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本发明涉及一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法，制造方法包括：沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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