存储装置及电子设备制造方法及图纸

提供一种数据的保持时间长且可靠性高的存储装置。存储装置包括驱动器电路及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。晶体管包括第一栅极及第二栅极，在存储单元保持数据的期间，对晶体管的第一栅极及第二栅极施加负电位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储装置及电子设备
本专利技术的一个方式涉及一种存储装置。尤其是，本专利技术的一个方式涉及一种能够利用半导体特性而工作的存储装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。
技术介绍
DRAM(DynamicRandomAccessMemory：动态随机存取存储器)广泛地用作内置于各种电子设备中的存储装置(也称为存储器)。此外，已提出了在DRAM的存储单元中应用使用氧化物半导体的晶体管(也称为氧化物半导体晶体管、OS晶体管)的例子(例如，专利文献1、非专利文献1)。因为氧化物半导体晶体管的关闭状态下的泄漏电流(关态电流(off-statecurrent))极小，所以通过将氧化物半导体晶体管应用于DRAM的存储单元，可以制造刷新频率少且功耗低的存储器。在本说明书等中，将氧化物半导体晶体管被应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：/n驱动器电路；以及/n多个存储单元，/n其中，所述存储单元包括晶体管及电容器，/n所述晶体管的源极和漏极中的一个与所述电容器的一个电极电连接，/n所述晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物，/n所述晶体管包括第一栅极及第二栅极，/n所述第一栅极及第二栅极包括隔着沟道形成区域彼此重叠的区域，/n所述驱动器电路具有驱动所述第一栅极的功能，/n在所述存储单元保持数据的期间，所述驱动器电路对所述第一栅极输出比施加到所述晶体管的源极及漏极的电位低的第一电位，/n并且，对所述第二栅极施加比施加到所述晶体管的源极及漏极的电位低的第二电位。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 JP 2018-065571;20180910 JP 2018-1692471.一种存储装置，包括：
驱动器电路；以及
多个存储单元，
其中，所述存储单元包括晶体管及电容器，
所述晶体管的源极和漏极中的一个与所述电容器的一个电极电连接，
所述晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物，
所述晶体管包括第一栅极及第二栅极，
所述第一栅极及第二栅极包括隔着沟道形成区域彼此重叠的区域，
所述驱动器电路具有驱动所述第一栅极的功能，
在所述存储单元保持数据的期间，所述驱动器电路对所述第一栅极输出比施加到所述晶体管的源极及漏极的电位低的第一电位，
并且，对所述第二栅极施加比施加到所述晶体管的源极及漏极的电位低的第二电位。


2.根据权利要求1所述的存储装置，
其中所述第二电位比所述第一电位低。


3.一种存储装置，包括：
驱动器电路；以及
多个存储单元，
其中，所述存储单元包括晶体管及电容器，
所述晶体管的源极和漏极中的一个与所述电容器的一个电极电连接，
所述晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物，
所述晶体管包括第一栅极及第二栅极，
所述第一栅极及第二栅极包括隔着沟道形成区域彼此重叠的区域，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，加藤清，石津贵彦，大贯达也，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP