所描述的方法和装置无线地测试一个包含多个管芯的晶片上的单个集成电路管芯。该方法用至少两束电磁辐射无线地冲击所选管芯，以致于该管芯接收具有至少第一能级的辐射能，因而在该管芯中产生一个电流而激活该管芯。单独每一束电磁能的能级小于激活该管芯所需的第一能级。电磁能束被引导，以致于它们至少部分地交叠在所选管芯上。在交叠区域，两束电磁能一起以至少等于激活该管芯所需的第一能级的能级冲击该管芯。该方法可以另外包括：由该管芯响应从电磁束中所接收的电磁辐射而发射的电磁辐射，探测由该管芯所发射的电磁辐射。该装置包括集成电路晶片和测试装置。集成电路晶片包含数个管芯。每一管芯能通过引导具有至少第一能级的电磁能到该管芯上而被激活。该测试装置包括电磁能的第一和第二源。每个源将一束能级小于第一能级的电磁能引导到该晶片上的所选管芯。两束电磁能至少部分地交叠在所选管芯上，以致于它们一起耦合到管芯上，其能量至少达到第一能级。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
技术介绍
本专利技术涉及测试单个集成电路。特别是，本专利技术涉及在一个包含多个芯片的晶片上选择性地测试单个芯片。集成电路，特别是半导体集成电路，通过在一个晶片上制造几个管芯(die)或芯片而制成。在一个晶片上的管芯通常是相同的。在制造之后，该晶片切成单个管芯。切或锯该晶片成单个管芯的工艺称为“切割”晶片。该晶片切割之后，再封装该单个管芯。该晶片切成单个管芯之前，制造商可以要求测试单个管芯。这种测试可以使制造商去掉不能用的管芯，而不会承担封装这种有缺陷管芯的费用。通常，通过将晶片上的每一管芯与一个探头器件接触来测试单个管芯。探头器件接触每一管芯上制作的测试接触焊点，激活(activates)管芯上的电路，并对该芯片进行测试。不能通过测试的管芯作上记号，并在该晶片切割之后，将其去掉。现有的测试方法要求物理探头必须针对每个不同的管芯结构而设计和制造，因为探头必须接触该管芯的点对每个管芯结构是不同的。不同的结构另外要求每测试一个不同结构的管芯，都要在结构上重新配置芯片测试器。在该测试方法中，选择性地激活一个在该晶片上所选的管芯。该管芯可以通过用具有至少一个预定能量级的电磁辐射的冲击(beingimpacted)而被激活。激活所选管芯的方法包括将第一和第二束电磁能引向该管芯。第一和第二束电磁能之一单独具有小于要求激活该管芯的第一能级。该方法进一步包括引导第一和第二束电磁能，这样它们交叠(overlap)在第一管芯上。第一和第二束在一个交叠区域内交叠在第一管芯上。在交叠区域内，第一和第二束用比所要求活化该管芯的预定能级大的能级冲击该管芯。该方法可以另外包括当该管芯通过第一和第二束电磁能的能量激活时，探测通过该管芯辐射的电磁辐射。一种测试集成电路管芯的装置包括电磁能的第一源，用于产生第一束电磁能；和第一探测器，用于将第一束引向待测集成电路管芯。该测试装置另外包括电磁能的第二源，用于产生第二束电磁能；和第二探测器，用于将第二束引向待测集成电路管芯，以致于第二束交叠该集成电路管芯的第一束。测试装置另外包括一探测器，用于探测由集成电路管芯发射的电磁辐射。图2表示附图说明图1所示晶片的各个管芯的布图形式。图3是图2所示的管芯电路部分的示意图。图4是图2所示的管芯电路部分的示意图。图5表示图1所示晶片的单个管芯的另一实施例的布图形式。图6是图5所示的管芯电路部分的示意图。图7表示图1所示晶片的单个管芯的再一实施例的布图形式。图8是图7所示管芯布图部分的放大平面图。图9是沿图8中的线9-9剖开的截面图。图10是沿图8中的线10-10剖开的截面图。图11表示图2，5和7所示的管芯电路的射频辐射元件部分的一个实施例的一部分。图12a和12b是图2，5和7所示的管芯电路的射频辐射元件部分的另一个实施例的示意图。图13表示一种根据本专利技术构造并根据本专利技术的方法使用的装置。图14表示一个具有多个集成电路的晶片，其上用图13所示的装置施加的交叠电磁能束。图15是部分剖切的简化图，表示本专利技术的一个实施例的一方面的电子束源。图16是部分剖切的简化图，表示本专利技术所用系统的另一个实施例的一方面的电子束源。图17是部分剖切的简化图，表示本专利技术所用系统的再一个实施例的一方面的射频能源。图18是简化图，表示本专利技术所用系统的再一个实施例的一方面的射频能源。图19是结合本专利技术一个方面的一个测试装置探头的透视图。图20是如图19所示结合在测试探头中一个接收器的示意图。一种有代表性的晶片20，包含几个管芯，如图1所示。具体的管芯22作成一样。该管芯22根据本专利技术的一个方面设计并制造，如下面所述。在晶片20上的所有其它管芯与管芯22都是相同的。在晶片20的边缘可以包含一些部分管芯。制造这类晶片的许多技术在半导体制造领域一般是公知的，并且是实用的。晶片20制作之后，根据本专利技术，在晶片的单个管芯22上进行初步测试。在这一测试之后，单个管芯22被锯开，或被切割。将半导体晶片切割成单个管芯的工艺在本领域是众所周知的。然后，每一分开的单个管芯22可以采用任一普通实用的封装技术来封装。单个管芯22的一个实施例如图2所示。管芯22包括主电路30，其周围有数个接触焊点32。当封装该管芯时，接触焊点32就是封装腿的引线接触该管芯上的电路的点。每一接触焊点32通过一个传导路径或导线34连接到主管芯电路30。接触焊点32还可以用来测试该管芯，既可以在该管芯22仍是晶片20的一部分时，又可以在晶片20切割成单个管芯之后。测试探头可以与接触焊点32的合适点接触，以激活电路30，并检查来自电路的具体响应。根据本专利技术，单个管芯还可以被无线激活，而在测试探头和管芯之间没有物理接触。根据本专利技术的一个方面，单个管芯22可以通过引导电磁能进入该管芯22而加功率或激活。假如冲击管芯22的电磁能超过预定的第一能级，那么管芯22的电路30就被激活。预定的第一能级就是足以激活管芯22的能级。根据在此描述的装置和方法的一个方面，一个或一个以上导体环42形成在管芯22的电路中。该导体环42可以包括在管芯的电路部分中。当一个变化电磁能通过该导体环42时，该导体环42形成一个感应体，从而在该导体环中产生一个电压。本领域的普通技术人员将明白和理解，一个运动的电荷(电流)会产生一个磁场。一个运动的磁场会产生一个具有电压的电场，它能增加电流。这一对现象使得冲击或通过导体环42的辐射电磁能将会在导体环42中产生一个电流。假如通过导体环42的电磁能超过预定的激活级(level)，那么在导体环42中就会产生足够的电压，来加功率给电路30或激活电路30，或至少电路30的一个有用的特殊部分。如图3所示，包括导体环42的电路另外包括一个整流器44和一个滤波器46，以提供电能给管芯22上的电路30的其它部分。通过导体环42的电磁能在滤波器46的输出端52产生一个电压，它可以用来驱动电路30的其它部分。一个很简单的整流器和滤波器结构如图4所示。整流器和滤波器电路包括一个二极管54和一个电容器56。输出终端52a和52b跨接在电容器65上。环42的电感在图中用42a表示。导体环的另一种结构如图5所示。代替一个环绕电路30的实质部分的单导体环，一个螺旋环62包括在电路30的部分中。该螺旋环62可以被形成作为一个管芯22的单层上的连续导体。参看图6，一个简单的整流器54和滤波器56如所示的那样耦合到该螺旋环62。图6所示的整流器和滤波器与图4所示的相同。螺旋环62的电感在图中用62a表示。本领域的普通技术人员将明白当变化的电磁场通过螺旋环62时，在螺旋环62的两端之间会产生一个电压。螺旋环62的两端之间产生的电压与螺旋环62的圈数成正比。螺旋环中产生的电压引起一个电流流过二极管54和电容器56，它同样地在输出端52a，52b产生一个电压。然后，在输出端52a，52b产生的电压可以用来驱动电路30的其它部分。特殊的条件可以要求螺旋导体62包括较多或较少的圈数。导体环的其它实施例或结构如图7，8，9和10所示。如图7所示的导体环72是一个多层导体螺旋。该导体环72由几层单个环层72a-d所形成(参见图9和10)。导体环的顶层72d作为单个环层的代表如图8所示。现在参看图8，导体环的顶层72d不是十分完整的环。导体环的顶层72d在环层72d的导本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在一个具有数个管芯的晶片上无线激活所选管芯的方法，其中，所选管芯可以通过用具有至少第一能级的电磁能冲击而激活，该方法包括：将第一束电磁能引向所选管芯，其中，所述第一束电磁能以小于所述第一能级冲击所选管芯；将第二束电磁能引向所选管 芯，其中，所述第二束电磁能以小于所述第一能级冲击所选管芯；和引导所述第一和第二束电磁能，以致于所述第一和第二束电磁能至少部分地交叠在所选管芯上，其中，所述第一和第二束一起以一个至少等于所述第一能级的能级冲击所述第一管芯。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：斯担利A怀特，肯尼思S沃利，詹姆斯W约翰斯顿，P迈克尔亨德森，小沃纳B安德鲁斯，乔纳森I西安，凯利H黑尔，
申请(专利权)人：科内森特系统公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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