一种显示面板及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种显示面板及其形成方法，该方法包括以下步骤：将基板定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，在所述基板上沉积缓冲层、有源单元、栅极介质层、栅极单元、二氧化硅层间层、源电极和漏电极，在所述边缘非显示区域的四个角落处以及四条边的中间区域的所述二氧化硅层间层分别形成第一至第五沟槽，并对其进行粗糙化处理，接着形成第一、第二、第三SiO

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其形成方法
本专利技术涉及显示面板
，特别是涉及一种显示面板及其形成方法。
技术介绍
有机发光二极管具有既薄又轻、主动发光、宽视角、快速响应、能耗低、低温和抗震性能优异以及潜在的柔性设计等优点。有机发光二极管为全固态器件，无真空腔，无液态成分，所以不怕震动，使用方便，加上高分辨力、视角宽和工作温度范围宽等特点，在武器装备和恶劣环境领域将会得到广泛应用。其中，有机发光二极管作为显示领域的平面背光源和照明光源应用，即有机发光二极管显示面板。然而现有的有机发光二极管显示面板在使用过程中，容易出现平坦化介质层剥离现象，目前，为了防止平坦化介质层剥离，通常是在层间绝缘层中设置通孔，进而将平坦化介质层嵌入到层间绝缘层中，然而上述技术手段无法有效防止有机发光二极管显示面板的边缘以及角落处的剥离。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种显示面板及其形成方法。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种显示面板的形成方法，包括以下步骤：(1)提供一基板，将所述基板定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域。(2)接着在所述基板上沉积缓冲层。(3)接着在所述无机缓冲层上沉积沉积有源材料层，并通过图案化工艺形成多个有源单元，每个所述有源单元包括源极区、沟道区和漏极区。(4)接着在多个所述有源单元上沉积栅极介质层。(5)接着在所述栅极介质层上沉积栅极材料层，并通过图案化工艺形成多个栅极单元，每个所述栅极单元位于相应的所述有源单元的正上方。(6)接着在所述栅极介质层以及所述栅极单元上沉积二氧化硅层间层，接着在所述二氧化硅层间层中形成源极接触孔和漏极接触孔。(7)接着在所述源极接触孔和所述漏极接触孔中沉积导电材料以分别形成源电极和漏电极。(8)接着对位于所述边缘非显示区域的四个角落处的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理，以形成第一沟槽，接着在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着在所述第二沟槽的底部形成第三沟槽，同时对位于所述边缘非显示区域的四条边的中间区域的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理以形成第四沟槽，接着在所述第四沟槽的底部形成第五沟槽，接着对所述二氧化硅层间层的上表面以及所述第一、第二、第三、第四、第五沟槽的侧壁和底面进行粗糙化处理。(9)接着利用掩膜在所述第一、第二、第三沟槽中多次交替旋涂含有SiO2纳米线的分散液以及含有有机树脂的溶液，以形成第一SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构，所述第一SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构填满所述第一、第二、第三沟槽。(10)接着利用掩膜在所述第四、第五沟槽中多次交替旋涂含有SiO2纳米线的分散液以及含有有机树脂的溶液，以形成第二SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构，所述第二SiO2米线以及有机树脂层叠结构填满所述第四、第五沟槽。(11)接着在所述二氧化硅层间层上依次旋涂含有SiO2纳米线的分散液以及含有有机树脂的溶液，以形成第三SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构。(12)接着对所述第一、第二、第三SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构进行刻蚀处理，以在所述第一、第三SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构中形成第一凹陷区，并在所述第二、第三SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构中形成第二凹陷区。(13)接着在所述二氧化硅层间层上形成平坦化层，所述平坦化层覆盖所述二氧化硅层间层、所述源电极以及所述漏电极，且所述平坦化层的一部分嵌入到所述第一凹陷区以及所述第二凹陷区中。(14)接着在所述平坦化层上形成与所述漏电极电连接的像素电极。(15)接着在所述像素电极上形成有机发光元件。作为优选，在所述步骤(1)中，所述基板的材质是玻璃、陶瓷、塑料、不锈钢、蓝宝石、石英中的一种。作为优选，在所述步骤(2)中，所述缓冲层的材质为氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的一种或多种。作为优选，在所述步骤(7)中，其中，所述第一沟槽的深度与所述第四沟槽的深度相同，所述第二沟槽的深度与所述第五沟槽的深度相同，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度，所述第三沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度，所述第五沟槽的宽度小于所述第四沟槽的宽度。作为优选，在所述步骤(9)-(11)中，所述含有SiO2纳米线的分散液中的SiO2纳米线的浓度为80-150mg/ml，所述SiO2纳米线的直径为20-50纳米，所述SiO2纳米线的长度为10-30微米，所述含有有机树脂的溶液中的有机树脂是环氧树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种。作为优选，在所述步骤(12)中，所述第一凹陷区和所述第二凹陷区为T型或I型，所述第一凹陷区的底面位于所述第二沟槽中或所述第三沟槽中，所述第二凹陷区的底面位于所述第五凹槽中。作为优选，在所述步骤(13)中，所述平坦化层的材料为环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、不饱和聚酯类树脂、聚苯硫醚树脂以及苯丙环丁烯中的一种或多种。作为优选，在所述步骤(15)中，所述有机发光元件包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层。本专利技术还提出一种显示面板，其采用上述方法形成的。本专利技术与现有技术相比具有下列优点：在本专利技术的显示面板的形成方法中，由于显示面板的四个角落处相对于边缘区域或其它区域更容易导致平坦化层剥离，本申请通过对位于所述边缘非显示区域的四个角落处的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理，以形成第一沟槽，接着在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着在所述第二沟槽的底部形成第三沟槽，并对所述第一、第二、第三沟槽的侧壁和底面进行粗糙化处理，进而在所述第一、第二、第三沟槽中形成第一SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构，进而在所述第一SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构中形成第一凹陷区，并优化所述第一凹陷区的结构，进而使得后续形成的平坦化层嵌入到所述第一凹陷区中，由于SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构与二氧化硅层间层、平坦化层之间均具有优异的粘附力，上述结构的设置可以提高平坦化层的稳固性，防止其在角落处发生剥离。同时对位于所述边缘非显示区域的四条边的中间区域的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理以形成第四沟槽，接着在所述第四沟槽的底部形成第五沟槽，并进行粗糙化处理，进而在所述第四、第五沟槽中形成第二SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构，进而在所述第二SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构中形成第二凹陷区，并优化所述第二凹陷区的结构，进而使得后续形成的平坦化层嵌入到所述第二凹陷区中，一方面可以确保边缘区域的平坦化介质层不易剥离，另一方面降低了工艺复杂度，根据剥离的难易程度，而选择形成不同的沟槽结构，确保整个显示面板不发生剥离，延长其使用寿命的同时，一定程度上降低了生产成本。附图说明图1-图10为本专利技术的形式面板的形成方法中的结构示意图。具体实施方式为了更好的理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。应当明确，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)提供一基板，将所述基板定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域；/n(2)接着在所述基板上沉积缓冲层；/n(3)接着在所述无机缓冲层上沉积沉积有源材料层，并通过图案化工艺形成多个有源单元，每个所述有源单元包括源极区、沟道区和漏极区；/n(4)接着在多个所述有源单元上沉积栅极介质层；/n(5)接着在所述栅极介质层上沉积栅极材料层，并通过图案化工艺形成多个栅极单元，每个所述栅极单元位于相应的所述有源单元的正上方；/n(6)接着在所述栅极介质层以及所述栅极单元上沉积二氧化硅层间层，接着在所述二氧化硅层间层中形成源极接触孔和漏极接触孔；/n(7)接着在所述源极接触孔和所述漏极接触孔中沉积导电材料以分别形成源电极和漏电极；/n(8)接着对位于所述边缘非显示区域的四个角落处的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理，以形成第一沟槽，接着在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着在所述第二沟槽的底部形成第三沟槽，同时对位于所述边缘非显示区域的四条边的中间区域的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理以形成第四沟槽，接着在所述第四沟槽的底部形成第五沟槽，接着对所述二氧化硅层间层的上表面以及所述第一、第二、第三、第四、第五沟槽的侧壁和底面进行粗糙化处理；/n(9)接着利用掩膜在所述第一、第二、第三沟槽中多次交替旋涂含有SiO...

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的形成方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)提供一基板，将所述基板定义出显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域；
(2)接着在所述基板上沉积缓冲层；
(3)接着在所述无机缓冲层上沉积沉积有源材料层，并通过图案化工艺形成多个有源单元，每个所述有源单元包括源极区、沟道区和漏极区；
(4)接着在多个所述有源单元上沉积栅极介质层；
(5)接着在所述栅极介质层上沉积栅极材料层，并通过图案化工艺形成多个栅极单元，每个所述栅极单元位于相应的所述有源单元的正上方；
(6)接着在所述栅极介质层以及所述栅极单元上沉积二氧化硅层间层，接着在所述二氧化硅层间层中形成源极接触孔和漏极接触孔；
(7)接着在所述源极接触孔和所述漏极接触孔中沉积导电材料以分别形成源电极和漏电极；
(8)接着对位于所述边缘非显示区域的四个角落处的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理，以形成第一沟槽，接着在所述第一沟槽的底部形成第二沟槽，接着在所述第二沟槽的底部形成第三沟槽，同时对位于所述边缘非显示区域的四条边的中间区域的所述二氧化硅层间层进行刻蚀处理以形成第四沟槽，接着在所述第四沟槽的底部形成第五沟槽，接着对所述二氧化硅层间层的上表面以及所述第一、第二、第三、第四、第五沟槽的侧壁和底面进行粗糙化处理；
(9)接着利用掩膜在所述第一、第二、第三沟槽中多次交替旋涂含有SiO2纳米线的分散液以及含有有机树脂的溶液，以形成第一SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构，所述第一SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构填满所述第一、第二、第三沟槽；
(10)接着利用掩膜在所述第四、第五沟槽中多次交替旋涂含有SiO2纳米线的分散液以及含有有机树脂的溶液，以形成第二SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构，所述第二SiO2米线以及有机树脂层叠结构填满所述第四、第五沟槽；
(11)接着在所述二氧化硅层间层上依次旋涂含有SiO2纳米线的分散液以及含有有机树脂的溶液，以形成第三SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构；
(12)接着对所述第一、第二、第三SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构进行刻蚀处理，以在所述第一、第三SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构中形成第一凹陷区，并在所述第二、第三SiO2纳米线以及有机树脂层叠结构中形成第二凹陷区；
(13)接着在所述二氧化硅层间层上形成平坦化层，所述平坦...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐扬，宋文博，张雅萍，
申请(专利权)人：张家港市鸿嘉数字科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32