光电传感器制造技术

一种光电传感器由包含光学晶体的光学部件构成，利用通过电场的光的强度、位相和偏振方向中的至少一种的变化测量该自然或强制发生的电场的强度，该光电传感器的特征在于：上述光学部件装配在使用具有绝热性的材料和对表面进行过防带电处理的塑料材料中的至少一种材料制成的外壳内。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及EMC测量(噪声测量)中典型的测量现场内的电场强度所使用的光电传感器。技术背景光波导马赫-齐德干涉仪已被用来作为电场传感器，它将光波导分支后把与晶轴平行的电场加到分支后的一方或双方的光波导上使波导光的位相发生变化、然后再合成，由于所加的电场使合成后的光强度发生变化，所以，可以通过测量光强度来测量加到与电极部连接的天线上的电场强度。马赫-齐德干涉仪的出射光强度与加给电极的电场的关系为三角函数波曲线。图1(a)是先有的光电传感器的一个例子。如图所示，光电传感器是通过在LiNbO3基板上利用Ti扩散制成光波导式分支干涉仪，在分支后的2条光波导中的1条光波导内设置电极构成光调制器，将该光调制器装入并固定到塑料等容器1内，将光调制器的电极与天线2连接，并且，将偏振状态稳定的光纤3与光调制器的光输入一侧连接，将单模光纤4与光输出一侧连接而构成。自然或强制产生的电场通过天线传送到上述电极上，使光波导进行位相调制。然后，合成后的光由于发生强度调制而具有可以获得与电场对应的光强度的特征。图2是先有的光波导马赫-齐德干涉仪，在图1(a)的光调制器中使用。如图2所示，光波导马赫-齐德干本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：户叶一，田高信，
申请(专利权)人：NEC东金株式会社，
类型：发明
国别省市：