一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，属于真空溅射领域技术领域。该用于快速制备氮化镓薄膜的装置包括供气组件、制备组件、溅射电解组件以及冷却组件。所述隔板连接在所述第一罐体的内部，所述氩气收集腔的一侧与所述氮气收集腔的底端设置有出气口，所述第一管道和所述第二管道的一端与所述出气口连通，所述第一吸气泵的输入端与所述第一管道和所述第二管道连接。所述电机固定在所述第二罐体的上端，所述转轴设置在所述第二罐体的内部，所述转轴的一端与所述电机的输出端转动连接，所述固定板与所述转轴的另一端固定连接，有利于控制氮气和氩气注入量，稳固了镓的形态，提高了氮化镓薄膜制备的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置
本专利技术涉及真空溅射领域，具体而言，涉及一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置。
技术介绍
氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，可以用在高功率、高速的光电元件中。目前在制备氮化镓薄膜的过程中采用了磁控溅射技术，但这种方法存在沉积速率低和附着力弱的缺点，影响了氮化镓薄膜制备的效率。为了提高氮化镓薄膜制备的效率目前采用了离子源与中频磁控溅射相结合的装置来改善这种现状，而离子源与中频磁控溅射相结合的装置在制备氮化镓薄膜时其质量存在差异性，这是由于镓的熔点较低，其形态容易发生改变以及在注入氮气和氩气时不能很好的控制氮气和氩气的注入量，这些会影响到氮化镓薄膜的制备，如何专利技术一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置来改善这些问题，成为了当前需要解决的问题。
技术实现思路
为了弥补以上不足，本专利技术提供了一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，旨在改善氮气和氩气注入量不能控制以及镓的熔点较低，其形态容易发生改变，影响了氮化镓薄膜制备质量的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，其特征在于，包括/n供气组件(100)，所述供气组件(100)包括第一罐体(110)、隔板(120)、第一管道(170)、第二管道(180)以及第一吸气泵(190)，所述隔板(120)连接在所述第一罐体(110)的内部，所述隔板(120)将所述第一罐体(110)分割为氩气收集腔(130)和氮气收集腔(140)，所述氩气收集腔(130)和所述氮气收集腔(140)的一侧设置有进气口(150)，所述氩气收集腔(130)的一侧与所述氮气收集腔(140)的底端设置有出气口(160)，所述第一管道(170)和所述第二管道(180)的一端与所述出气口(160)连通，所述...

【技术特征摘要】
1.一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，其特征在于，包括
供气组件(100)，所述供气组件(100)包括第一罐体(110)、隔板(120)、第一管道(170)、第二管道(180)以及第一吸气泵(190)，所述隔板(120)连接在所述第一罐体(110)的内部，所述隔板(120)将所述第一罐体(110)分割为氩气收集腔(130)和氮气收集腔(140)，所述氩气收集腔(130)和所述氮气收集腔(140)的一侧设置有进气口(150)，所述氩气收集腔(130)的一侧与所述氮气收集腔(140)的底端设置有出气口(160)，所述第一管道(170)和所述第二管道(180)的一端与所述出气口(160)连通，所述第一吸气泵(190)的输入端与所述第一管道(170)和所述第二管道(180)连接；
制备组件(200)，所述制备组件(200)包括第二罐体(210)、进气管道(220)、离子管道(230)、第三管道(240)、电机(250)、转轴(260)、固定板(270)以及基片(280)，所述第二罐体(210)设置在所述第一吸气泵(190)的一侧，所述进气管道(220)连接在所述第二罐体(210)的一侧，所述离子管道(230)连接在所述第二罐体(210)的另一侧，所述第三管道(240)的一端与所述进气管道(220)连通，所述第三管道(240)的另一端与所述第一吸气泵(190)的输出端连接，所述电机(250)固定在所述第二罐体(210)的上端，所述转轴(260)设置在所述第二罐体(210)的内部，所述转轴(260)的一端与所述电机(250)的输出端转动连接，所述固定板(270)与所述转轴(260)的另一端固定连接，所述基片(280)固定在所述固定板(270)的下方；
溅射电解组件(300)，所述溅射电解组件(300)包括中频磁控溅射器(310)、通管(330)以及电解器(340)，所述中频磁控溅射器(310)、所述通管(330)以及所述电解器(340)设置在所述第二罐体(210)的内部底端，所述中频磁控溅射器(310)的内部开设有冷却通道(320)，所述中频磁控溅射器(310)的一侧开设有进液口(460)和出液口(470)，所述进液口(460)和所述出液口(470)与所述冷却通道(320)连通，所述通管(330)连通于所述中频磁控溅射器(310)与所述中频磁控溅射器(310)之间，所述电解器(340)设置在所述中频磁控溅射器(310)与所述中频磁控溅射器(310)之间；
冷却组件(400)，所述冷却组件(400)包括冷却箱体(410)、抽液泵(430)、抽液管(440)、进液管道(450)以及出液管道(480)，所述冷却箱体(410)设置在所述第二罐体(210)的下方，所述抽液泵(430)固定在所述冷却箱体(410)的上方，所述抽液管(440)的一端与所述抽液泵(430)的输入端连接，所述抽液管(440)的另一端延伸至所述冷却箱体(410)的内部，所述进液管道(450)的一端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宏，吴超，龚桦，周德金，戴金，黄伟，朱健，
申请(专利权)人：清华大学无锡应用技术研究院，
类型：发明
国别省市：江苏;32