半导体设备以及半导体工艺处理方法技术

本发明专利技术提供一种半导体设备以及晶片传输方法，该半导体设备包括：设备前端模块和传输平台，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。通过本发明专利技术，提高了半导体设备的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备以及半导体工艺处理方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体设备以及半导体工艺处理方法。
技术介绍
目前，在集成电路的制造工艺中，半导体设备是必不可少的。在对金属铝进行工艺处理(诸如刻蚀中)广泛采用氯气作为反应气体，其主要生成物为氯化铝，这些生成物与水反应生成强腐蚀性的氯化氢，会对铝造成腐蚀，因此需要在完成铝的刻蚀工艺后进行去胶处理，在去胶腔中完成对腐蚀性化合物的处理，从而减小腐蚀的发生，因此在对铝进行工艺处理时,半导体设备都会集成一个去胶腔。如图1所示为现有技术中半导体设备的结构图，传输平台一般可携带4个腔室，4个腔室中包括2个去胶腔。晶圆的传输顺序为片盒Foup-设备前端模块EFEM-晶圆中转站LoadLock-传输平台-反应腔PM-传输平台-去胶腔-传输平台-晶圆中转站LoadLock-设备前端模块EFEM-片盒Foup。不同的模块之间均用门阀进行状态的隔离。传输平台始终为真空状态，设备前端模块EFEM始终为大气状态，晶圆中转站LoadLock用于真空和大气状态的转换，当晶圆在设备前端模块EFEM和晶圆中转站LoadLock之间进行传输时，晶圆中转站LoadLock为大气状态，当晶圆在传输平台和晶圆中转站LoadLock之间传输时，晶圆中转站LoadLock为真空状态。综上，现有技术中去胶腔占用了传输腔室可用于挂工艺腔室的挂机位，大大降低了整个半导体设备的生产效率，影响设备产能。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备以及半导体工艺处理方法，以提高半导体设备的工作效率，提高设备产能。为实现本专利技术的目的而提供一种半导体设备，包括：设备前端模块和传输平台，其特征在于，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。优选地，所述双功能腔室包括：腔体，设有两个传片口，且分别与所述设备前端模块和所述传输平台各自的传片口对接；密封门，所述密封门与所述传片口对应设置，且所述密封门用于开启或密封所述传片口；及工艺基座，用于实现对承载于其上的待加工工件进行工艺处理优选地，所述工艺功能包括去胶工艺，用于对所述待加工工件进行去胶处理。优选地，所述双功能腔室为两个。优选地，还包括：检测装置；所述检测装置用于检测所述双功能腔室中是待加工工件。优选地，还包括：多个反应腔室，多个所述反应腔室挂接于所述传输平台上。一种半导体工艺处理方法，采用本申请中所述的半导体设备，所述半导体工艺处理方法包括：判断所述双功能腔室是否有待加工工件，若是，等待并返回继续进行判断步骤；若否，则使所述双功能腔室转换至与待加工工件传入端的相一致的气压状态，并将所述待加工工件传入端中的待加工工件传入所述双功能腔室。优选地，所述待加工工件传入端为设备前端模块，则若所述双功能腔室无待加工工件，则使所述双功能腔室转换至为大气状态。优选地，所述待加工工件传入端为所述传输平台，则若所述双功能腔室无待加工工件，则使所述双功能腔室转换至为真空状态。优选地，所述待加工工件传入所述双功能腔室后，可进行去胶工艺。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的半导体设备在设备前端模块和传输平台之间设置有兼具中转功能和工艺功能的双功能腔室，中转功能为能够在设备前端模块和传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；工艺功能能够实现加工晶片的其中一工艺步骤。本专利技术提供的半导体设备可以使晶片传输、晶片加工工艺处理以及大气状态与真空状态之间转换均可由一个双功能腔室完成，使得原传输平台可挂接腔室的挂机位增加，可用于挂机工艺腔室，从而增加了工艺腔室的数量，提高了半导体设备的生产效率，提高设备产能。本专利技术提供的半导体工艺方法，判断双功能腔室是否有待加工工件，若是，等待并返回继续进行判断步骤；若否，则使双功能腔室转换至与待加工工件传入端的相一致的气压状态，并将待加工工件传入端中的待加工工件传入双功能腔室，保证了半导体设备中待加工工件传输与进行工艺的安全性。附图说明图1为现有技术中半导体设备的结构图；图2为本专利技术实施例提供的半导体设备的一种结构示意图；图3为本专利技术实施例中双功能腔室的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的半导体设备的另一种结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的半导体工艺处理方法的一种流程图；图6为本专利技术实施例提供的半导体工艺处理方法的另一种流程图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的半导体设备以及半导体工艺处理方法进行详细描述。如图2所示为本专利技术实施例提供的半导体设备的一种结构示意图，该半导体设备包括：设备前端模块E和传输平台T，还包括：设置于设备前端模块E与传输平台T之间的双功能腔室，双功能腔室兼具中转功能和工艺功能，其中，中转功能为能够在设备前端模块E和传输平台T之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。本专利技术实施例提供的半导体设备，具有双功能腔室，双功能腔室具有中转功能和工艺功能，中转功能为能够在设备前端模块和传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；工艺功能为能够对待加工工件进行工艺处理；本专利技术实施例提供的半导体设备，可以使晶片传输、晶片加工工艺步骤以及大气状态与真空状态之间转换均可由一个双功能腔室完成，从而增加了工艺腔室，提高了半导体设备的生产效率。具体地，本实施例提供的半导体设备还包括：多个反应腔室，多个反应腔室均挂接于传输平台T上。参见图1所示，反应腔室有四个(PM1、PM2、PM3、PM4)；进一步，反应腔室的个数由传输平台T的结构确定，可以为多个，其并不限定为四个。具体地，如图3所示，双功能腔室包括：腔体1、工艺基座3以及密封门2。腔体1设有传片口(图中未示)，且分别与设备前端模块E和传输平台T各自的传片口对接。密封门2与传片口对应设备，且密封门用于开启或密封传片口。工艺基座3，设置在腔体1中，用于实现对承载其上的待加工工件进行工艺处理。当晶片在设备前端模块E和双功能腔室之间进行传输时，双功能腔室为大气状态，当晶片在传输平台T和双功能腔室之间传输时，双功能腔室为真空状态。由于腔体1主要使用的气体为氧气，不涉及特气，可反复切换大气真空状态，并且腔体1只能存放一片晶片；双功能腔室分别与设备前端模块E、传输平台T之间采用门阀进行状态的隔离。本专利技术实施例提供的双功能腔室，位于设备前端模块与传输平台之间，并且设置有密封门可以便于设备前端模块的大气状态与传输平台的真空状态之间转换；进一步，腔体中设置有工艺基座，能够实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，包括：设备前端模块和传输平台，其特征在于，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括：设备前端模块和传输平台，其特征在于，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述双功能腔室包括：
腔体，设有两个传片口，且分别与所述设备前端模块和所述传输平台各自的传片口对接；
密封门，所述密封门与所述传片口对应设置，且所述密封门用于开启或密封所述传片口；及
工艺基座，用于实现对承载于其上的待加工工件进行工艺处理。


3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺功能包括去胶工艺，用于对所述待加工工件进行去胶处理。


4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体设备，其特征在于，所述双功能腔室为两个。


5.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体设备，其特征在于，还包括：检测装置；
所述检测装置用于检...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11