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一种半导体装置，包括：具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面的SiC半导体层、形成于上述第一主面的半导体元件、隆起部群、以及形成于上述第二主面的与上述隆起部群连接的电极，上述隆起部群包括在上述第二主面中相互隔着间隔形成的多个隆起部且具有多个上...
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