天线结构制造技术

本申请公开了一种天线结构，其包括：基板、天线辐射层和天线接地层。天线辐射层设置于基板，并且包括辐射本体和辐射馈线，辐射馈线与辐射本体连接并沿第一方向延伸，辐射馈线具有低频辐射部、中频辐射部、高频辐射部和第一馈线位，低频辐射部、中频辐射部、高频辐射部和第一馈线位自辐射本体沿所述第一方向依序设置，第一馈线位位于辐射馈线远离辐射本体的一端。天线接地层设置于基板，并且位于辐射本体的一侧，天线接地层具有第二馈线位，第二馈线位与第一馈线位对应耦合。通过在辐射馈线的部分衍生出可接收5G信号的中频辐射部和高频辐射部，使得本申请的天线结构可同时传输现有4G的LTE信号和逐渐上线使用的5G信号，增加微基站天线的应用范围。

【技术实现步骤摘要】
天线结构
本申请涉天线通信的
，尤其涉及一种可兼具LTE频段及5G频段的全频段超宽带天线结构。
技术介绍
对于无线通信通信的技术而言，天线是用来传送和接收信号的结构。随着第五代通信技术的成熟，建构第五代通讯设备是未来的趋势，因此为了传输第五代通信技术的中、高频段信号，现有的用于第四代通信的天线结构无法满足需求。另外，在第五代通信技术的设备逐渐上线的情况下，现有微基站的天线也希望同时可以传输LTE及5G的信号。
技术实现思路
本申请实施例提供一种天线结构，增加了可以接收5G通信的不同频段的辐射部，可同时接收或发射现有收发LTE频段和5G频段的信号。为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：提供了一种天线结构，其包括：基板、天线辐射层和天线接地层。天线辐射层设置于基板，并且包括辐射本体和辐射馈线，辐射馈线与辐射本体连接并沿第一方向延伸，辐射馈线具有低频辐射部、中频辐射部、高频辐射部和第一馈线位，低频辐射部、中频辐射部、高频辐射部和第一馈线位自辐射本体沿所述第一方向依序设置，第一馈线位位于辐射馈线远离辐射本体的一端。天线接地层设置于基板，并且位于辐射本体的一侧，天线接地层具有第二馈线位，第二馈线位与第一馈线位对应耦合。在本申请实施例中，除了原有收发LTE信号的天线本体之外，通过在辐射馈线的部分衍生出可接收5G信号的低频辐射部、中频辐射部和高频辐射部，使得本申请的天线结构可以同时接收或发射现有4G的LTE信号和5G信号，增加微基站天线的应用范围。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1是本申请一实施例的天线结构的第一表面的示意图：图2是图1的天线结构的第二表面的示意图；图3是本申请一实施例的天线结构的驻波示意图；图4是本申请一实施例的天线结构在theta90度的天线方向图；图5是本申请一实施例的天线结构在phi90度的天线方向图；图6是本申请一实施例的天线结构在phi0度的天线方向图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1和图2，其是本申请一实施例的天线结构的第一表面的示意图和本申请一实施例的天线结构的第二表面的示意图；如图所示，本实施例提供一种天线结构100，其包括：基板10、天线辐射层20和天线接地层30。基板10包括第一表面11和第二表面12，第一表面11与第二表面12是相对设置。天线辐射层20和天线接地层30设置在第一表面11，但不限于此。在一实施例中，天线辐射层20和天线接地层30可设置在第二表面12或分别设置在第一表面11与第二表面12。在一实施例中，天线结构100还包括反射层40，反射层40设置在第二表面12。在本实施例中，天线辐射层20、天线接地层30和反射层40都是形成在基板10上的铜箔。天线辐射层20包括辐射馈线21和辐射本体22。辐射馈线21与辐射本体22连接且沿第一方向L1延伸。辐射馈线21具有低频辐射部211、中频辐射部212、高频辐射部213和第一馈线位214。低频辐射部211、中频辐射部212、高频辐射部213和第一馈线位214从辐射本体22的一侧边沿第一方向L1依序排列设置，第一馈线位214位于辐射馈线21远离辐射本体22的一端。即低频辐射部211最靠近辐射本体22，第一馈线位214与辐射本体22的距离最远。换言之，低频辐射部211与第一馈线位214的距离最大，其次是中频辐射部212与第一馈线位214的距离，高频辐射部213与第一馈线位214的距离最小。天线接地层30位在辐射本体22的一侧，天线接地层30具有第二馈线位31，第二馈线位31与第一馈线位214对应耦合。在本实施例中，低频辐射部211包括沿与第一方向L1正交的第二方向L2延伸的低频延伸段2111、中频辐射部212包括沿第二方向L2延伸的中频延伸段2121，且高频辐射部213包括沿第二方向L2延伸的高频延伸段2131，其中低频延伸段2111、中频延伸段2121与高频延伸段2131沿第一方向L1依序间隔设置，并且依序远离辐射本体22。在本实施例中，低频延伸段2111、中频延伸段2121与高频延伸段2131是自辐射馈线21一体延伸。辐射本体22与第一馈线位214间形成的辐射长度最大，低频延伸段2111与第一馈线位214间形成的辐射长度(即低频辐射部211的整体长度)其次，其中频延伸段2121与第一馈线位214间形成的辐射长度(即中频辐射部212的整体长度)再其次，高频延伸段2131与第一馈线位214间的辐射长度(即高频辐射部213的整体长度)最小，从而起到能够接收或发射LTE与5G的低、中、高频不同频段的信号的作用。高频辐射部213的长度和宽度是根据低频辐射部211的中心频点计算。另外，高频延伸段2131相对于辐射馈线21采用加宽设计，能够扩大辐射面积，提升辐射效率。举例来说，辐射本体22与辐射馈线21共同形成的辐射结构可有效收发的频段是4G的LTE信号的频段，低频辐射部211可有效收发的频段是5G的低频频段，中频辐射部212可有效收发的频段是5G的中频频段，高频辐射部213可有效收发的频段是5G的高频频段。在本实施例中，中频辐射部212的频段是3.6至3.9GHz，高频辐射部213的辐射频段是5.15至5.925GHz。通过在辐射馈线21的部分衍生出可接收5G信号的中频辐射部212和高频辐射部213，使得本申请的天线结构100可以同时接收或发射现有4G的LTE信号和逐渐上线使用的5G信号，增加微基站天线的应用范围。在一实施例中，天线接地层30的第一馈线位214与第二馈线位31间具有间距。天线接地层30具有馈线缺口32，馈线缺口32呈长条形且向内深入到天线接地层30中，使得天线接地层30呈现倒U字形，馈线缺口32是倒U字形的开口(以图1的方向来看，天线接地层30整体呈现逆时针旋转90度的U字形结构，开口朝向图的左方)。天线接地层30的一侧邻近辐射本体22，辐射馈线21延伸至馈线缺口32中。详言之，第一馈线位214设置在馈线缺口32内，低频延伸段2111、中频延伸段2121和高频延伸段2131设置在馈线缺口32外。天线接地层30具有倒U字形的结构可以使电流反向，相互抵消，使天线不圆度变好。而且辐射馈线21延伸至馈线缺口32中。天线接地层30还包括第一接地部33和第二接地部34，第一接地部33与所述第二接地部34通过第二馈线位31连接，馈线缺口32位于第一接地部33和第二接地部34之间，第一接地部33和第二接地部34在辐射馈线21的两侧。第一接地部33的一端和第二接地部34的一端都沿第一方向L1向远离第一馈线位214的方向延伸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线结构，其特征在于，包括：/n基板；/n天线辐射层，设置于所述基板，并且包括辐射本体和辐射馈线，所述辐射馈线与所述辐射本体连接并沿第一方向延伸，所述辐射馈线具有低频辐射部、中频辐射部、高频辐射部和第一馈线位，所述低频辐射部、所述中频辐射部、所述高频辐射部和所述第一馈线位自所述辐射本体沿所述第一方向依序设置，所述第一馈线位位于所述辐射馈线远离所述辐射本体的一端；/n天线接地层，设置于所述基板，并且位于所述辐射本体的一侧，所述天线接地层具有第二馈线位，所述第二馈线位与所述第一馈线位对应耦合。/n

【技术特征摘要】
1.一种天线结构，其特征在于，包括：
基板；
天线辐射层，设置于所述基板，并且包括辐射本体和辐射馈线，所述辐射馈线与所述辐射本体连接并沿第一方向延伸，所述辐射馈线具有低频辐射部、中频辐射部、高频辐射部和第一馈线位，所述低频辐射部、所述中频辐射部、所述高频辐射部和所述第一馈线位自所述辐射本体沿所述第一方向依序设置，所述第一馈线位位于所述辐射馈线远离所述辐射本体的一端；
天线接地层，设置于所述基板，并且位于所述辐射本体的一侧，所述天线接地层具有第二馈线位，所述第二馈线位与所述第一馈线位对应耦合。


2.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述低频辐射部包括沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的低频延伸段，所述中频辐射部包括沿所述第二方向延伸的中频延伸段且所述高频辐射部包括沿所述第二方向延伸的高频延伸段，其中所述低频延伸段、所述中频延伸段与所述高频延伸段沿所述第一方向依序间隔设置，并且依序远离所述辐射本体。


3.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述中频辐射部的频段是3.6至3.9GHz，所述高频辐射部的辐射频段是5.15至5.925GHz。


4.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述高频辐射部的长度和宽度根据所述低频辐射部的中心频点计算。


5.如权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述天线接地层具有馈线缺口，所述天线接地层邻近所述辐射本体，所述辐射馈线延伸至所述馈线缺口中。


6.如权利要求5所述的天线结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述天线接地层的长度是小于所述低频辐射部的长度且大于所述高频辐射部的长度。


7.如权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾梦云，徐澄宇，周刚，陈露，张万强，许文恺，李振华，
申请(专利权)人：昆山立讯射频科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32