【技术实现步骤摘要】
一种半导体管状加热装置
本技术涉及流体加热
，具体而言涉及电阻加热领域，特别地涉及一种半导体管状加热装置。
技术介绍
管状加热的原理为需要被加热的流体从管内流通时吸收管外加热体产生的热量从而被加热。当前的管状加热技术通常是在管状基体的外侧缠绕发热体，例如发热线圈或者发热电阻丝，通过发热体接电产生热量对流体进行加热。这其中，发热体在管状基体的管壁上所占的面积越大，越有利于提高热转换效率。因此，如何在有限的管壁面积上尽可能增加发热体所占的面积，一直是业界所要研发的趋势。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种半导体管状加热装置，以解决现有管状加热技术的发热体在管状基体上的面积占比有待提高的问题。本技术提供的一种半导体管状加热装置，包括管状基体和加热厚膜，所述管状基体在其内侧具有允许流体流通的流路，所述加热厚膜与管状基体导热接触，且设有主发热线圈，所述主发热线圈包括若干第一发热体和多个第二发热体，所述若干第一发热体沿第一方向平行间隔排列，所述多个第二发热体沿第二方向间隔排布，所述第一方向和第二方向...
【技术保护点】
1.一种半导体管状加热装置，其特征在于，包括管状基体和加热厚膜，所述管状基体在其内侧具有允许流体流通的流路，所述加热厚膜与管状基体导热接触，且设有主发热线圈，所述主发热线圈包括若干第一发热体和多个第二发热体，所述若干第一发热体沿第一方向平行间隔排列，所述多个第二发热体沿第二方向间隔排布，所述第一方向和第二方向垂直，且每一第二发热体的两端分别连接相邻两个第一发热体。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体管状加热装置，其特征在于，包括管状基体和加热厚膜，所述管状基体在其内侧具有允许流体流通的流路，所述加热厚膜与管状基体导热接触，且设有主发热线圈，所述主发热线圈包括若干第一发热体和多个第二发热体，所述若干第一发热体沿第一方向平行间隔排列，所述多个第二发热体沿第二方向间隔排布，所述第一方向和第二方向垂直，且每一第二发热体的两端分别连接相邻两个第一发热体。
2.根据权利要求1所述的半导体管状加热装置，其特征在于，所述加热厚膜还设置有两个第三发热体，所述半导体管状加热装置还包括两个第一导电焊盘，每一所述第三发热体与每一所述第一导电焊盘连接，每一所述第三发热体连接位于最端侧的第一发热体的一端，所述最端侧的第一发热体的另一端连接所述第二发热体。
3.根据权利要求2所述的半导体管状加热装置，其特征在于，两个所述第三发热体位于两个所述最端侧的第一发热体之间。
4.根据权利要求3所述的半导体管状加热装置，其特征在于，两个所述第三发热体沿所述第一方向排布，且两者位于同一直线上。
5.根据权利要求1所述的半导体管状加热装置，其特征在于，所述半导体管状加热装置还包括第二导电焊盘和与电源连通的温度控制器，所述温度控制器与所述第二导电焊盘...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈代国，
申请(专利权)人：深圳瑞森特电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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