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本公开实施例涉及混合的集成电路。在一实施方式中，集成电路可包含第一区，其包括：第一栅极结构，具有铁电栅极介电层；与第一区的第一栅极结构相关的至少一源极；以及与第一区的第一栅极结构相关的至少一漏极。此外，集成电路可包含第二区，其包括：第二栅极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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