一种碳化硅功率二极管制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；N型区的掺杂浓度高于N型碳化硅外延层的掺杂浓度；场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；形成于至少一个N型区的第一肖特基接触金属；形成于N型碳化硅外延层的阳极金属层，阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，第一肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒低于第二肖特基接触金属与N型区形成的接触势垒，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅功率二极管
本技术涉及半导体
，特别涉及一种碳化硅功率二极管。
技术介绍
碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体之一，具有宽带隙、高击穿电场、高热导率、耐高温、耐高压、抗辐射等优异物理特性，所以SiC功率器件非常适合于高温、高电压、高功率等电力电子应用系统，在电动汽车、光伏逆变、轨道交通、风能发电、电机驱动等应用领域具有广阔应用前景。碳化硅结势垒肖特基二极管(SiCJBS)是一种常见碳化硅功率二极管，兼具了肖特基二极管(SBD)和PIN二极管的优点，具有低开启电压、低反向漏电、高开关频率等特性。SiCJBS的主要参数之一是正向导通压降(Vf)，会影响工作损耗。低导通压降有利于降低工作损耗，减少发热，降低电力系统散热要求。因此，如何降低碳化硅功率二极管的正向导通压降具有重要意义。
技术实现思路
本技术公开了一种碳化硅功率二极管，用于降低碳化硅功率二极管的正向导通压降。为达到上述目的，本技术提供以下技术方案：本技术提供一种碳化硅功率二极管，包括：碳化硅衬底；形成于所述碳化硅衬底一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅功率二极管，其特征在于，包括：/n碳化硅衬底；/n形成于所述碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，所述N型碳化硅外延层背离所述碳化硅衬底一侧的表面具有有源区以及围绕所述有源区的场限环终端区；所述有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个所述N型区之间的P+区；所述N型区的掺杂浓度高于所述N型碳化硅外延层的掺杂浓度；所述场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；/n形成于至少一个所述N型区背离所述碳化硅衬底一侧的第一肖特基接触金属；/n形成于所述N型碳化硅外延层远离所述碳化硅衬底一侧的阳极金属层，所述阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，其中，所述第二肖特基接触金属覆盖所述有源区...

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅功率二极管，其特征在于，包括：
碳化硅衬底；
形成于所述碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，所述N型碳化硅外延层背离所述碳化硅衬底一侧的表面具有有源区以及围绕所述有源区的场限环终端区；所述有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个所述N型区之间的P+区；所述N型区的掺杂浓度高于所述N型碳化硅外延层的掺杂浓度；所述场限环终端区包括多个间隔设置的P+区；
形成于至少一个所述N型区背离所述碳化硅衬底一侧的第一肖特基接触金属；
形成于所述N型碳化硅外延层远离所述碳化硅衬底一侧的阳极金属层，所述阳极金属层包括阳极金属和第二肖特基接触金属，其中，所述第二肖特基接触金属覆盖所述有源区，所述阳极金属位于所述第二肖特基接触金属背离所述N型碳化硅外延层的一侧；所述第一肖特基接触金属与所述N型区形成的接触势垒低于所述第二肖特基接触金属与所述N型区形成的接触势垒。


2.根据权利要求1所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述N型区的深度不超过1μm。


3.根据权利要求1所述的碳化硅功率二极管，其特征在于，所述第一肖特基接触金属包括钼、钛、钯、钨中的一种或多种。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈道坤，史波，曾丹，敖利波，
申请(专利权)人：珠海零边界集成电路有限公司，珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44