T形波导验证异向介质逆斯涅耳折射的方法技术

本发明专利技术公开了一种Ｔ形波导验证异向介质逆斯涅耳折射的方法。将异向介质裁剪成Ｌ形状的样品，并在拐角处切成４５°的切面，放入Ｔ形波导进行测量，通过对比Ｔ形波导两个输出端口测到的功率值，来验证Ｔ波导中的导向介质的电磁特性。如果待测异向介质样品具有负的折射率，那么在折射率为－１的频率点，最大输出功率将出现在与入射轴垂直的端口上。其结果与没有放入异向介质的情况相反，由此可以进一步来验证异向介质的负折射率特性。其优点是装置简便，性能稳定。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种T形波导验证异向介质逆斯涅耳(Snell)折射的方法。
技术介绍
前苏联科学家V.G. Veselago在1968年预言当介质的介电常数ε与磁导率μ同时为负数时，其折射率将变为负值。这种ε和μ同时为负的介质被美国麻省理工学院J.A.Kong命名其中文名称为“异向介质”。2001年，美国加州大学San Diego分校的D.R.Smith等人根据英国帝国理工学院J.B.Pendry的研究结果首次构造出ε与μ同时为负的人工介质。异向介质负折射率特性的验证基本上是通过测量棱镜折射实验来实现。目前主要是在平板波导或者自由空间中测量入射波倾斜投射到异向介质与空气交界面时的折射方向来计算异向介质的折射率。这几种所需要的实验装置比较复杂，需要很好的吸波材料，需要平面波入射。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，是把异向介质样品放入T形波导中进行测量，实验装置比较简便。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是将异向介质裁剪成L形状的样品，并在拐角处切成45°的切面，放入T形波导进行测量，通过对比T形波导两个输出端口测到的功率值，来验证T波导中的异向介质的电磁特性。入射功率从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ｔ形波导验证异向介质逆斯涅耳折射的方法，其特征在于：将异向介质（４）裁剪成Ｌ形状的样品，并在拐角处切成４５°的切面，放入Ｔ形波导（５）进行测量，通过对比Ｔ形波导（５）两个输出端口测到的功率值，来验证Ｔ波导（５）中的异向介质（４）的电磁特性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈红胜，冉立新，皇甫江涛，章献民，孔金瓯，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]