柔性面板及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种柔性面板及其制备方法。柔性面板依次包括基板、薄膜晶体管层、以及有机发光二极管层。薄膜晶体管层包括薄膜晶体管，薄膜晶体管中源极、漏极和栅极为共平面结构。有机发光二极管层包括有机发光二极管。柔性面板的制备方法包括：在基板上方形成薄膜晶体管层，其中，薄膜晶体管层包括薄膜晶体管，薄膜晶体管中源极、漏极和栅极为共平面结构；在薄膜晶体管层上方形成有机发光二极管层，其中，有机发光二极管层包括有机发光二极管。柔性面板中，TFT采用源漏栅共平面结构，节省一道金属光罩，可减少一道金属M1层和M2层间隔绝层ILD CVD制程，节约成本；阻挡膜采用SiNx、SiO

【技术实现步骤摘要】
柔性面板及其制备方法
本专利技术涉及半导体电子器件领域，更为具体来说，本专利技术涉及一种柔性面板及其制备方法。
技术介绍
对于柔性顶栅铟镓锌氧化物(IGZO：IndiumGalliumZincOxide)薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)驱动的顶发射有机发光二极管OLED产品，其CVDSiO2膜层多。图1为一个示例提供的一种现有的柔性顶栅IGZOTFT面板的结构示意图。现有技术是先做金属M1层150(栅极G)再做隔绝(ILD)层130(源极S和漏极D)再做金属M2层160。如图1所示，在缓冲(buffer)层110、栅极绝缘(GI)层120、ILD层130和钝化(PV)层140中都有用CVD方式沉积的SiO2膜层，而SiO2为压应力，多层叠加时容易出现翘曲，翘曲太大时，影响机台对位，且影响后段蒸镀和LLO等制程进行贴合，因此，需要调试制程，减少应力，改善翘曲。且顶栅IGZOTFT流程膜层多，光罩多，花费大。通常SiNx膜层防水汽能力较好，且表现为张应力，与SiO2应力方向相反，增加SiNx膜层的厚度，有利于改善翘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性面板，其特征在于，依次包括基板、薄膜晶体管层、以及有机发光二极管层，其中，/n所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中源极、漏极和栅极为共平面结构，所述有机发光二极管层包括有机发光二极管。/n

【技术特征摘要】
1.一种柔性面板，其特征在于，依次包括基板、薄膜晶体管层、以及有机发光二极管层，其中，
所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中源极、漏极和栅极为共平面结构，所述有机发光二极管层包括有机发光二极管。


2.根据权利要求1所述的柔性面板，其特征在于，还包括位于所述基板和所述薄膜晶体管层之间的阻挡膜，所述阻挡膜依次包括SiNx层、SiOx层、SiNx层和Al2O3层。


3.根据权利要求1所述的柔性面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括遮光层、包裹所述遮光层的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、以及位于所述栅极绝缘层上方的源极、漏极和栅极层、以及包裹所述有源层、所述栅极绝缘层、以及所述源极、漏极和栅极层的钝化层。


4.根据权利要求3所述的柔性面板，其特征在于，所述缓冲层包括SiNx层和SiOx层。


5.根据权利要求3或4所述的柔性面板，其特征在于，所述有机发光二极管层包括平坦层和在所述平坦层上方的像素定义层、位于所述平坦层和所述像素定义层之间的所述有机发光二极管的第一电极、以及位于所述像素定义层上方的所述有机发光二极管的第二电极，其中，
所述第一电极通过所述平坦层中的过孔和所述钝化层上部的洞与所述源极相连，通过所述像素定义层中的开口露出。


6.一种柔性面板的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上方形成薄膜晶体管层，其中，所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管中源极、漏极和栅极为共平面结构；
在所述薄膜晶体管层上方形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘方梅，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44