集成电路制造技术

本公开实施例涉及混合的集成电路。在一实施方式中，集成电路可包含第一区，其包括：第一栅极结构，具有铁电栅极介电层；与第一区的第一栅极结构相关的至少一源极；以及与第一区的第一栅极结构相关的至少一漏极。此外，集成电路可包含第二区，其包括：第二栅极结构，具有高介电常数的栅极介电层；与第二区的第二栅极结构相关的至少一源极；以及与第二区的第二栅极结构相关的至少一漏极。集成电路亦可包括至少一沟槽隔离于第一区与第二区之间。

【技术实现步骤摘要】
集成电路
本专利技术实施例涉及集成电路，更特别涉及铁电栅极与高介电常数栅极的混合结构。
技术介绍
晶体管技术(如互补式金属氧化物半导体结构、鳍状场效晶体管结构、或类似物)通常施加电压至栅极末端以控制源极区与漏极区之间的电流。晶体管可为依据栅极电压的开关。采用铁电材料的栅极可降低次临界摆幅，因此可增加电源效率。然而铁电材料在高频时会产生磁滞，因此可能影响效率或效能如交流电应用中的效能。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的集成电路，包括：第一区，包括：第一栅极结构，具有铁电栅极介电层；与第一区的第一栅极结构相关的至少一源极；以及与第一区的第一栅极结构相关的至少一漏极；第二区，包括：第二栅极结构，具有高介电常数的栅极介电层；与第二区的第二栅极结构相关的至少一源极；以及与第二区的第二栅极结构相关的至少一漏极；以及至少沟槽隔离，位于第一区与第二区之间。本专利技术一实施例提供的制作集成电路的方法，包括：提供结构，其包括具有一或多个源极区与一或多个漏极区的半导体装置；形成界面层于半导体装置、源极区、与漏极区上；形成铁电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.集成电路，包括：/n一第一区，包括：/n一第一栅极结构，具有一铁电栅极介电层；/n与该第一区的该第一栅极结构相关的至少一源极；以及/n与该第一区的该第一栅极结构相关的至少一漏极；/n一第二区，包括：/n一第二栅极结构，具有一高介电常数的栅极介电层；/n与该第二区的该第二栅极结构相关的至少一源极；以及/n与该第二区的该第二栅极结构相关的至少一漏极；以及/n至少一沟槽隔离，位于该第一区与该第二区之间。/n

【技术特征摘要】
20190517 US 16/415,1361.集成电路，包括：
一第一区，包括：
一第一栅极结构，具有一铁电栅极介电层；
与该第一区的该第一栅极结构相关的至少一源极；以及
与该第一区的该第一栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄其毅，蔡庆威，程冠伦，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71