一种可调衰减器制造技术

本发明专利技术公开了一种可调衰减器。该可调衰减器包括：微带电路，所述微带电路包括至少一个子单元，所述子单元包括固定组电阻和活动组电阻；所述固定组电阻包括若干串联电阻和若干并联电阻；所述活动组电阻包括若干串联电阻和若干并联电阻；所述固定组电阻的串联电阻和固定电路构成固定衰减器；所述活动组电阻的部分或者全部电阻和所述固定衰减器通过导电搭接结构连接用于改变所述可调衰减器的衰减，其中，所述导电搭接结构为所述微带电路制作完成后形成的。本发明专利技术实施例提供的技术方案降低了可调衰减器的调节成本，提高了其调节的安全系数。数。数。

【技术实现步骤摘要】
一种可调衰减器


[0001]本专利技术涉及衰减器
，尤其涉及一种可调衰减器。

技术介绍

[0002]在射频、微波电路中，线路损耗/增益通常会因为各种因素而变化体现出一致性差，当此种变化超出规格要求时需要对此进行调试。
[0003]传统的方案是用压控衰减器、数控衰减器、电位器来调节线路损耗/增益。这些方案较为成熟，除了成本较高外，也会因为具体方案引入额外的性能下降或风险。例如压控或数控衰减器带来的线性恶化、电位器带来的可靠性恶化等。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种可调衰减器，以降低可调衰减器的调节成本，提高其调节的安全系数。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种可调衰减器，包括：
[0006]微带电路，所述微带电路包括至少一个子单元，所述子单元包括固定组电阻和活动组电阻；
[0007]所述固定组电阻包括若干串联电阻和若干并联电阻；
[0008]所述活动组电阻包括若干串联电阻和若干并联电阻；
[0009]所述固定组电阻的串联电阻和固定电路构成固定衰减器；
[0010]所述活动组电阻的部分或者全部电阻和所述固定衰减器通过导电搭接结构连接用于改变所述可调衰减器的衰减，其中，所述导电搭接结构为所述微带电路制作完成后形成的。
[0011]可选地，所述活动组电阻的并联电阻和所述固定衰减器通过导电搭接结构连接用于增大所述可调衰减器的衰减。
[0012]可选地，所述活动组电阻的串联电阻和所述固定衰减器通过导电搭接结构连接用于减小所述可调衰减器的衰减。
[0013]可选地，导电搭接结构包括连接焊锡，所述连接焊锡用于连接所述活动组电阻的部分或者全部电阻和所述固定衰减器。
[0014]可选地，还包括印制电路板，所述微带电路位于所述印制电路板上，所述连接焊锡位于所述印制电路板的亮铜区域。
[0015]可选地，所述固定组电阻的电阻用于构成固定π型衰减器；
[0016]所述活动组电阻的部分或者全部电阻和所述固定π型衰减器通过导电搭接结构连接用于改变所述可调衰减器的衰减；
[0017]或者，所述固定组电阻的电阻用于构成固定T型衰减器；
[0018]所述活动组电阻的部分或者全部电阻和所述固定T型衰减器通过导电搭接结构连接用于改变所述可调衰减器的衰减。
[0019]可选地，所述固定组电阻包括第一子串联电阻、第一子并联电阻和第二子并联电阻；所述第一子串联电阻、所述第一子并联电阻和所述第二子并联电阻构成固定π型衰减器。
[0020]可选地，所述活动组电阻包括第三子并联电阻和第四子并联电阻；所述第三子并联电阻和所述第四子并联电阻和所述固定π型衰减器通过导电搭接结构连接，用于增大所述可调衰减器的衰减；
[0021]和/或，所述活动组电阻包括第二子串联电阻；所述第二子串联电阻和所述固定π型衰减器通过导电搭接结构连接，用于减小所述可调衰减器的衰减。
[0022]可选地，所述固定组电阻包括第三子串联电阻、第四子串联电阻和第五子并联电阻；所述第三子串联电阻、所述第四子串联电阻和所述第五子并联电阻构成固定T型衰减器。
[0023]可选地，所述活动组电阻包括第六子并联电阻；所述第六子并联电阻和所述固定T型衰减器通过导电搭接结构连接，用于增大所述可调衰减器的衰减；
[0024]和/或，所述活动组电阻包括第五子串联电阻和第六子串联电阻；所述第五子串联电阻、所述第六子串联电阻和所述固定T型衰减器通过导电搭接结构连接，用于减小所述可调衰减器的衰减。
[0025]本实施例中提供的技术方案，在可调衰减器的微带电路制备完成之后，当可调衰减器的衰减需要调节时，可以形成导电搭接结构，通过导电搭接结构来连接活动组电阻的部分或者全部电阻与固定衰减器连接，进而来调节可调衰减器的衰减。其中，导电搭接结构是微带电路制作完成后形成的，并不是和微带电路同时制备而成，其制备过程简单，进而可以降低可调衰减器的制备成本。并且导电搭接结构只是起到简单的电连接作用，降低了对于可调衰减器内部结构的损耗，从而提高了对可调衰减器的衰减调节的安全系数。
[0026]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1是根据本专利技术实施例提供的一种可调衰减器的版图；
[0029]图2是根据本专利技术实施例提供的另一种可调衰减器的版图；
[0030]图3是图1的等效电路图；
[0031]图4是图2的等效电路图。
具体实施方式
[0032]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人
员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0033]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0034]为了降低可调衰减器的调节成本，提高其调节的安全系数，本专利技术实施例提供了如下技术方案：
[0035]本专利技术实施例提供了一种可调衰减器，该可调衰减器包括：微带电路，微带电路包括至少一个子单元，子单元包括固定组电阻和活动组电阻；固定组电阻包括若干串联电阻和若干并联电阻；活动组电阻包括若干串联电阻和若干并联电阻；固定组电阻的串联电阻和固定电路构成固定衰减器；活动组电阻的部分或者全部电阻和固定衰减器通过导电搭接结构连接用于改变可调衰减器的衰减，其中，导电搭接结构为微带电路制作完成后形成的。
[0036]导电搭接结构例如是焊锡膏构成的连接焊锡，制备过程简单，且容易去除。
[0037]本实施例中提供的技术方案，在可调衰减器的微带电路制备完成之后，当可调衰减器的衰减需要调节时，可以形成导电搭接结构，通过导电搭接结构来连接活动组电阻的部分或者全部电阻与固定衰减器连接，进而来调节可调衰减器的衰减。其中，导电搭接结构是微带电路制作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调衰减器，其特征在于，包括：微带电路，所述微带电路包括至少一个子单元，所述子单元包括固定组电阻和活动组电阻；所述固定组电阻包括若干串联电阻和若干并联电阻；所述活动组电阻包括若干串联电阻和若干并联电阻；所述固定组电阻的串联电阻和固定电路构成固定衰减器；所述活动组电阻的部分或者全部电阻和所述固定衰减器通过导电搭接结构连接用于改变所述可调衰减器的衰减，其中，所述导电搭接结构为所述微带电路制作完成后形成的。2.根据权利要求1所述的可调衰减器，其特征在于，所述活动组电阻的并联电阻和所述固定衰减器通过导电搭接结构连接用于增大所述可调衰减器的衰减。3.根据权利要求1所述的可调衰减器，其特征在于，所述活动组电阻的串联电阻和所述固定衰减器通过导电搭接结构连接用于减小所述可调衰减器的衰减。4.根据权利要求1所述的可调衰减器，其特征在于，导电搭接结构包括连接焊锡，所述连接焊锡用于连接所述活动组电阻的部分或者全部电阻和所述固定衰减器。5.根据权利要求4所述的可调衰减器，其特征在于，还包括印制电路板，所述微带电路位于所述印制电路板上，所述连接焊锡位于所述印制电路板的亮铜区域。6.根据权利要求1
‑
5任一所述的可调衰减器，其特征在于，所述固定组电阻的电阻用于构成固定π型衰减器；所述活动组电阻的部分或者全部电阻和所述固定π型衰减器通过导电搭接结构连接用于改变所述可调衰减器的衰减；或者，所述固定组电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宁，朱大鹏，李振刚，
申请(专利权)人：昆山立讯射频科技有限公司，
类型：发明
国别省市：