一种梁岛膜压阻式压力传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种梁岛膜压阻式压力传感器，包括金属引线和硅基底，所述金属引线的下方安装有压敏电阻，所述第一二氧化硅层的下方设置有单晶硅层，所述硅基底位于第二二氧化硅层的下方，所述玻璃衬底与硅基底之间设置有真空腔，且真空腔的内部设置有岛，所述压敏电阻的上方设置有梁，且梁的内侧安装有中心膜，所述中心膜的上方设置有平膜，所述金属引线的转折处连接有焊盘。该梁岛膜压阻式压力传感器，与现有的普通压力传感器相比，该设备能够降低中心膜的挠度，减少中性面的弯曲，满足小挠度假设，减少非线性误差带来的影响，该设备压敏电阻折弯处宽度很大且掺杂浓度很高，这样能够使折弯处的电阻很小，使压敏电阻更好的相匹配。

【技术实现步骤摘要】
一种梁岛膜压阻式压力传感器
本技术涉及MEMS压阻式压力传感器
，具体为一种梁岛膜压阻式压力传感器。
技术介绍
随着集成电路(IC)硅微加工技术的不断发展，MEMS压力传感器得到广泛应用，按照传感器的原理，可以将其分为压阻式、电容式、谐振式三种。其中压阻式压力传感器因其结构和制作工艺简单而被大量研究与制备。常见的压阻式压力传感器硅杯结构采用的是C型和E型，C型结构具有大挠度带来的非线性急速恶化问题，且提高其灵敏度只能减薄硅膜厚度，这在工艺上有难度，E型结构可以承受更大的挠度，具有过载保护能力，但压敏电阻放置会受到限制，未能有效利用最大应力，所以在精度需求高的地方，传统的C型和E型结构使用会受到限制，不能很好的满足人们的使用需求，针对上述情况，在现有的压力传感器基础上进行技术创新。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种梁岛膜压阻式压力传感器，以解决上述
技术介绍
中提出一般的压阻式压力传感器硅杯结构采用的是C型和E型，C型结构具有大挠度带来的非线性急速恶化问题，且提高其灵敏度只能减薄硅膜厚度，这在工艺上有难度；E型结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种梁岛膜压阻式压力传感器，包括金属引线(1)和硅基底(12)，其特征在于：所述金属引线(1)的下方安装有压敏电阻(2)，且金属引线(1)的周围设置有第一二氧化硅层(3)，所述第一二氧化硅层(3)的下方设置有单晶硅层(4)，且单晶硅层(4)的下方设置有第二二氧化硅层(5)，所述硅基底(12)位于第二二氧化硅层(5)的下方，且硅基底(12)的下方固定有玻璃衬底(8)，所述玻璃衬底(8)与硅基底(12)之间设置有真空腔(7)，且真空腔(7)的内部设置有岛(6)，所述压敏电阻(2)的上方设置有梁(10)，且梁(10)的内侧安装有中心膜(11)，所述中心膜(11)的上方设置有平膜(9)，所述金属引...

【技术特征摘要】
1.一种梁岛膜压阻式压力传感器，包括金属引线(1)和硅基底(12)，其特征在于：所述金属引线(1)的下方安装有压敏电阻(2)，且金属引线(1)的周围设置有第一二氧化硅层(3)，所述第一二氧化硅层(3)的下方设置有单晶硅层(4)，且单晶硅层(4)的下方设置有第二二氧化硅层(5)，所述硅基底(12)位于第二二氧化硅层(5)的下方，且硅基底(12)的下方固定有玻璃衬底(8)，所述玻璃衬底(8)与硅基底(12)之间设置有真空腔(7)，且真空腔(7)的内部设置有岛(6)，所述压敏电阻(2)的上方设置有梁(10)，且梁(10)的内侧安装有中心膜(11)，所述中心膜(11)的上方设置有平膜(9)，所述金属引线(1)的转折处连接有焊盘(13)。


2.根据权利要求1所述的一种梁岛膜压阻式压力传感器，其特征在于：所述压敏电阻(2)包括第一电阻(201)、第二电阻(202)、第三电阻(203)和第四电阻(204)，且第一电阻(201)和第三电阻(203)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李富乐，刘佳林，周亚辉，皇咪咪，赵立波，蒋庄德，
申请(专利权)人：明石创新烟台微纳传感技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37