非规则碲锌镉晶片的研磨方法技术

本发明专利技术公开了一种非规则碲锌镉晶片的研磨方法，非规则碲锌镉晶片的研磨方法包括：配置研磨液，并将研磨液导入双面研磨机内以用于研磨非规则碲锌镉晶片；将至少一片非规则碲锌镉晶片均匀排布至双面研磨机的上研磨盘与下研磨盘之间的至少一个游轮片上；设置双面研磨机的设备参数，启动双面研磨机，以实现对至少一片非规则碲锌镉晶片的双面研磨。采用本发明专利技术，可以同时对多片非规则碲锌镉晶片进行双面研磨，大大的提高了非规则碲锌镉晶片研磨效率，而且能够有效解决非规则碲锌镉晶片在游离态下撞击产生崩边和裂片的问题，使得碲锌镉晶片研磨后的表面平整度和加工产能得到大幅提升。

【技术实现步骤摘要】
非规则碲锌镉晶片的研磨方法
本专利技术涉及探测器
，尤其涉及一种非规则碲锌镉晶片的研磨方法。
技术介绍
碲锌镉(CdZnTe)衬底是液相外延碲镉汞(HgCdTe)薄膜的最佳衬底材料。高质量的碲锌镉晶片表面加工对于器件性能有着格外的重要性。碲锌镉晶片厚薄不均会直接影响后续的外延碲镉汞薄膜的均匀性。所以要尽可能的减小晶片的TTV值，得到高平整度的衬底表面。而碲锌镉晶体经过定向切割后，产出的晶片是非规则形状的，晶片表面留有许多刀痕和划伤，而且不够平整。为了消除这些表面缺陷必须进行研磨，相关技术中，采用单片单面式机械磨削去除碲锌镉晶片表面的弯曲部分和损伤层，这种加工方式下的晶片平整度较差，片与片间的一致性也较差，而且由于碲锌镉晶片作为衬底的使用要求，两面都需要进行加工，单片单面式机械磨削方式会造成工艺过程繁琐，效率低下。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种非规则碲锌镉晶片的研磨方法，用以解决现有技术中单片单面式机械磨削碲锌镉晶片效率低、效果差的问题。根据本专利技术实施例的非规则碲锌镉晶片的研磨方法，包括：配本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非规则碲锌镉晶片的研磨方法，其特征在于，包括：/n配置研磨液，并将所述研磨液导入双面研磨机内以用于研磨非规则碲锌镉晶片；/n将至少一片非规则碲锌镉晶片均匀排布至所述双面研磨机的上研磨盘与下研磨盘之间的至少一个游轮片上；/n设置所述双面研磨机的设备参数，启动所述双面研磨机，以实现对所述至少一片非规则碲锌镉晶片的双面研磨。/n

【技术特征摘要】
1.一种非规则碲锌镉晶片的研磨方法，其特征在于，包括：
配置研磨液，并将所述研磨液导入双面研磨机内以用于研磨非规则碲锌镉晶片；
将至少一片非规则碲锌镉晶片均匀排布至所述双面研磨机的上研磨盘与下研磨盘之间的至少一个游轮片上；
设置所述双面研磨机的设备参数，启动所述双面研磨机，以实现对所述至少一片非规则碲锌镉晶片的双面研磨。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置研磨液，并将所述研磨液导入双面研磨机内以用于研磨非规则碲锌镉晶片，包括：
采用第一粒径的碳化硅研磨砂、去离子水配置粗磨研磨液，并将所述粗磨研磨液倒入料桶内，通过导料管导入所述双面研磨机内以用于粗磨非规则碲锌镉晶片；
采用第二粒径的碳化硅研磨砂、去离子水配置细磨研磨液，并将所述细磨研磨液倒入所述料桶内，通过所述导料管导入所述所述双面研磨机内以用于细磨所述非规则碲锌镉晶片；
所述第一粒径大于所述第二粒径。


3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用第一粒径的碳化硅研磨砂、去离子水配置粗磨研磨液，包括：
按照所述第一粒径的碳化硅研磨砂与所述去离子水的比例大于等于8％且小于等于15％的配置比例配置所述粗磨研磨液；
所述采用第二粒径的碳化硅研磨砂、去离子水配置细磨研磨液，包括：
按照所述第二粒径的碳化硅研磨砂与所述去离子水的比例大于等于8％且小于等于15％的配置比例配置所述细磨研磨液。


4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将至少一片非规则碲锌镉晶片均匀排布至所述双面研磨机的上研磨盘与下研磨盘之间的至少一个游轮片上，包括：
测量每片非规则碲锌镉晶片的面积，以确定所述至少一片非规则碲锌镉晶片的总面积；
根据所述至少一片非规则碲锌镉晶片的总面积、以及所述游轮片的数量，确定每个所述游轮片对应的非规则碲锌镉晶片的面积；
根据每个所述游轮片对应的非规则碲锌镉晶片的面积，基于每个所述游轮片上所述非规则碲锌镉晶片的数量一致的原则，将至少一片所述非规则碲锌镉晶片均匀排布至至少一个所述游轮片上。


5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述设置所述双面研磨机的设备参数，启动所述双面研磨机，以实现对所述至少一片非规则碲锌镉晶片的双面研磨，包括：
在将所述粗磨研磨液导入双面研磨机内后，设置所述双面研磨机的设备参数，对所述至少一片非规则碲锌镉晶片进行双面粗磨；
在将所述细磨研磨液导入双面研磨机内后，设置所述双面研磨机的设备参数，对所述至少一片非规则碲锌镉晶片进行双面细磨。


6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述设置所述双面研磨机的设备参数，对所述至少一片非规则碲锌镉晶片进行双面粗磨，包括：
设置所述双面研磨机的第一单位面积压力大于等于1000克且小于等于2000克、第一转速大于等于2转每分钟且小于等于8转每分钟、第一研磨时长大于等于5分钟且小于等于10分钟，对所述至少一片非规则碲锌镉晶片进行第一步双面粗磨；
设置所述双面研磨机的第二单位面积压力大于等于3000克且小...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯晓敏，刘江高，李轩，刘铭，徐强强，吴卿，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11