半导体设备以及半导体工艺处理方法技术

本发明专利技术提供一种半导体设备以及晶片传输方法，该半导体设备包括：设备前端模块和传输平台，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。通过本发明专利技术，提高了半导体设备的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备以及半导体工艺处理方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体设备以及半导体工艺处理方法。
技术介绍
目前，在集成电路的制造工艺中，半导体设备是必不可少的。在对金属铝进行工艺处理(诸如刻蚀中)广泛采用氯气作为反应气体，其主要生成物为氯化铝，这些生成物与水反应生成强腐蚀性的氯化氢，会对铝造成腐蚀，因此需要在完成铝的刻蚀工艺后进行去胶处理，在去胶腔中完成对腐蚀性化合物的处理，从而减小腐蚀的发生，因此在对铝进行工艺处理时,半导体设备都会集成一个去胶腔。如图1所示为现有技术中半导体设备的结构图，传输平台一般可携带4个腔室，4个腔室中包括2个去胶腔。晶圆的传输顺序为片盒Foup-设备前端模块EFEM-晶圆中转站LoadLock-传输平台-反应腔PM-传输平台-去胶腔-传输平台-晶圆中转站LoadLock-设备前端模块EFEM-片盒Foup。不同的模块之间均用门阀进行状态的隔离。传输平台始终为真空状态，设备前端模块EFEM始终为大气状态，晶圆中转站LoadLock用于真空和大气状态的转换，当晶圆在设备前端模块EFEM和晶圆中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备，包括：设备前端模块和传输平台，其特征在于，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括：设备前端模块和传输平台，其特征在于，还包括：设置于所述设备前端模块与所述传输平台之间的双功能腔室，且所述双功能腔室兼具中转功能和工艺功能；其中，所述中转功能为能够在所述设备前端模块和所述传输平台之间传递晶片，同时使腔室在大气状态与真空状态之间转换；所述工艺功能为能够实现对待加工工件进行工艺处理。


2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述双功能腔室包括：
腔体，设有两个传片口，且分别与所述设备前端模块和所述传输平台各自的传片口对接；
密封门，所述密封门与所述传片口对应设置，且所述密封门用于开启或密封所述传片口；及
工艺基座，用于实现对承载于其上的待加工工件进行工艺处理。


3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺功能包括去胶工艺，用于对所述待加工工件进行去胶处理。


4.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体设备，其特征在于，所述双功能腔室为两个。


5.根据权利要求1-3任意一项所述的半导体设备，其特征在于，还包括：检测装置；
所述检测装置用于检...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11