【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制备方法
本申请涉及显示
,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(organiclightemittingdiode,OLED)具有自发光性、应答速度快、广视角等特点,应用前景广阔。对于蒸镀AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode,主动式有机发光二极体)来讲,蒸镀材料到达像素区膜厚均匀性好,对像素区基底平坦度的要求相对较松,而IJP(InkJetPrinting,喷墨印刷)工艺的AMOLED的ink(油墨)打印到像素区是流动的,ink铺展性的主要影响因素之一是像素区基底的平坦度,要求整个像素区最大段差越小越好,超过该规格时ink的铺展性不均,则烘干后膜厚不均,最终影响发光效果,因此IJP-AMOLED的平坦化层(PlanarizationLayer,PLN)的平坦能力有了更苛刻的要求。PLN是有机感光材料,目前的应对方案是PLN膜层的加厚,段差越大需要越厚的PLN,所以存在的问题及可能的风险:1、PLN的一次平 ...
【技术保护点】
1.一种OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板包括:/nTFT阵列基板,所述TFT阵列基板具有多个像素区,所述像素区包括发光区以及围绕所述发光区的限定区,所述TFT阵列基板表面还具有至少一个凸起部,所述凸起部对应所述发光区;/n钝化层,制备于所述TFT阵列基板表面并完全覆盖所述凸起部;/n平坦化层,制备于所述钝化层上,所述平坦化层具有第一平坦部以及第二平坦部,所述第一平坦部具有凹凸不平的表面且对应所述发光区,所述第二平坦部与所述第一平坦部的边缘两端相接触且对应所述限定区以及部分所述发光区,所述第一平坦部的厚度小于所述第二平坦部的厚度;/n平坦化补偿层,制备于所述 ...
【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板包括:
TFT阵列基板,所述TFT阵列基板具有多个像素区,所述像素区包括发光区以及围绕所述发光区的限定区,所述TFT阵列基板表面还具有至少一个凸起部,所述凸起部对应所述发光区;
钝化层,制备于所述TFT阵列基板表面并完全覆盖所述凸起部;
平坦化层,制备于所述钝化层上,所述平坦化层具有第一平坦部以及第二平坦部,所述第一平坦部具有凹凸不平的表面且对应所述发光区,所述第二平坦部与所述第一平坦部的边缘两端相接触且对应所述限定区以及部分所述发光区,所述第一平坦部的厚度小于所述第二平坦部的厚度;
平坦化补偿层,制备于所述第一平坦部上,所述平坦化补偿层的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度与所述第二平坦部的表面距离所述TFT阵列基板表面的高度平齐;
阳极金属层,制备于所述第二平坦部以及所述平坦化补偿层上;
像素限定层,制备于所述第二平坦部上并覆盖部分所述阳极金属层;
有机发光层,制备于所述阳极金属层上且对应所述发光区。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述平坦化补偿层由有机墨水经喷墨打印工艺制备而成。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述平坦化层的材料为疏水性的有机材料。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阳极金属层为三层ITO/Ag/ITO导电层或者单层ITO透射型导电层。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述TFT阵列基板为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化型薄膜晶体管以及固相结晶多晶硅薄膜晶体管中的任意一种。
6.一种OLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
S10,提供TFT阵列基板,所述TFT阵列基板具有多个像素区,所述像素区包...
【专利技术属性】
技术研发人员:唐甲,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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