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本实用新型涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅功率二极管，包括：碳化硅衬底；形成于碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层表面具有有源区以及围绕有源区的场限环终端区；有源区包括多个间隔设置的N型区以及位于相邻两个N型区之间的P+区；...该专利属于珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司授权不得商用。