控制切换的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于控制向负载提供电流的半导体功率开关的从导通状态到非导通状态或从非导通状态到导通状态的切换的装置及方法，该装置接收旨在驱动半导体功率开关的输入信号。本发明专利技术：‑感测流过半导体功率开关的漏‑源电流的微分值以便获得表示感测到的漏‑源电流的微分值的电压，‑放大表示感测到的漏‑源电流的微分值的电压，‑在给定时间段期间将放大后的表示感测到的漏‑源电流的微分值的电压与输入信号相加。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制切换的装置及方法
本专利技术总体上涉及一种用于控制向负载提供电流的至少一个第一功率半导体开关的切换的装置及方法。
技术介绍
经典的栅极驱动器电路包含固定的正负电压/电流源，其分别称为用于正电压的Vcc和用于负电压的Vee，二者与半导体开关的源极相关。依据半导体开关的期望状态，功率半导体开关栅极借助于开关和可选的栅极电阻连接至任一供电轨。为了接通半导体开关，将正电压/电流源连接至半导体开关的栅极控制，为了断开半导体开关，将负电压/电流源连接至器件的栅极控制。如今，功率转换器的切换频率正在增加。诸如GaN和SiC器件之类的宽带隙器件提供比传统技术更快的切换能力。宽带隙功率半导体器件能够以例如高于10V/ns的高速度进行切换。这减少了切换损耗，从而允许使用更高的切换频率。例如，由于布线杂散电感增加了切换损耗并且给晶体管过大应力，导致高切换速度可以在功率半导体晶体管的漏极和源极之间产生电压过冲。过冲也可以产生传导和辐射的EMI。应用于栅极驱动器电路的一些技术用于降低切换速度(电压和电流瞬变率)和/或电压过冲和振铃。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于控制向负载提供电流的半导体功率开关的从导通状态到非导通状态或从非导通状态到导通状态的切换的装置，该装置接收旨在驱动所述半导体功率开关的输入信号，其中，所述装置包括：/n-用于感测流过所述半导体功率开关的漏-源电流的微分值以便获得表示感测到的漏-源电流的微分值的电压的装置，/n-用于放大表示所述感测到的漏-源电流的微分值的所述电压的装置，/n-用于在给定时间段期间将放大后的表示所述感测到的漏-源电流的微分值的电压与所述输入信号相加的装置。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180326 EP 18163864.41.一种用于控制向负载提供电流的半导体功率开关的从导通状态到非导通状态或从非导通状态到导通状态的切换的装置，该装置接收旨在驱动所述半导体功率开关的输入信号，其中，所述装置包括：
-用于感测流过所述半导体功率开关的漏-源电流的微分值以便获得表示感测到的漏-源电流的微分值的电压的装置，
-用于放大表示所述感测到的漏-源电流的微分值的所述电压的装置，
-用于在给定时间段期间将放大后的表示所述感测到的漏-源电流的微分值的电压与所述输入信号相加的装置。


2.根据权利要求1所述的装置，其中，用于感测流过所述半导体功率开关的所述漏-源电流的微分值的装置由Rogowski线圈组成。


3.根据权利要求1或2所述的装置，其中，所述给定时间段是栅极过渡时间、电压过渡时间和电流过渡时间加上预定余量之和。


4.根据权利要求1或3中任一项所述的装置，其中，所述半导体功率开关被包括在降压转换器中。


5.根据权利要求1或3中任一项所述的装置，其中，所述半导体功率开关被包括在升压...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·莫兰德，J·C·布兰德勒罗，S·莫洛夫，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP