【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及显示基板、显示设备和制造显示基板的方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。OLED显示设备通常包括阳极、包括发光层的有机层、以及阴极。OLED可以为底发射型OLED或顶发射型OLED。
技术实现思路
在一方面，本专利技术提供了一种显示基板，包括：基底基板；以及，多个发光亮度值检测器，其位于基底基板上；其中，所述多个发光亮度值检测器中的每一个包括：第一薄膜晶体管；保护层，其位于第一薄膜晶体管的远离基底基板的一侧；以及，光电传感器，其与第一薄膜晶体管电连接并且构造为检测发光亮度值；其中，保护层在基底基板上的正投影覆盖第一薄膜晶体管的至少沟道部分在基底基板上的正投影。可选地，保护层在基底基板上的正投影与第一薄膜晶体管的源极和漏极在基底基板上...
【技术保护点】
1.一种显示基板，包括：/n基底基板；以及/n多个发光亮度值检测器，其位于所述基底基板上；/n其中，所述多个发光亮度值检测器中的每一个包括：/n第一薄膜晶体管；/n保护层，其位于所述第一薄膜晶体管的远离所述基底基板的一侧；以及/n光电传感器，其与所述第一薄膜晶体管电连接并且构造为检测发光亮度值；/n其中，所述保护层在所述基底基板上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示基板，包括：
基底基板；以及
多个发光亮度值检测器，其位于所述基底基板上；
其中，所述多个发光亮度值检测器中的每一个包括：
第一薄膜晶体管；
保护层，其位于所述第一薄膜晶体管的远离所述基底基板的一侧；以及
光电传感器，其与所述第一薄膜晶体管电连接并且构造为检测发光亮度值；
其中，所述保护层在所述基底基板上的正投影覆盖所述第一薄膜晶体管的至少沟道部分在所述基底基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述保护层在所述基底基板上的正投影与所述第一薄膜晶体管的源极和漏极在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
3.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：接触电极，所述接触电极连接所述光电传感器和所述第一薄膜晶体管的源极；
其中，所述接触电极位于所述光电传感器和所述基底基板之间；并且
所述接触电极在所述基底基板上的正投影覆盖所述光电传感器在所述基底基板上的正投影。
4.根据权利要求1所述的基底基板，其中，所述第一薄膜晶体管包括位于所述光电传感器和所述基底基板之间的源极；并且
所述源极在所述基底基板上的正投影覆盖所述光电传感器在所述基底基板上的正投影。
5.根据权利要求1所述的显示基板，还包括；
钝化层，其位于所述保护层和所述第一薄膜晶体管之间；
接触电极，其连接所述光电传感器和所述第一薄膜晶体管的源极；以及
第一过孔，其贯穿所述钝化层；
其中，所述接触电极通过所述第一过孔与所述第一薄膜晶体管的源极电连接。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述保护层和所述接触电极位于同一层并且包括相同导电材料；并且
所述保护层和所述接触电极在所述钝化层上彼此间隔开。
7.根据权利要求5所述的显示基板，还包括：贯穿所述钝化层的第二过孔；
其中，所述保护层通过所述第二过孔与所述第一薄膜晶体管的栅极电连接。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述保护层与所述第一薄膜晶体管的栅极电连接。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板具有多个子像素区域；
其中，所述多个发光亮度值检测器分别位于所述多个子像素区域中；
其中，所述显示基板在所述多个子像素区域中的每一个中还包括：
发光元件；以及
第二薄膜晶体管，其构造为驱动所述发光元件发光。
10.根据权利要求9所述的显示基板，还包括；
多条读取线，用于分别传输由所述多个发光亮度值检测器检测到的信号；以及
补偿电路，其连接至所述多条读取线，并且构造为将所述多个子像素区域的发光亮度值调整至目标亮度值。
11.根据权利要求10所述的显示基板，还包括：公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；
其中，所述光电传感器包括：第一极性区域，其与所述公共电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：王玲，董学，林奕呈，盖翠丽，徐攀，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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