一种新型的超低压降肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术的主要目的为提供一种新型的超低压降肖特基二极管，此二极管在高浓度的衬底片上表面先光刻腐蚀多条沟槽，然后外延生长低浓度层，在上表面和沟槽处形成金属势垒和正面金属电极，在背面形成背电极。多槽结构增大了势垒区的表面积，极大地增加了单位芯片的电流，在同等芯片面积情况下，正向导通电流极大地增加，同等电流下，正向压降大幅降低，达到了超低正向的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种新型的超低压降肖特基二极管
本技术属于半导体器件及其制备的
，特别是涉及一种新型的超低压降肖特基二极管。
技术介绍
肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,SBD)广泛用于直流-直流转换器(DC-DCconverter)、电压调节器(VoltageRegulatorModuleVRM)、电信传输/伺服器(Telecom/Server)、交流电源适配器(Adaptor)及充电器(Charger)等。在所有这些应用中，肖特基势垒二极管需要保证一定的击穿电压和低正向压降，以保证低功率消耗。根据肖特基理论，正向导通时功率肖特基的正向压降为：VF＝ФB+KT/q*Ln(JF/AT2)+JF(ρe×de+ρs×dS)--公式1其中：ФB为势垒高度，JF为正向导通电流，ρe，de分别为外延层电阻率和厚度，ρs，dS分别为衬底电阻率和厚度，通常可忽略。JF＝I/S其中I为正向电流，S为势垒区表面积。从上式可知，正向压降与势垒区表面积S及外延层的厚度de有密切关系，增加势垒区表面积会显著降低正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型的超低压降肖特基二极管，其特征是结构包括：刻有多个槽的衬底层、在上表面和槽底部和侧面外延生长的外延层、在除边缘外的外延层上表面和槽底部和侧面形成金属硅化物势垒层、上表面边缘绝缘层和用于垂直导通的上下电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型的超低压降肖特基二极管，其特征是结构包括：刻有多个槽的衬底层、在上表面和槽底部和侧面外延生长的外延层、在除边缘外的外延层上表面和槽底部和侧面形成金属硅化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨朔，
申请(专利权)人：上海安微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31