上形成第二掩膜，所述第二掩膜暴露部分的所述第四沟槽以及全部的所述第五沟槽，接着沉积金属材料以形成第二T型凸块，接着去除所述第二掩膜。(11)接着在所述层间绝缘层上形成平坦化介质层，所述平坦化介质层覆盖所述层间绝缘层、所述源电极、所述漏电极、所述第一T型凸块以及所述第二T型凸块，且所述平坦化介质层的一部分嵌入到所述第一沟槽、所述第二沟槽以及所述第四沟槽中。(12)接着在所述平坦化介质层上形成与所述漏电极电连接的像素电极。(13)接着在所述像素电极上形成像素限定层，所述像素限定层具有限定出像素区的开口，所述开口暴露所述像素电极。(14)接着在所述开口中形成有机发光层，接着在所述有机发光层上形成公共电极。作为优选，在所述步骤(1)中，所述承载基底的材质是玻璃、陶瓷、塑料、不锈钢、蓝宝石、石英中的一种。作为优选，在所述步骤(2)中，所述无机缓冲层的材质为氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的一种或多种。作为优选，在所述步骤(7)中，所述第一沟槽的深度与所述第四沟槽的深度相同，所述第二沟槽的深度与所述第五沟槽的深度相同，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度，所述第三沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度，所述第五沟槽的宽度小于所述第四沟槽的宽度。作为优选，在所述步骤(9)中，所述第一T型凸块的顶表面高于所述层间绝缘层的上表面，所述第一T型凸块与所述第一沟槽的侧壁和所述第二沟槽的侧壁之间分别具有第一孔隙和第二孔隙，所述第一孔隙的宽度大于所述第二孔隙的宽度。作为优选，在所述步骤(10)中，所述第二T型凸块的顶表面高于所述层间绝缘层的上表面，所述第二T型凸块与所述第四沟槽的侧壁之间具有第三孔隙。作为优选，在所述步骤(11)中，所述平坦化介质层的材料为环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯硫醚树脂以及苯丙环丁烯中的一种或多种。作为优选，在所述步骤(13)中，所述像素限定层与所述平坦化介质层的材质相同。本专利技术还提出一种有机发光二极管显示面板封装结构，其采用上述方法形成的。本专利技术与现有技术相比具有下列优点：在本专利技术的有机发光二极管显示面板封装结构的形成方法中，由于有机发光二极管显示面板封装结构的四个角落处相对于边缘区域或其它区域更容易导致平坦化介质层剥离，本申请通过对位于所述边缘非显示区域的四个角落处的所述层间绝缘层进行刻蚀处理，以形成第一沟槽，接着在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着在所述第二沟槽的底部形成第三沟槽，进而利用掩膜在所述第一、第二、第三沟槽中形成第一T型凸块，所述第一T型凸块与所述第一、第二沟槽之间存在孔隙，进而使得部分平坦化介质层嵌入到所述孔隙中以形成台阶型结构，上述结构的设置可以提高平坦化介质层的稳固性，防止其在角落处发生剥离。同时对位于所述边缘非显示区域的四条边的中间区域的所述层间绝缘层进行刻蚀处理以形成第四沟槽，接着在所述第四沟槽的底部形成第五沟槽，进而利用掩膜在所述第四、第五沟槽中形成第二T型凸块，一方面可以确保边缘区域的平坦化介质层不易剥离，另一方面降低了工艺复杂度，根据剥离的难易程度，而选择形成不同的沟槽结构，确保整个有机发光二极管显示面板封装结构不发生剥离，延长其使用寿命的同时，一定程度上降低了生产成本。附图说明图1-图8为本专利技术的有机发光二极管显示面板封装结构的形成方法中的结构示意图。具体实施方式为了更好的理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。应当明确，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本专利技术。在本专利技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。应当理解，尽管在本专利技术实施例中可能采用术语第一、第二等来描述半导体芯片，但这些半导体芯片不应限于这些术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示面板封装结构的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)提供一承载基底，将所述承载基底定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域；/n(2)接着在所述承载基底上沉积无机缓冲层；/n(3)接着在所述无机缓冲层上沉积栅极材料层，并通过图案化工艺形成多个栅极单元；/n(4)接着在多个所述栅极单元上沉积栅极介质层；/n(5)接着在所述栅极介质层上沉积有源材料层，并通过图案化工艺形成多个有源单元，每个所述有源单元位于相应的所述栅极单元的正上方，每个所述有源单元包括源极区、沟道区和漏极区；/n(6)接着在多个所述有源单元上沉积层间绝缘层，接着在所述层间绝缘层中形成源极接触孔和漏极接触孔；/n(7)接着对位于所述边缘非显示区域的四个角落处的所述层间绝缘层进行刻蚀处理，以形成第一沟槽，接着在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着在所述第二沟槽的底部形成第三沟槽，同时对位于所述边缘非显示区域的四条边的中间区域的所述层间绝缘层进行刻蚀处理以形成第四沟槽，接着在所述第四沟槽的底部形成第五沟槽；/n(8)接着在所述源极接触孔和所述漏极接触孔中沉积导电材料以分别形成源电极和漏电极；/n(9)接着在所述层间绝缘层上形成第一掩膜，所述第一掩膜暴露部分的所述第一沟槽、部分的所述第二沟槽以及全部的所述第三沟槽，接着沉积金属材料以形成第一T型凸块，接着去除所述第一掩膜；/n(10)接着在所述层间绝缘层上形成第二掩膜，所述第二掩膜暴露部分的所述第四沟槽以及全部的所述第五沟槽，接着沉积金属材料以形成第二T型凸块，接着去除所述第二掩膜；/n(11)接着在所述层间绝缘层上形成平坦化介质层，所述平坦化介质层覆盖所述层间绝缘层、所述源电极、所述漏电极、所述第一T型凸块以及所述第二T型凸块，且所述平坦化介质层的一部分嵌入到所述第一沟槽、所述第二沟槽以及所述第四沟槽中；/n(12)接着在所述平坦化介质层上形成与所述漏电极电连接的像素电极；/n(13)接着在所述像素电极上形成像素限定层，所述像素限定层具有限定出像素区的开口，所述开口暴露所述像素电极；/n(14)接着在所述开口中形成有机发光层，接着在所述有机发光层上形成公共电极。/n...

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示面板封装结构的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)提供一承载基底，将所述承载基底定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域；
(2)接着在所述承载基底上沉积无机缓冲层；
(3)接着在所述无机缓冲层上沉积栅极材料层，并通过图案化工艺形成多个栅极单元；
(4)接着在多个所述栅极单元上沉积栅极介质层；
(5)接着在所述栅极介质层上沉积有源材料层，并通过图案化工艺形成多个有源单元，每个所述有源单元位于相应的所述栅极单元的正上方，每个所述有源单元包括源极区、沟道区和漏极区；
(6)接着在多个所述有源单元上沉积层间绝缘层，接着在所述层间绝缘层中形成源极接触孔和漏极接触孔；
(7)接着对位于所述边缘非显示区域的四个角落处的所述层间绝缘层进行刻蚀处理，以形成第一沟槽，接着在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着在所述第二沟槽的底部形成第三沟槽，同时对位于所述边缘非显示区域的四条边的中间区域的所述层间绝缘层进行刻蚀处理以形成第四沟槽，接着在所述第四沟槽的底部形成第五沟槽；
(8)接着在所述源极接触孔和所述漏极接触孔中沉积导电材料以分别形成源电极和漏电极；
(9)接着在所述层间绝缘层上形成第一掩膜，所述第一掩膜暴露部分的所述第一沟槽、部分的所述第二沟槽以及全部的所述第三沟槽，接着沉积金属材料以形成第一T型凸块，接着去除所述第一掩膜；
(10)接着在所述层间绝缘层上形成第二掩膜，所述第二掩膜暴露部分的所述第四沟槽以及全部的所述第五沟槽，接着沉积金属材料以形成第二T型凸块，接着去除所述第二掩膜；
(11)接着在所述层间绝缘层上形成平坦化介质层，所述平坦化介质层覆盖所述层间绝缘层、所述源电极、所述漏电极、所述第一T型凸块以及所述第二T型凸块，且所述平坦化介质层的一部分嵌入到所述第一沟槽、所述第二沟槽以及所述第四沟槽中；
(12)接着在所述平坦化介质层上形成与所述漏电极电连接的像素电极；
(13)接着在所述像素电极上形成像素限定层，所述像素限定层具有限定出像素区的开口，所述开口暴露所述像素电极；
(14)接着在所述开口中形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐扬，宋文博，张雅萍，
申请(专利权)人：张家港市鸿嘉数字科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32