一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法技术

一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，属于纳米电极制备技术领域。本发明专利技术是为了简单高效可重复地制备纳米点阵列电极，在含微米沟槽阵列的硅模板上浇注PDMS；在固化完成的PDMS模具上浇注树脂，得到带有微米沟槽阵列的树脂块；在树脂块上沉积一层金属薄膜，用树脂包埋，进行纳米切片，将单个含纳米线阵列的树脂薄片或多个与空树脂薄片交替堆叠的含纳米线阵列的树脂薄片转移至基底上，将导线搭接固定在纳米线阵列的表面，加入树脂封装，将未搭接导线的一端修块抛光，得到纳米点阵列电极。本发明专利技术避免了邻近电极的电容和扩散层重叠，且通过对纳米线端面再次修块抛光可获得新的干净的纳米点阵列，有利于纳米点阵列电极的长期重复使用。

【技术实现步骤摘要】
一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法
本专利技术属于纳米电极制备
，具体涉及一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法。
技术介绍
纳米电极是指电极的一维尺寸为纳米级的一类电极。相比于常规电极，纳米点电极具有如下的特征：检测极限很低，在人发微量铅测量中检测极限达0.1ng/mL；响应速度极快，时间常数低至纳秒级，可用于测量快速/暂态电化学反应；电极的电压降小，可用于高阻抗介质或无电解质溶液的电化学研究；同时，电极的一维尺寸极小，确保了实验过程中特别是生物单分子检测、单细胞成像时不会改变被测物体。尽管纳米电极具有众多优点，但是其电化学响应信号较小，通常在nA级，常规的电化学仪器难以测定其信号。相比而言，纳米阵列电极是由多个纳米电极组合而成，不仅保留了单一纳米电极的特性，还能获得较大的电流信号，可以使用常规的电化学仪器进行测量，大大拓宽了其应用范围。目前纳米阵列电极的主要制备方法分为两类：一种是以自组装法、模板法等为代表的自下而上法，第二种是以化学刻蚀法和光刻法等为典型的自上而下法。其中，前一种方法存在工艺流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，其特征在于：所述方法步骤为：/n步骤一：在含微米沟槽阵列的硅模板上浇注PDMS；/n步骤二：在固化完成的PDMS模具上浇注树脂，得到带有微米沟槽阵列的树脂块；/n步骤三：在树脂块上沉积一层金属薄膜，得到金属-树脂复合结构；/n步骤四：将步骤三得到的复合结构用树脂包埋，得到树脂-金属-树脂包埋块；/n步骤五：将步骤四得到的包埋块进行纳米切片，得到含纳米线阵列的树脂薄片；/n步骤六：将步骤五得到的单个含纳米线阵列的树脂薄片或多个与空树脂薄片交替堆叠的含纳米线阵列的树脂薄片转移至基底上，得到纳米线阵列-基底复合结构；/n步骤七：将导线搭接固定在纳...

【技术特征摘要】
1.一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，其特征在于：所述方法步骤为：
步骤一：在含微米沟槽阵列的硅模板上浇注PDMS；
步骤二：在固化完成的PDMS模具上浇注树脂，得到带有微米沟槽阵列的树脂块；
步骤三：在树脂块上沉积一层金属薄膜，得到金属-树脂复合结构；
步骤四：将步骤三得到的复合结构用树脂包埋，得到树脂-金属-树脂包埋块；
步骤五：将步骤四得到的包埋块进行纳米切片，得到含纳米线阵列的树脂薄片；
步骤六：将步骤五得到的单个含纳米线阵列的树脂薄片或多个与空树脂薄片交替堆叠的含纳米线阵列的树脂薄片转移至基底上，得到纳米线阵列-基底复合结构；
步骤七：将导线搭接固定在纳米线阵列的表面，加入树脂将导线纳米线阵列封装，得到树脂-导线-纳米线阵列-基底复合结构；
步骤八：将步骤七得到的复合结构中未搭接导线的一端修块抛光，直至采用三电极体系对得到的复合结构进行循环伏安法扫描，得到的循环伏安图形为标准的S形时，表明成功制备得到纳米点阵列电极。


2.根据权利要求1所述的一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，其特征在于：步骤一中，所述金属薄膜的厚度为2nm～1μm。


3.根据权利要求1或2所述的一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，其特征在于：步骤一中，所述金属为金、铂或银中的一种。


4.根据权利要求1所述的一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，其特征在于：步骤二、四和七中，所述树脂均为热固性树脂。


5.根据权利要求1所述的一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，其特征在于：步骤五中，所述纳米切片采用超薄切片机进行，首先使用仪器配套的修...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿延泉，方卓，闫永达，胡振江，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23