非导电长波热辐射防护屏制造技术

技术编号:2636589 阅读:266 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种热辐射防护屏44和涂敷该防护屏的方法包括第一涂层46、第二涂层48和热屏蔽层50。第一涂层46涂敷在第一表面上。第二涂层48涂敷在第二表面上。热屏蔽层50位于第一涂层46和第二涂层48之间,形成热辐射防护屏44。热辐射防护屏44具有非干扰性的电特性。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及特别适用于磁共振成像(MRI)系统的热辐射防护屏,更具体地说,涉及在射频(RF)防护屏和病人孔道框架之间屏蔽辐射热转移的方法和装置。作为典型MRI的一部分,适当频率的RF信号发送到病人孔道中。通过RF线圈接收到从病人孔道发出的核磁共振(nMR)响应RF信号。此频率中的编码信息和利用RF电路接收到的RF信号的相位参数经过处理形成直观图像。这些直观图像对应于在病人孔道内患者的截面或容积中的nMR核子分布。现在的MRI系统由于功率密度较高故要求有较高的磁梯度线圈组件温度。现代MRI系统还减小了磁梯度线圈组件和病人孔道外表面之间的空间量,因而,就不可能在病人孔道中进行主动冷却。所以,需要一种被动冷却方法来减少从磁梯度线圈组件到RF线圈和病人孔道的热转移。热辐射防护屏是一种被动冷却方法,已在除MRI系统外的其他工业领域用来减少热转移。在先有技术中已知具有红外特性的热辐射防护屏可大大降低热转移量。过去,热辐射防护屏由于其金属化涂层而具有红外反射特性。金属化涂层使所述防护屏导电。如果把导电的防护屏用在RF线圈和磁梯度线圈组件之间,它可能破坏RF电路的共振电特性,还可能降低n本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于磁共振成像系统的热辐射防护屏,它包括:第一涂层;第二涂层;设置在所述第一涂层和所述第二涂层之间的热屏蔽层;其中所述热辐射防护屏具有非干扰性电特性。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:DE迪安DJ魏尔斯
申请(专利权)人:GE医疗系统环球技术有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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