对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法，制造方法包括：沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。本发明专利技术能够减小对准图形中空旷区域的面积，避免由于刻蚀残留物导致的缺陷问题，从而改善对准质量。

【技术实现步骤摘要】
对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
对准是半导体制造工艺中最为关键的影响因素之一，例如，在光刻技术中需要关注曝光机与掩膜版之间的对准，在芯片划片工艺中需要关注实际划片区域与划片槽之间的对准。以光刻技术中的对准为例，光刻技术中常用的对准方式主要有如下几类：基于明暗场对准，光栅衍射对准和视频图像对准。为了实现对准，需要在基底、芯片或者掩膜版上设置相应的对准图形(Alignmentmask)，利用该对准图形来进行对准。采用现有的对准图形进行对准时存在对准精度低的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法，解决对准质量差的问题。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种对准图形，包括：沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，每一子图形区内具有至少一个标准图形，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。另外，所述子图形区沿第二方向延伸，且所述第二方向与所述方向相垂直。另外，在沿所述第一方向上，所述遮挡图形与邻近的所述子图形区之间的距离为第三距离，且所述第三距离为285nm～315nm。另外，还包括：遮光图形，所述遮光图形位于相邻所述子图形区之间，且所述遮光图形与相邻所述子图形区之间具有间隙。另外，所述子图形区的形状为条状；所述遮挡图形为条状；所述遮光图形为条状。本专利技术还提供一种具有对准图形的半导体结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底包括若干第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域，所述基底上形成有多个分立的第一功能层以及位于所述第一功能层顶部表面的牺牲层，所述第一区域具有至少两个所述第一功能层，所述第二区域的所述第一功能层横跨所述第二区域，且在沿所述第一区域指向所述第二区域方向上，所述第一区域的相邻第一功能层之间的距离小于所述第二区域的第一功能层的宽度；在所述基底上形成第二功能层，所述第二功能层还覆盖所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁，且在沿垂直于所述基底表面方向上，所述第二功能层的厚度与所述第一功能层的厚度不同；在所述第二功能层表面形成掩膜层，且所述掩膜层填充相邻所述牺牲层之间的区域；在形成所述掩膜层之后，去除位于所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁的所述第二功能层；采用湿法工艺或者灰化工艺去除所述牺牲层，暴露出所述第一功能层顶部表面；去除所述掩膜层，暴露出剩余所述第二功能层顶部表面，所述第一功能层以及剩余所述第二功能层构成对准图形。另外，在形成所述掩模层之前，所述第二功能层还覆盖所述牺牲层顶部；所述在去除位于所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁的所述第二功能层的工艺步骤中，还去除位于所述牺牲层顶部的所述第二功能层。另外，所述掩膜层的材料与所述第一功能层的材料不同；所述掩膜层的材料与所述第二功能层的材料不同。另外，所述牺牲层的材料包括光刻胶材料或者无定形碳。另外，先去除所述牺牲层，后去除所述掩膜层；或者，先去除所述掩膜层，后去除所述牺牲层。本专利技术还提供一种具有对准图形的半导体结构，包括：基底，所述基底包括若干第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域；位于所述基底上的多个分立的第一功能层，所述第一区域具有至少两个所述第一功能层，所述第二区域的所述第一功能层横跨所述第二区域，且在沿第一区域指向所述第二区域方向上，所述第一区域的相邻第一功能层之间的距离小于所述第二区域的第一功能层的宽度；位于所述第一区域的基底上的多个分立的第二功能层，在沿所述第一区域指向所述第二区域方向上，所述第二功能层与所述第一功能层间隔排布，且在沿垂直于所述基底表面方向上，所述第二功能层的厚度与所述第一功能层的厚度不同，所述第一功能层以及所述第二功能层构成所述对准图形。另外，在沿所述第一方向上，所述第二区域的所述第二功能层的宽度大于所述第一区域的所述第二功能层的宽度，所述第二区域的所述第二功能层的宽度大于所述第一区域的所述第一功能层的宽度。另外，所述第一功能层的材料与所述第二功能层的材料相同；或者，所述第一功能层的材料与所述第二功能层的材料不同。与现有技术相比，本专利技术实施例提供的技术方案具有以下优点：本专利技术实施例提供的对准图形的技术方案中，包括沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立子图形区，在沿第一方向上，相邻子图形区之间的第一距离小于相邻标准图形区之间的第二距离，也就是说，相邻标准图形区之间具有相对较大的空旷区域；遮挡图形位于相邻标准图形区之间，且与相邻标准图形区之间具有间隙，遮挡图形的设置有利于减小空旷区域的面积。在制造该对准图形时，由于空旷区域的面积减小了，从而减小甚至消除由于空旷区域面积过大而产生的刻蚀负载效应问题，进而避免了刻蚀残留物的产生，改善对准图形的质量，提高利用该对准图形进行对准的对准精度。本专利技术实施例还提高一种具有对准图形的半导体结构的制造方法的技术方案，在基底第一区域和第二区域形成分立的第一功能层以及位于第一功能层顶部表面的牺牲层，第一区域具有至少两个第一功能层，第二区域的第一功能层横跨第二区域，且第二区域的第一功能层的宽度大于第一区域相邻第一功能层之间的距离；接着形成第二功能层，且第二功能层的厚度与第一功能层的厚度不同；然后在相邻牺牲层之间填充掩膜层；在形成掩膜层之后，去除牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁的第二功能层；去除牺牲层以及掩膜层，第一功能层以及剩余第二功能层构成对准图形。虽然第二区域的宽度大于第一区域的第一功能层宽度，由于相邻第一区域之间的第二区域上方被牺牲层占据空间位置而不是被掩膜层占据空间位置，去除牺牲层的工艺中牺牲层被去除速率受到牺牲层面积大小的影响很小，因而能够减小甚至消除刻蚀负载效应，保证第二区域的牺牲层被完全去除，避免缺陷的产生，从而提高形成的对准图形的质量，提高工艺生产良率。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1至图4为一种具有对准图形的半导体结构的形成方法各步骤对应的结构示意图；图5为本专利技术一实施例提供的对准图形的示意图；图6至图14为本专利技术实施例提供的半导体结构的制造方法各步骤对应的结构示意图。具体实施方式由
技术介绍
可知，采用现有对准图形进行对准的精度有待提高。图1至图4为一种具有对准图形的半导体结构的形成方法各步骤对应的结构示意图。参考图1，提供包括第一区域i和位于相邻第一区域i之间的第二区域ii的基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对准图形，其特征在于，包括：/n沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；/n遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种对准图形，其特征在于，包括：
沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；
遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。


2.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述子图形区沿第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向相垂直。


3.如权利要求1或2所述的对准图形，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述遮挡图形与邻近的所述子图形区之间的距离为第三距离，且所述第三距离为285nm～315nm。


4.如权利要求1或2所述的对准图形，其特征在于，还包括：遮光图形，所述遮光图形位于相邻所述子图形区之间，且所述遮光图形与相邻所述子图形区之间具有间隙。


5.如权利要求4所述的对准图形，其特征在于，所述子图形区的形状为条状；所述遮挡图形为条状；所述遮光图形为条状。


6.一种具有对准图形的半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括若干第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域，所述基底上形成有多个分立的第一功能层以及位于所述第一功能层顶部表面的牺牲层，所述第一区域具有至少两个所述第一功能层，所述第二区域的所述第一功能层横跨所述第二区域，且在沿所述第一区域指向所述第二区域方向上，所述第一区域的相邻第一功能层之间的距离小于所述第二区域的第一功能层的宽度；
在所述基底上形成第二功能层，所述第二功能层还覆盖所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁，且在沿垂直于所述基底表面方向上，所述第二功能层的厚度与所述第一功能层的厚度不同；
在所述第二功能层表面形成掩膜层，且所述掩膜层填充相邻所述牺牲层之间的区域；
在形成所述掩膜层之后，去除位于所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁的所述第二功能层；
去除所述牺牲层，暴露出所述第一功能层顶部表面；
去除所述掩膜层，暴露出剩余所述第二功能层顶部表面，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：范聪聪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34