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本实用新型的主要目的为提供一种新型的超低压降肖特基二极管，此二极管在高浓度的衬底片上表面先光刻腐蚀多条沟槽，然后外延生长低浓度层，在上表面和沟槽处形成金属势垒和正面金属电极，在背面形成背电极。多槽结构增大了势垒区的表面积，极大地增加了单位芯...
该专利属于上海安微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海安微电子有限公司授权不得商用。

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