摄像装置制造方法及图纸

一种摄像装置，具备：光电变换部，对入射光进行光电变换并生成电荷；第1晶体管，该第1晶体管的栅极与上述光电变换部电连接，输出与上述电荷对应的电信号；第2晶体管，该第2晶体管的源极及漏极中的一方与上述光电变换部电连接；第1电容，连接在上述第2晶体管的上述源极与上述漏极之间；以及第2电容，连接在上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方与基准电位之间。

【技术实现步骤摘要】
摄像装置本申请是申请日为2015年11月26日、申请号为201510836849.7、专利技术名称为“摄像装置”的专利技术专利申请的分案。
本申请涉及摄像装置。本申请特别涉及具有包括层叠在半导体基板上的光电变换膜的光电变换部的摄像装置。
技术介绍
作为MOS(MetalOxideSemiconductor)型的摄像装置提出了层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，在半导体基板的最表面层叠光电变换膜，将在光电变换膜内通过光电变换产生的电荷向电荷蓄积区域(称作“浮置扩散区”)蓄积。摄像装置在半导体基板内使用CCD(ChargeCoupledDevice)电路或CMOS(ComplementaryMOS)电路将该蓄积的电荷读出。例如专利文献1公开了这样的摄像装置。专利文献1：特开2009－164604号公报专利文献2：特开2011－228621号公报
技术实现思路
在摄像装置的领域中，有噪声降低的要求。特别是，有想要将复位时发生的kTC噪声(也称作“复位噪声”)降低的要求。根据本申请的非限定性的某个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，其特征在于，具备：/n光电变换部，对入射光进行光电变换并生成电荷；/n第1晶体管，该第1晶体管的栅极与上述光电变换部电连接，输出与上述电荷对应的电信号；/n第2晶体管，该第2晶体管的源极及漏极中的一方与上述光电变换部电连接；/n第1电容，连接在上述第2晶体管的上述源极与上述漏极之间；以及/n第2电容，连接在上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方与基准电位之间。/n

【技术特征摘要】
20141226 JP 2014-264695;20141226 JP 2014-264694;201.一种摄像装置，其特征在于，具备：
光电变换部，对入射光进行光电变换并生成电荷；
第1晶体管，该第1晶体管的栅极与上述光电变换部电连接，输出与上述电荷对应的电信号；
第2晶体管，该第2晶体管的源极及漏极中的一方与上述光电变换部电连接；
第1电容，连接在上述第2晶体管的上述源极与上述漏极之间；以及
第2电容，连接在上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方与基准电位之间。


2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
具备第3晶体管，该第3晶体管的源极及漏极中的一方连接于上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的上述另一方。


3.如权利要求2所述的摄像装置，其特征在于，
具备反向放大器，该反向放大器连接在上述第1晶体管的源极及漏极中的一方与上述第3晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方之间。


4.如权利要求3所述的摄像装置，其特征在于，
还具备第4晶体管，该第4晶体管连接在上述第1晶体管的源极及漏极中的一方与上...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上雅史，西村佳寿子，阿部豊，松长诚之，佐藤好弘，平濑顺司，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP