半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置，包括：具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面的SiC半导体层、形成于上述第一主面的半导体元件、隆起部群、以及形成于上述第二主面的与上述隆起部群连接的电极，上述隆起部群包括在上述第二主面中相互隔着间隔形成的多个隆起部且具有多个上述隆起部中的数个上述隆起部在从作为上述第二主面的面方向之一的第一方向看去的第一方向观察时相互重叠的第一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
专利文献1中公开了一种半导体装置，其包括SiC基板、在SiC基板的表面形成的肖特基势垒二极管和在SiC基板的背面形成的欧姆电极层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-198780号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的一个实施方式提供一种能够在包括SiC的结构中提高电特性的半导体装置。解决课题的方法本专利技术的一个实施方式提供一种半导体装置，包括：具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面的SiC半导体层、形成于上述第一主面的半导体元件、隆起部群、以及形成于上述第二主面上的与上述隆起部群连接的电极，上述隆起部群包括在上述第二主面中相互隔着间隔形成的多个隆起部且具有多个上述隆起部中的数个上述隆起部在从作为上述第二主面的面方向之一的第一方向看去的第一方向观察时相互重叠的第一部分。根据该半导体装置，能够因隆起部群而增加电极相对于第二主面的连接面积。由此，能够提高电特性。本专利技术中的上述或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面的SiC半导体层，/n形成于所述第一主面的半导体元件，/n隆起部群，所述隆起部群包含在所述第二主面中相互隔着间隔形成的多个隆起部，且具有多个所述隆起部中的数个所述隆起部在从作为所述第二主面的面方向之一的第一方向看去的第一方向观察时相互重叠的第一部分，和/n形成于所述第二主面上的与所述隆起部群连接的电极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-068567;20180330 JP 2018-0685681.一种半导体装置，包括：
具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面的SiC半导体层，
形成于所述第一主面的半导体元件，
隆起部群，所述隆起部群包含在所述第二主面中相互隔着间隔形成的多个隆起部，且具有多个所述隆起部中的数个所述隆起部在从作为所述第二主面的面方向之一的第一方向看去的第一方向观察时相互重叠的第一部分，和
形成于所述第二主面上的与所述隆起部群连接的电极。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述隆起部群具有多个所述隆起部中的数个所述隆起部在所述第一方向观察时与所述第一部分分开地形成且在所述第一方向观察时相互重叠的第二部分。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述隆起部群沿着作为所述第一主面的面方向之一的与所述第一方向交叉的第二方向隔着间隔形成有多个。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
相互邻接的多个所述隆起部群之间的距离为100μm以下。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述距离为50μm以下。


6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其中，
所述距离为20μm以下。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，
所述隆起部群在所述第二主面内在与所述第一方向正交的方向上在10μm以上200μm以下的范围内形成。


8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
所述范围为50μm以上150μm以下。


9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中，
所述范围为80μm以上120μm以下。


10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，
所述SiC...

【专利技术属性】
技术研发人员：中泽成哉，春山沙和，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP