高功率纳秒强流放电回路中分布电感的测试方法技术

技术编号:2636244 阅读:230 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种高功率纳秒强流放电回路中分布电感的测量方法,它包括以下过程:在一设定电压V#-[b1]下,测量待测回路分布电感中的脉冲放电电压波形和电流波形;在另一设定电压V#-[b2]下,再测该放电回路中的电压波形及电流波形;从测定的放电电流脉冲图形上,求出设定电压为V#-[b1]时的峰值电流i#-[1](即sinωτ#-[1]=1的条件);从测定的放电电流脉冲图形上,求出设定电压为V#-[b2]时的峰值电流i#-[2](即sinωτ#-[2]=1的条件);将测得的V#-[b1]、V#-[b2]、i#-[1]、i#-[2]、τ#-[1]、τ#-[2]代入方程即可求得总回路中分布电感的L值。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及放电回路中的分布电感,特别是一种。高功率纳秒强流放电电路的等效电路如附图说明图1所示。图1中,C1为形成电容,C2为储能电容,R1、L1分别为球隙的动态电阻和动态电感,R2、L2分别为激光器件的动态电阻和动态电感。在器件击穿导通后,放电回路可简化为如图2所示。在图2中,L是放电回路总分布电感,C是储能电容,R是放电回路总动态电阻。由图2列出回路方程Ldidt+Ri+1C∫idt=0........(1)]]>解得i=υbωLe-βtsinωt....(2)]]>ω=1/LC-R2/4L2........(3)]]>β=R/2L (4)式中,υb为击穿电压,i为放电电流。由(2)式我们可以看出它含有三个未知数,必须由三个方程联立求解,但适当选取时间值τ1,使sinωτ1=1,则由两个方程即可求解。i1=Db1π2τ1Le-βτ1......(5)]]>i2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率纳秒强流放电回路中分布电感的测量方法,其特征在于它分以下5个过程:①在一设定电压V↓[b1]下,测量待测回路分布电感中的脉冲放电电压波形和电流波形;②在另一设定电压V↓[b2]下,再测该放电回路中的电压波形及电流波形; ③从测定的放电电流脉冲图形上,求出设定电压为V↓[b1]时的峰值电流i↓[1](即sinωτ↓[1]=1的条件);④从测定的放电电流脉冲图形上,求出设定电压为V↓[b2]时的峰值电流i↓[2](即sinωτ↓[2]=1的条件);⑤将 测得的V↓[b1]、V↓[b2]、i↓[1]、i↓[2]、τ↓[1]、τ↓[2]代入方程***即可求...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈建文高鸿奕谢红兰徐至展熊诗圣
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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