红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构制造技术

本专利公开了一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构，该结构是由凸起子铟体的列阵芯片和凹陷母铟体的列阵芯片通过对准嵌合，形成铟互连。凸起子铟体是在红外材料芯片上制备的铟柱列阵，凹陷母铟体是在硅集成电路或宝石电路芯片上制备的铟柱列阵。本专利的优点是：红外材料芯片与硅集成电路或宝石电路芯片通过子母铟体嵌合达到铟互连，压力小，互连紧密，连通率高。该专利很好的解决了红外焦平面探测器铟混成互连的断层问题，而且可以更好的满足多元器件铟互连要求。

【技术实现步骤摘要】
红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构
本专利涉及红外焦平面探测器，特别是指一种凸起铟和凹陷铟在红外焦平面探测器制造中嵌合式混成互连的结构。
技术介绍
红外焦平面探测器包含阵列器件，其主要性能参数之一是它的成像空间分辨率。一个红外焦平面阵列器件的成像空间分辨率特性取决于所包含的光敏元数目及其排列。一个M×N光敏元红外焦平面阵列器件包含的像元数目为M×N个(M和N为正整数)。红外焦平面阵列器件主要采用混成结构，混成结构是把已经制造好的M×N光敏元阵列芯片和具有M×N个输入节点的硅信号处理电路芯片通过铟柱阵列实现机械和电学的连接，使信号敏感、信号读出和电子扫描得以在一个器件中完成。混成结构的优点是可以对红外探测器阵列芯片和硅信号处理电路分别进行工艺改进和性能挑选，从而保证红外焦平面阵列器件的整体性能得到优化。但混成结构的实现难度很大，其中关键之一是要在红外探测器阵列芯片和硅信号处理电路芯片上分别生长高密度、细直径、高度足够且一致性好的铟柱阵列，以便进行混成互连。随着红外焦平面组件技术的发展，在碲镉汞(HgCdTe)、铟镓砷(InGaAs)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构，包括：芯片列阵上的凸起子铟体(1)、硅集成电路列阵或宝石电路列阵上的凹陷母铟体(2)，其特征在于：/n所说的芯片列阵上的凸起子铟体(1)为柱状铟列阵，其直径10-14微米，长度10微米：/n所说的硅集成电路列阵或宝石电路列阵上的凹陷母铟体(2)为柱状铟列阵，其直径20-25微米，长度15微米，柱中间有锥状孔；/n芯片列阵上的凸起子铟体(1)和硅集成电路列阵或宝石电路列阵上的凹陷母铟体(2)通过自动器件倒焊设备对准接插形成嵌合式铟互连结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外焦平面探测器嵌合式铟互连结构，包括：芯片列阵上的凸起子铟体(1)、硅集成电路列阵或宝石电路列阵上的凹陷母铟体(2)，其特征在于：
所说的芯片列阵上的凸起子铟体(1)为柱状铟列阵，其直径10-14微米，长度10微米：
所说的硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建妹，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：新型
国别省市：上海;31