用于电隔离地传输数字信号的探测器电路和系统技术方案

技术编号:26348984 阅读:53 留言:0更新日期:2020-11-13 21:46
本发明专利技术涉及一种用于电隔离地传输数字信号的探测器电路(8)。应提供一种更稳健且更不易发生故障的探测器电路。根据本发明专利技术的探测器电路(8)包括两个差分信号输入端(RF1,RF2)、输入共模电压连接端(VCM),交流电压耦合装置和差分级。探测器电路(8)还包括运行电压连接端(AVDD)、运行接地连接端(AVSS),信号输出端(IRECT)、偏置电流连接端(IBIAS)和整流器级。所述交流电压耦合装置包括两个电容器(C1,C2)和两个电阻(R1,R2)。所述差分级包括第一n沟道晶体管(MN1)和第二n沟道晶体管(MN2)。所述偏置电流连接端(IBIAS)通过第三n沟道晶体管(MN3)与所述差分级连接。所述偏置电流连接端(IBIAS)通过第四n沟道晶体管(MN4)和第五n沟道晶体管(MN5)与所述整流器级连接。所述整流器级包括五个p沟道晶体管(MP1,MP2,MP3,MP4,MP5)。本发明专利技术还涉及一种包括这种探测器电路(8)的系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电隔离地传输数字信号的探测器电路和系统
本专利技术涉及一种用于电隔离(galvanisch-getrennt)地传输数字信号的探测器电路,以及一种用于电隔离地传输数字信号的系统,该系统包括这种探测器电路。
技术介绍
对于以下系统有必要进行电隔离的信号传输:在所述系统中,在系统的各个部分之间出现的电压可能损坏该系统或该系统的部分,并且因此也对使用者表现出潜在的危险。对此的日常示例是,用于电子整流电机的控制装置、开关电压转换器或用于以下电压的同步整流器,该电压远大于(>500V)在信号处理中的最高5V的通常电压。其使用如今在现代电驱动器和电能传输中越来越重要。现有技术中存在不同的基本的隔离器原理。光学隔离器自1960年代起就存在。可控的光源——通常是LED——激励用作接收器的光敏构件。在此,发送器(光源,例如LED)和接收器(例如光电晶体管)彼此电隔离。该设计非常简单并且能够实现静态信号的传输。但是,从今天的角度来看,该设计具有两个缺点:因为需要特别的半导体材料,目前不能够实现完全集成到硅基的CMOS(互补金属氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种探测器电路(8),所述探测器电路用于电隔离地传输数字信号,所述探测器电路包括:/n-两个差分信号输入端(RF1,RF2),/n-输入共模电压连接端(VCM),/n-交流电压耦合装置,/n-差分级,/n-运行电压连接端(AVDD),/n-运行接地连接端(AVSS),/n-信号输出端(IRECT),/n-偏置电流连接端(IBIAS),/n-整流器级,/n其中,所述交流电压耦合装置包括两个电容器(C1,C2)和两个电阻(R1,R2),其中,每个电容器(C1,C2)在第一侧上分别与所述差分信号输入端(RF1,RF2)之一连接,其中,所述两个电容器(C1,C2)的第二侧分别与所述差分级连接并且通...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180328 DE 102018204782.01.一种探测器电路(8),所述探测器电路用于电隔离地传输数字信号,所述探测器电路包括:
-两个差分信号输入端(RF1,RF2),
-输入共模电压连接端(VCM),
-交流电压耦合装置,
-差分级,
-运行电压连接端(AVDD),
-运行接地连接端(AVSS),
-信号输出端(IRECT),
-偏置电流连接端(IBIAS),
-整流器级,
其中,所述交流电压耦合装置包括两个电容器(C1,C2)和两个电阻(R1,R2),其中,每个电容器(C1,C2)在第一侧上分别与所述差分信号输入端(RF1,RF2)之一连接,其中,所述两个电容器(C1,C2)的第二侧分别与所述差分级连接并且通过各一个电阻(R1,R2)与所述输入共模电压连接端(VCM)连接,
其中,所述差分级包括第一n沟道晶体管(MN1)和第二n沟道晶体管(MN2),并且所述第一沟道晶体管和所述第二n沟道晶体管(MN1,MN2)分别与所述交流电压耦合装置的各一个电阻(R1,R2)以及各一个电容器(C1,C2)连接,
其中,所述偏置电流连接端(IBIAS)通过第三n沟道晶体管(MN3)与所述差分级连接,其中,所述偏置电流连接端(IBIAS)通过第四n沟道晶体管(MN4)和第五n沟道晶体管(MN5)与所述整流器级连接,
其中,所述运行接地连接端(AVSS)与第三、第四和第五n沟道晶体管(MN3,MN4,MN5)连接,
其中,所述整流器级包括五个p沟道晶体管(MP1,MP2,MP3,MP4,MP5),其中,所述第一n沟道晶体管(MN1)与第一p沟道晶体管(MP1)、第四p沟道晶体管(MP4)以及第五p沟道晶体管(MP5)连接,其中,所述第二n沟道晶体管(MN2)与第二p沟道晶体管(MP2)、所述第四p沟道晶体管(MP4)以及所述第五p沟道晶体管(MP5)连接,
其中,所述运行电压连接端(AVDD)与所述第一p沟道晶体管、所述第二p沟道晶体管和第三p沟道晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员:A·舒伯特
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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